- •Модуль 1. Естественнонаучные основы представлений об окружающей действительности
- •Тема 4. Основы современных концепций микро- и наномира Лабораторная работа № 4
- •4.1.1. Цели работы
- •4.2.1. Самостоятельная работа студентов
- •4.3.1. Средства и способы проведения эксперимента
- •4.4.1. Порядок выполнения работы
- •1.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, как развивались представления об атоме
- •1.2. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, как в настоящее время характеризуют состояния электронов в атоме
- •2.2. Теоретические предпосылки, позволяющие рассчитывать энергии
- •2.3. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, чем важен озон для жизни на земле
- •4.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять связь строения атома от его положения в таблице Менделеева
- •5.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, как образуются химические связи между элементами
- •6.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, от чего зависят электрические свойства твердых тел
- •7.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, от чего зависят электрические свойства полупроводниковых материалов, используемых в современной электронике и микроэлектронике
- •Распределение электронов по орбитам атомов
- •Ширина запрещенной зоны основных полупроводников
- •Концентрация собственных носителей заряда
- •Фрагмент периодической таблицы элементов д.И. Менделеева
- •Подвижности носителей заряда полупроводников
- •Подвижности носителей заряда полупроводников
- •7.2. Теоретические предпосылки
- •7.3. Теоретические предпосылки
- •8.1. Теоретические предпосылки, позволяющие понять, что такое аллотропные формы веществ
- •Итак, если подвести итого, то возможные применения нанотрубок следующие
- •9.1. Теоретические предпосылки
- •10.1. Теоретические предпосылки о супрамолекулярной химии
Подвижности носителей заряда полупроводников
Полупроводник |
Кремний |
Арсенид галия |
Германий |
Подвижность электронов, см2/(В с) |
1500 |
8500 |
3900 |
Подвижность дырок, см2/(В с) |
450 |
400 |
1900 |
Для области слабых полей, зная подвижность носителей заряда, из (1.10), можно записать выражения для плотности электрического тока электронов и дырок
, (1.12)
Суммарная плотность электронов и дырок
(1.13)
Последнее выражение представляет собой дифференциальную форму закона Ома. Величина называется удельной проводимостью, а обратная ей величина - удельным сопротивлением при величинах концентраций электронов n и дырок p.
Как увидим в дальнейшем, типичной для полупроводника является ситуация, когда концентрация носителей в одном месте бруска полупроводника отличается от концентрации в другом месте. Другими словами, имеет место неравномерное по пространству распределение носителей заряда в объеме полупроводника или, как говорят, градиент (разность) концентрации носителей заряда по пространству. Как известно из физики, в таких случаях возникает, связанная с тепловым движением носителей заряда, диффузия. Соответственно, возникает направленное, упорядоченное диффузионное движение носителей заряда, связанное с неравномерным распределением носителей по пространству, и, как следствие, так называемый диффузионный ток.
Теоретической основой диффузии является закон Фика, в соответствии с которым плотность потока свободных носителей пропорциональна градиенту концентрации, взятому с обратным знаком, поскольку диффузионный поток направлен в сторону меньшей концентрации носителей.
Для одномерного случая (по координате Х), умножая плотность потока на заряд, можно получить плотность диффузионного тока для электронов и дырок
, . (1.14)
Здесь - коэффициенты диффузии электронов и дырок, соответственно.
Параметры дрейфового и диффузионного движения связаны между собой соотношением Эйнштейна, которое имеет следующий физический смысл: независимо от причины, вызвавшей направленное движение, свободные носители встречают на своем пути одни те же неоднородности, от взаимодействия с которыми зависит их скорость и, соответственно, ток
(5.13)
(5.14)
Коэффициент пропорциональности
(5.15)
имеет размерность потенциала (вольт) и называется тепловым потенциалом. Следует запомнить, что при комнатной температуре (Т = 300 К) 0,026 В = 26 мВ.
Задание 9.
Рассчитайте величину удельного объемного сопротивления электрическому току полупроводникового бруска, если он изготовлен из собственного полупроводника кремния и арсенида галлия. На основании расчетов сделать выводы о том, какой из материалов можно считать полуизолятором.
Известно, что удельное объемное сопротивление определяется формулой
. (ПЗ5.1)
-коэффициент пропорциональности между скоростью дрейфа и напряженностью электрического поля называется подвижностью.
Величины подвижностей определяются из таблицы ПЗ5.1.
Таблица ПЗ5.1