Иванов В.И (1)
.pdf150°С
н ٩—F٠ d р Q г'
а
Рис. 42. Зависимость интенсивности люминесценции стекол от времени выдержки
Рис. 43. Кинетика люминесценции в стеклах
хватывается на уровни Н и лишь впоследствии осуществляет тер мические переходы обратно в зону ؛проводимости (переход Г), а оттуда они могут попасть на уровень Р (переход г) и создать до бавочно новые центры Q. Переходы /' и Г соответствуют возбуж дению и испусканию света необлученного стекла, а переходы /’ и I — после облучения.
Таким образом, сразу после облучения продолжается процесс образования центров люминесценции Q, что объясняет рост ин тенсивности свечения. Дальнейшее затухание можно объяснить рекомбинацией электронов, находящихся на возбужденных уров нях центра Q, с дырками (переход г').
С повышением температуры увеличивается вероятность пере хода электронов, первоначально попавших на уровень Н, в зону проводимости (переход Г), что ускоряет процесс образования но вых центров Q. С ростом концентрации серебра увеличивается число центров Р, что ؛повышает вероятность для электронов из зоны проводимости попасть на центр Р по сравнению с захватом ловушкой Н. Это может объяснить ускорение эффекта накопле ния при повышении температуры и концентрации серебра в стекле.
Заканчивая описание механизма радиофотолюминесценции, подчеркнем следующие характерные черты этого процесса:
1)спектр люминесценции обусловлен центрами, состоящими из положительно заряженных атомов серебра, нейтральных ато мов и сложных конгломератов. Эти центры создаются под дейст вием ионизирующего излучения с участием первоначально инкор порированных ионов Ag+;
2)созданные таким образом люминесцентные центры не раз рушаются в процессе измерения люминесценции. Они только воз буждаются под действием измерительного света и затем люминесцируют. Эта процедура может повторяться неоднократно.
141
§ 43. РАДИОФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ДОЗИМЕТРЫ
В качестве радиофотолюминесцентных детекторов практиче ское значение для целей дозиметрии имеют только неорганиче ские материалы, активированные серебром. Однако применение
неорганических кристаллов связано со значительными трудностя
ми, возникающими при •их изготовлении. В СССР был предложен
радиофотолюминесцентный дозиметр на основе поликристаллических таблеток хлористого натрия ЫаСЦАд), активированного се ребром. Наибольшее распространение получили, однако, метафос
фатные стекла.
Состав таких стекол определяет их основные дозиметрические
качества: эффективный атомный номер, фоновую люминесценцию, относительную чувствительность, энергетическую зависимость.
Оптические свойства активированных серебром фосфатных стекол иллюстрируются рис. 44. Необлученное стекло обладает некоторой полосой поглощения (кривая 1). Ионизирующее излу чение ؛создает новую полосу оптического поглощения ■вблизи уль
трафиолетовой области (кривая 2), что вызвано образованием новых центров, включающих атомы серебра. Оптическое возбужде ние в пределах этого нового спектра поглощения вызывает оран
жевую люминесценцию, интенсивность которой является мерой дозы ионизирующего излучения (кривая 3).
С повышением дозы излучения увеличивается поглощение
вблизи ультрафиолетовой области и длинноволновая часть спект ра перекрывается частично со спектром люминесценции. Поэто му в процессе измерения часть света люминесценции поглощается теми же центрами, которые образовались под действием ионизи рующего излучения. Это приводит к тому, что интенсивность ра диофотолюминесценции ■дозиметра вначале линейно растет ■с уве личением дозы, затем достигает максимума и при дальнейшем повышении дозы падает.
