- •Модуль 1. Естественнонаучные основы представлений об окружающей действительности
- •Тема 4. Основы современных концепций микро- и наномира Лабораторная работа № 4
- •4.1.1. Цели работы
- •4.2.1. Самостоятельная работа студентов
- •4.3.1. Средства и способы проведения эксперимента
- •4.4.1. Порядок выполнения работы
- •1.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, как развивались представления об атоме
- •1.2. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, как в настоящее время характеризуют состояния электронов в атоме
- •2.2. Теоретические предпосылки, позволяющие рассчитывать энергии
- •2.3. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, чем важен озон для жизни на земле
- •4.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять связь строения атома от его положения в таблице Менделеева
- •5.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, как образуются химические связи между элементами
- •6.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, от чего зависят электрические свойства твердых тел
- •7.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, от чего зависят электрические свойства полупроводниковых материалов, используемых в современной электронике и микроэлектронике
- •Распределение электронов по орбитам атомов
- •Ширина запрещенной зоны основных полупроводников
- •Концентрация собственных носителей заряда
- •Фрагмент периодической таблицы элементов д.И. Менделеева
- •Подвижности носителей заряда полупроводников
- •Подвижности носителей заряда полупроводников
- •7.2. Теоретические предпосылки
- •7.3. Теоретические предпосылки
- •8.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, что такое аллотропные формы веществ
- •Итак, если подвести итого, то возможные применения нанотрубок следующие
- •9.1. Теоретические предпосылки
- •10.1. Теоретические предпосылки о супрамолекулярной химии
Подвижности носителей заряда полупроводников
Полупроводник |
Кремний |
Арсенид галия |
Германий |
Подвижность электронов, см2/(В с) |
1500 |
8500 |
3900 |
Подвижность дырок, см2/(В с) |
450 |
400 |
1900 |
Введите в командное окно MATLAB програму 2а,2б.
Програма 2а.
q=1.6e-19;
mjun=1500; %Подвижность электронов
mjup=450; %Подвижность дырок
ni=1.45e10;
disp( ' Величина удельного объемного сопротивления кремния')
roisi=1/((q*ni)*(mjun+mjup))
Програма 2б.
q=1.6e-19;
mjun=8500;%Подвижность электронов
mjup=400; %Подвижность дырок
ni=1.8e6;
disp( 'Величина удельного объемного сопротивления ')
disp( ' арсенида галия')
roigaas=1/((q*ni)*(mjun+mjup))
Задание 10.
Для разновидностей примесных кремниевых полупроводников, отличающихся степенью легирования, определите, во сколько раз отличаются концентрации основных и неосновных носителей заряда при комнатной температуре. Для них также сравнить процентное содержание основных носителей в общем количестве носителей и сделать вывод о том, какая доля примесей ионизирована при комнатной температуре и почему одни носители называют основными, а другие - неосновными.
7.2. Теоретические предпосылки
Известно, что концентрация основных и неосновных носителей определяются законом действующих масс для примесного полупроводника: произведение концентрации основных носителей на концентрацию неосновных носителей есть величина постоянная и равная квадрату концентрации собственных носителей.
Для акцепторного полупроводника (р - типа)
. (ПЗ5.2)
Для донорного полупроводника (n – типа)
. (ПЗ5.3)
Если считать, что концентрация собственных носителей существенно меньше концентрации ионизированной примеси, то.
(ПЗ5.4)
(ПЗ5.5)
Известно, что подгруппы полупроводников, которые могут использоваться в кремниевых несимметричных переходах, имеют электрофизические параметры, которые представлены в таблице ПЗ5.2.
Таблица ПЗ5.2
Обозначения полупроводников в зависимости от концентрации примеси
Название подгруппы используемого полупроводника |
Условное обозначение |
Концентрация введенной примеси, 1/см3 |
Удельное сопро- тивление, Ом/см |
Собственный (беспримесный) |
p i , n i |
~0 (<10-6) |
~2 105 |
Слаболегированный |
p , n |
~1013 - 1014 |
~2 105 |
Умеренно легированный |
p+ , n+ |
~1015 - 1016 |
100…10 |
Сильно легированный |
p++ , n++ |
~1017 - 1018 |
0,1…0,001 |
Вырожденный |
p+++ , n+++ |
~1019 – 1022 |
10-2…10-4 |
Введите в командное окно MATLAB програму 3.
Програма 3.
ni=1.45e10;
naslab=1e15;%Концентр. примеси слабо легир. п/п
naumer=1e16;%Концентр. примеси умеренно легир. п/п
nasiln=1e17;%Концентр. примеси сильно легир. п/п
nawr=1e20;%Концентр. примеси вырожденного п/п
disp( ' Концентрация неосновных носителей')
npslab=ni*ni/naslab
npumer=ni*ni/naumer
npsiln=ni*ni/nasiln
npwr=ni*ni/nawr
disp( ' Процентное содержание основных носителей')
prozslab=100*naslab/(naslab+npslab)
prozumer=100*naumer/(naumer+npumer)
prozsiln=100*nasiln/(nasiln+npsiln)
prozwr=100*nawr/(nawr+npwr)
Задание 11.
Рассчитайте, во сколько раз изменится концентрация собственных носителей зарядов в полупроводниковом бруске кремния, если температура окружающей среды изменилась с 27 0С до 87 0С. Сделать выводы о влиянии температуры на собственную концентрацию носителей.