Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Микропроцессоры.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
4.83 Mб
Скачать

Раздел 2 Принципы функционирования микропроцессоров

Тема 2.1 Память как функциональны узел микропроцессорной системы мпс

2.1.1 Назначение, параметры и классификация запоминающих устройств зу

ЗУ служат для хранения информации и обмена ею с другими частями МПС. В зави-

симости от назначения ЗУ различают внутреннюю (основную) и внешнюю память.

Устройства внутренней памяти подразделяется на ОЗУ (RАМ), ПЗУ (RОМ) и РЗУ.

ОЗУ непосредственно участвуют в преобразовании и обработке информации. Для увеличения быстродействия они строятся на полупроводниковой элементной базе. В ОЗУ коды постоянно меняются и пропадают при выключении питания.

В ПЗУ хранятся управляющие работой МПС стандартные программы, константы, таблицы символов. При выключении питания информация в ПЗУ не пропадает.

ОЗУ подразделяются на статическую (SRAM), динамическую (DRAM) и регистро-вую (RG) память. Динамические ОЗУ характеризуются значительной ёмкостью и срав-нительно малой стоимостью, но требуют применения регенерации (восстановления) данных. Статические ОЗУ (на триггерах) – дороже, имеют меньшую ёмкость, но не требуют регенерации. Регистровые ЗУ (буферные ЗУ) предназначены для промежуточ-ного хранения данных при обмене между внутренней и внешней памятью, при обмене между устройствами с разным быстродействием. Имеют обычно малую ёмкость.

ПЗУ подразделяются на масочные ПЗУ (ROM или ПЗУМ), данные в которые записы-ваются при производстве; однократно программируемые ППЗУ (PROM), многократно программируемые (репрограммируемые) с ультрафиолетовым стиранием СПЗУ (EPROM) и с электрическим стиранием ЭСПЗУ (EEPROM), Flash.

В качестве ПЗУ могут применяться также программируемые логические интеграль-ные схемы ПЛИС. В стадии разработки находятся устройства ферроэлектрической и магниторезистивной памяти, памяти на аморфных полупроводниках.

Устройства внешней памяти содержат большие массивы информации, хранят их долгое время и обмениваются данными с внутренней памятью. Это обычно электроме-ханические устройства, например, накопитель на жёстком магнитном диске НЖМД, на оптических дисках, на материалах, содержащих цилиндрические магнитные домены. Однако быстродействие устройств внешней памяти не велико.

ЗУ различают: по способу доступа к ЯП – с последовательным, циклическим и произвольным и по характеру обращения – с адресной и ассоциативной выборкой.

Устройства внутренней памяти строятся на основе запоминающих элементов ЗЭ – триггеров, конденсаторов, плавких перемычек. ЗЭ объединяются в ячейки памяти ЯП.

Ёмкость ЗУ выражается в единицах, кратных числу 210 = 1024 = 1 К. Если ЯП состоят из одного ЗЭ, то ёмкость выражается в килобитах Kb, если ЯП содержит 8, 16, 32 ЗЭ, то ёмкость выражается в килобайтах КВ. Каждой ЯП соответствует адрес. Ёмкость ИМС

ЗУ указывается произведением двух чисел 2n×m, где 2n – число ЯП (число адресов), m –

длина слова, записываемого в ЯП. Такая запись отображает организацию памяти.

Быстродействие памяти отображается временем обращения (записи или чтения).

Для достижения одновременно и большой ёмкости и высокого быстродействия память организуется по иерархическому принципу, когда информационное поле МПС представляется ЗУ с единым адресным пространством, в котором выделяют уровни:

31

1) сверхоперативное ЗУ СОЗУ; 2) оперативное ЗУ ОЗУ, постоянное ЗУ ПЗУ; 3) буферные ЗУ БЗУ; 4) внешние ЗУ ВЗУ.

КЭШ-память – это быстродействующая память небольшой ёмкости, расположенная между процессором и основной памятью. Кэш-память предназначена для согласования темпа работы процессора и более медленной ОП, построенной на ИМС динамической памяти. В ней хранятся копии текущей программы и данные, необходимые для её выполнения. Эта информация считывается из ОП контроллером кэша.