Исследования показали, что состав стекол может изменяться в широких пределах без серьезного влияния на радиофотолюми несценцию. Например, ■изготовляли экспериментальные образцы с большим содержанием Р2О5, В2О3, 8Ю2 и других оксидов. Прак тическое распространение получили стекла, содержащие неболь
шое число ؛металлических метафосфатов, таких, как А1(РО3)3, М?(РО3)2, Ва(РО3)2, КРО3, НаРО3 и ЫРО3 с добавкой В2О3 или Э؛О2 для повышения устойчивости к атмосферным влияниям. Рас смотрим соответствие стеклянных дозиметров дозиметрическим требованиям.
Фон. Обусловлен наличием центров люминесценции независи мо от облучения. Фоновая люминесценция необлученных стекол в начальной стадии их исследования была велика и соответствова ла экспозиционной дозе ٣излучения до 40 Р. Однако использо вание чистых материалов и специальной технологической обработ ки позволяет снизить фоновую люминесценцию до значения, экви
валентного 0,3 Р.
142
Чувствительность. Эта характеристика дозиметра определяет
ся концентрацией серебра, а также видом других компонентов. Например, в одном исследовании ЫРО3 заменили Мё(РОз)г, что привело к снижению чувствительности в 20 раз. Этот эффект по ка трудно объяснить или предсказать. Что касается концентра ции атомов серебра, то максимальная радиофотолюминесценция
•наблюдается при содержании серебра 1—2%. Однако у обычно рекомендуемых стеклянных дозиметров содержание серебра со ставляет 2,5—4,5%. Это вызвано тем, что нарастание интенсивно сти люминесценции после прекращения облучения (эффект на копления) при низкой концентрации серебра идет слишком мед ленно.
Наличие эффекта накопления, т. е. увеличение интенсивности люминесценции после прекращения облучения, приводит к тому, что понятие чувствительности радиофотолюминесцентных дози метров необходимо отнести к фиксированному моменту времени после облучения.
Удобнее всего определять чувствительность по максимальной
люминесценции. Дозиметр тем лучше, чем быстрее люминесцен ция достигает максимума и чем дольше она сохраняется постоян
ной без заметного затухания. К сожалению, эти два требования противоречат одно другому: чем быстрее эффект накопления, тем
заметнее эффект затухания после достижения максимальной ин
тенсивности, и, наоборот, стекла с медленным нарастанием лю минесценции значительно дольше затем дают максимальное све чение без заметного затухания. Некоторые практически применяе мые стекла сохраняют постоянную интенсивность люминесценции в пределах 10؛% в течение нескольких лет, начиная с 2 ч после облучения.
Пределы измерения. Интенсивность радиофотолюминесценции линейно зависит от дозы в пределах от одного до нескольких ты сяч рентген. При экспозиционной дозе порядка 104 Р ■интенсив ность люминесценции достигает максимума, а затем спадает.
Верхний предел можно увеличить, если не измерять красно оранжевую область спектра люминесценции, а ограничиться бо лее коротковолновой частью.
Стекла, которые подвергают облучению в высокой дозе, ока зываются заметно окрашенными; обычно радиофотолюминесцент ные стекла выглядят светло-желтыми при 104 Р, желто-коричне выми при 108 Р, темно-коричневыми при 106 Р и почти черными при 107 Р.
Нижний предел измерения определяется фоновой люминесцен цией и у лучших образцов дозиметров составляет несколько сот миллирентген.
По отношению к мощности дозы чувствительность сохраняет
ся постоянной в широких пределах; некоторые эксперименты по казывают отсутствие эффекта мощности дозы вплоть до 1010 Р/с.
Влияние света. Чувствительность стекол к свету зависит от
143
Рис. 44. Оптические свойства фосфатных стекол
предшествующего облучения ионизирующим излучением и длины волны фотонов. Инфракрасный свет увеличивает эффект ,накопле ния и последующие затухания люминесценции.
Ультрафиолетовая область спектра вызывает очень медленное разрушение радиофотолюминесцентных центров. Этот эффект мал и практически не сказывается на результатах измерения, однако
длительное воздействие солнечных лучей приводит к заметной потере радиофотолюминесценции.
Обычный рассеянный дневной свет не вызывает заметных эф
фектов в стекле.
Взаключение приведем характеристики разработанного в
СССР радиофотолюминесцентного дозиметра ДФМ-1 (дозиметр фотолюминесцентный медицинский). Дозиметр предназначен для
измерения дозных полей в фантомах и относительного измерения внутриполостной дозы при лучевой терапии.
Вкачестве детектора использовано радиофотолюминесцентное стекло размером 10X5X3 мм; диапазон измеряемой дозы 50—
5000 Р при мощности дозы ;1—100 Р/мин. Погрешность измерения
вдиапазоне до 200؛ Р составляет ±20%, для более высокой дозы
±10%.
§44. МЕХАНИЗМ РАДИОТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
٠Под радиотермолюминесценцией понимают такой процесс, при котором [аккумулированная в кристалле энергия ионизирующего излучения преобразуется в энергию флюоресценции под действи ем теплового возбуждения.
Механизм радиотермолюминесценции можно объяснить на ос нове представлений, изложенных в предыдущих параграфах.
Рассмотрим вначале чистый кристалл, обладающий дефектами. Под действием ионизирующего излучения создаются центры, обу словленные захватом электронов или дырок вакансиями (Г и V
на рис. 45). Затем под действием тепла электрон, локализованный в центре ۶, может перейти в. зону проводимости (переход 1). Блуждая по кристаллу, этот электрон .может прорекомбинировать с дыркой, локализованной в центре V (переход 2); при этом воз никает люминесценция.
144
٠= F |
|
ж же» |
|
|
|
|
2 |
|
2 |
|
—Ag+i٠ |
|
|
— V |
s٠—Ag٠ |
|
|
|
|
ШШ |
|
||
Рис. 45. Механизм термолюминесценции беспримесного кристалла |
|||
Рис. 46. Механизм термолюминесценции кристалла, активированного серебром |
Переход 1 может быть вызван поглощением инфракрасной об، ласти света. В этом случае происходит оптически стимулирован،
ная люминесценция. Если глубина ловушек невелика, то освобож،
дение электронов с уровней захвата и перевод их в зону проводи мости могут происходить вследствие обычного теплового движения
при нормальной температуре; для достаточно |
глубоких ло |
|
вушек необходим дополнительный нагрев кристалла. |
||
Отличительной |
чертой этого процесса является |
разрушение |
центров окраски в |
процессе измерения независимо |
от способа |
возбуждения (нагрев, обычное тепловое движение, облучение ин،
фракрасным светом). Таким образом, радиотермолюминесцен
ция— это процесс |
люминесценции, |
связанный с разрушением |
центров, созданных под действием ионизирующего излучения. |
||
Для краткости |
обычно вместо |
«радиотермолюминеоденция» |
употребляют термин «термолюминесценция».
Рассмотрим процесс термолюминесценции кристалла, активи،
рованного примесью. На рис. 46 показана схема энергетических уровней кристалла с примесью серебра в качестве активатора.
Ионизирующее излучение освобождает электрон, который захва тывается ловушкой с образованием F-центра. Образовавшаяся дырка оказывается связанной с ионами серебра Ag+.
Последующее возбуждение освобождает электрон из ловушки и переводит его в зону проводимости (переход 1). Затем электрон
рекомбинирует с дыркой (переход 2), в результате чего ион |
ак |
тиватора Ag+ оказывается в возбужденном состоянии Ag+.* |
Воз، |
бужденный ион быстро возвращается в основное состояние с ис пусканием характеристической люминесценции (переход 5).
Спектр люминесценции определяется природой активатора. Так, свечение Ag+ находится в ультрафиолетовой — голубой об ласти, Мп2+ дает зелено-оранжевое свечение. Примерами активи рованных фосфоров могут служить CaF2—Mn, CaSO4 —Мп۶ NaCl—Ag, KCl—Ag.
10—6408 |
145 |
Следовательно, одни и те же соединения могут обладать ра диофотолюминесценцией и термолюминесценцией. Для термолю
минесценции характерны следующие отличительные особенности.
1.Спектр термолюминесцентной эмиссии является характер ным для ионов активатора (например, А§+), первоначально
инкорпорированных в кристалл.
2.Центры окраски, созданные ионизирующим изучением, раз
рушаются в процессе измерения. Следовательно, термолюминес
центный дозиметр после процедуры измерения теряет информа цию о дозе излучения.
§ 45. КИНЕТИКА ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ
На рис. 45 и 46 упрощенно поясняется механизм термо юминесценции, электронно-кинетическая модель которой в действительности выглядит сложнее, в частности, возможен обратный[
переход на уровень р электронов из зоны проводимости, которые попали туда в результате термического возбуждения. Такая возможность учтена на рис. 47, где г — по-прежнему уровень лову-
шек, а اجت —уровень захвата дырок дефектного или примесного происхождения. Рассмотрим кинетику термолюминесценции в со-
ответствии с 'ЭТОЙ моделью. Пусть первоначально кристалл подвергался воздействию ионизирующего излучения, в результате чего часть электронов из заполненной валентнО'й зоны перешла в
зону проводимости в, а оттуда часть .из них |
попала в ловушки |
на уровнях л |
(термическое воз- |
При нагреве кристалла до температуры т |
буждение) электроны с некоторой вероятностью могут перейти с уровней Г 'В зону проводимости (переход جه), а оттуда попасть на уровень V, в результате чего возникает люминесценция; одновременно возможен обратный переход (переход Р) электронов из 30ны проводимости на уровни ۶.
Пусть «п د число электронов в зоне проводимости в некоторый момент времени /; „-число электронов в ловушках на уровйях م; مل —число дырок на активаторных уровнях أجت; л? —число уровней р (число ловушек), как за-
полненных, так и незаполненных.
Будем полагать, что все уровни Р находятся на одной и той же энерге тической глубине е, считая от зоны проводимости. Тогда изменение числа электронов можно представить сле
дующими уравнениями:
сьцси = —а.п((йл-<1Цс1
Рис. 47. Кинетика радиотермо- )11 — п —9 п |
(45.1) |
люминесценции |
|
146
где و —отнесенная к единице времени вероятность перехода электронов с уровня F в зону проводимости при тем'пературе т;
р и ٢ —коэффициенты, связанные с вероятностью перехода электронов из зоны 'Проводимости соответственно на уровни F и V.
Действительно, уменьшение числа дырок «а уровнях V и *уве л-ичение числа электронов на уровнях F связаны 'С увеличением числа электронов в зоне проводимости [первое уравнение (45.1)]٠
Второе уравнение описывает изменение числа электронов 'На уровнях F, обусловленное их переходом с вероятностью قه в зону проводимости и обратным переходом из зоны проводимости. Число электронов, возвращающихся из зоны проводимости, пропорцио-
нально числу незаполненных ловушек (N—п) |
и числу электронов |
||
в зоне проводимО'Сти. |
дырок на |
уровнях V связано с приходов |
|
Изменение числа |
|||
электронов из зоны |
проводимости |
![третье |
уравнение (-45.1)]٠ |
В каждый данный мо٠мент времени число электронов в 30'Нв проводимости, на уровнях F и 4'ИСЛО дырок связаны очевидным COOTношением
f==nin„. |
(45.2), |
Уравнения (45.1) представляют систему, решение которой дало бы зависимость в явном виде числа электронов и дырок от
времени. Однако в общем виде не удается получить решение, которое выражало'Сь бы элементарными функциями, в ряде случаев можно ввесТ'Н значительные упрощения. Для люминофоров с большим временем пребывания на уровнях захвата справедливо ПО'ЛОЖИТЬ, что число электронов в Л'Овушках значительно больше
числа электронов в зоне проводимости; в ЭТО'М случае п>«п, مءه
حي« и dfldt=dnldt. Из первого |
уравнения |
(45.1) получаем |
||||
|
|
|
8'45> |
|
|
ببآ٠> |
Подставив значение' „п из |
формулы '(45.3) |
во второе |
уравнение |
|||
(45.1), П'Осле несложных |
преобразований |
получим |
следующее |
|||
уравнение для числа электронов на уровнях F: |
|
|
||||
]1+٠)٢-1(٦-<٥٥• |
)45.4( |
|||||
Число актов люминесценции |
пропорционально |
числу |
переходов |
|||
электронов из зоны проводимости на уровни V. Каждый такой пе- |
||||||
реход приводит к изменению числа локализованных дырок; ин- |
||||||
тенсивность люминесценции |
I |
оказывается |
пропорциональной |
|||
dffdt. В нашем случае с точностью до постоянного множителя |
||||||
|
I=\dn/dt\. |
|
|
(45.5) |
§ 46. КРИВАЯ ТЕРМОВЫСВЕЧИВАНИЯ
Процедура измерени.я дозы термолюМ'Инесцентным дозиметром сводится к тому, что облученный дозиметр нагревают и в процес-
се нагрева измеряют интенсивность свечения |
люминесценции. |
*10 |
147 |
.Рис. 48. Кривая термовысвечивания
Рис. 49. Теоретическая зависимость интенсивности люминесценции I от температуры т при различных значениях параметров е и V: 884>83>82>ا; Vi>٠٧2>V3
Полная светосумма, выделившаяся в процессе нагрева, является мерой поглощенной дозы, кривая, выражающая зависимость интенсивности люминесценции 0٠т температуры люминофора при не-
.прерывном |
нагреве, называется |
кривой |
термовысвечивания. Ча- |
||
'СТО |
вме٠сто |
температуры указывается время .нагрева. |
Типичный |
||
вид |
кривО'й |
термовысвечивания |
показан |
на рис. 48. |
Она может |
иметь один или несколько пиков 1—111, соответствующих ловушкам с ра'зличной глубиной расположения по отН'Ошению к зоне
проводимости. Пунктиром изображена фоновая люминесценция, возникающая при нагреве необлученного *люминофора
Аналитическое выражение для кривой тер1Мовысвечивания можно получить, лишь сделав ряд упрощающих предположений.
По-прежнему 'будем считать, что имеется лишь один вид электронных ловушек с одной и той же глубиной залегания 8. Примем далее, что каждый освобожденный из ловушки электрон обяза-
тельно рекомбинирует с !Положительной дыркой с испусканием люминесценции. Это равносильно предположению, что в уравнеНИИ (45.4) р/?=о. В этом случае из уравнений (45.4) и (45.5) по-
лучаем
I=]dn/dt\=^n. |
(46.1) |
Перевод электронов из лО'Вушки в зону проводимости происходит в результате термического возбуждения, при котором электроны приобретают энергию, достаточную для преодоления энергетического барьера е. Электроны в ловушках имеют максвелловское распределение по энергиям, и вероятность ص освободиться электрону в единицу времени из ловушки глубиной е П'РИ температуре т имеет вид
^==vexp:’(—в/И), |
'(46.2)' |
где V-коэффициент, имеющий размерность частоты и связанный |
|
с частотой колебаний кристаллической решетки; |
& —постоянная |
Больцмана. |
|
148
При термовозбуждении можно задать любую программу на грева люминофора. Примем, что нагрев кристалла происходит с
постоянной скоростью, так что |
(46.3) |
Т = Т0,+№, |
|
где То — температура в начальный момент времени; |
/ — время |
нагрева, а р— постоянный коэффициент. Подставив |
(46.2) в фор- |
|
мулу (46.1), получим |
|
(46.4) |
а.п|ш.=—п. —е1кт |
||
или |
—г|кТ . |
(46.5). |
йп|п,::— |
Из формулы (46.3) получаем |
. |
|
|
<Ы1Т|$ |
|
и после интегрирования |
|
я = /хр —ل ؛ехр (— е/т т |
(46.6) |
|
|
Из формул (46.1), (46.2) и (46.6) получим следующее выра- |
|
жение для интенсивности люминесценции: |
|
ا ت رإهلا ехр (— гД) ехр [— ئ ت ехр (— е/1гТ) йТ |
(46.7) |
|
Формула (46.7) является математическим представлением кривой высвечивания для фосфоров, имеющих ловушки только одного ти па. Значение интенсивности по этой формуле можно определить лишь приближенно численным интегрированием.
На рис. 49 показана зависимость интенсивности I от темпера туры Т, рассчитанная по формуле (46.7) для различных значений
8 И V.
Вначале с повышением температуры люминесценция увеличи вается, так как растет число электронов, освобожденных из лову шек, достигает максимума при некотором значении температуры Тт, а затем падает вследствие уменьшения запаса электронов в ловушках. Максимум сдвигается в сторону больших температур при увеличении « и и при уменьшении V.
Из предыдущих формул легко получить
1(И—йп или 1дТ=^дп.
Отсюда площадь под кривой термовысвечивания
т |
п0 |
(46.8) |
5 = ٠٢ 1дТ = р ٠٢ ،/л = р/г٥. |
Здесь принято, что в результате нагрева все ловушки «опусто шаются». Площадь под кривой термовысвечивания пропорцио нальна числу первоначально захваченных в ловушки электронов по; число электронов п0, в свою очередь, пропорционально погло щенной дозе.
149
Для определенного типа ловушек (г и фиксированы) и при заданном знании скорости нагрева $ высота пика такэке пропориинал а илу электронов п , а следовательно, и дозе. ' а-
КИМ образом, есть две вазможности определения дозы излучения:
по измерению площади под .кривой высвечивания и по высоте пика при температуре тт.
Если фосфор содержит несколько различных типов ловушек, то каждая из них характеризуется своими значениями g и v; кривая высвечивания в этом случае имеет несколько пиков. Те ловушки, которые имеют низкое значение е и большое V, плохо сохраняют запас энергии. Так, ловушки -с глубиной залегания :0,8 эВ и со значением v>109 с заметно опустошаются в течение нескольких часов при комнатной температуре.
Связь между температурой Тт, соответствующей максимальному значению интенсивности люминесценции, и параметрами р, g, V МОЖНО вывести из приведенных уравнений.
Из формул (46.1) и (46.2) получаем |
|
I==nv exp (~s/kT). |
(46.9) |
Для т==тт должно быть rf//d٢=٠. Продифференцируем уравнение (46.9):
ه = V exp (— s/kT) ~ ب п لث exp (■— e/kT).
Приравнивая производную нулю, получаем
— ش)الا„=)ج(7:٧ |
)46.10( |
Учитывая, что dt==dT/р, из формулы (46.5) получаем |
|
: — ل exp (— sIkTm) ((1Т)т:Тт٠ |
(46.11) |
Подставив значение (dn/n) при т=тт из формулы (46.11) в |
|
(46.10), после простых преобразований получим HCK'OMoe |
соотно- |
шение
■ك٦م?)-٠/ه(. )46.12(
<р
Формула (46.12) справедлива лишь в пределах принятых допущений. При определенных экспериментальных условиях справедливо приближенное эмпирическое соотношение 8=25kTm-
Наличие пика кривой высвечивания объясняется тем, что с ростом температуры количество зарядов, осво'божденных с уровней захвата, возрастает и интенсивность люминесценции увеличивается; одновременно с этим, однако, уменьшается число электронов в зоне проводимости, что приводит к снижению интенсивности люминесценции.
Эти два конкурирующих процесса и определяют форму кривой высвеч.ивания.
150