![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •Часть I
- •Оглавление
- •Предисловие
- •Введение
- •1. Основные положения классической электродинамики.
- •1.0. Уравнения Максвелла.
- •1.0.0. Решение уравнений Максвелла для непоглощающего диэлектрика
- •1.0.1. Свойства электромагнитной волны
- •1.0.1.0. Энергия электромагнитной волны
- •1.0.1.1. Давление света
- •1.0.1.2. Закон Снеллиуса
- •1.1. Оптические характеристики проводящих сред
- •1.1.1. Оптические постоянные вещества и его микрохарактеристики
- •1.1.1.0. Временная дисперсия
- •1.1.1.1. Временная дисперсия и частота излучения
- •1.1.1.2. Пространственная дисперсия
- •1.1.2. Дисперсионные соотношения
- •0. Поглощение излучения металлами и их оптические свойства
- •0.0. Распространение электромагнитных волн в проводящих средах. Основные уравнения оптики металлов
- •0.0.0. Скин-эффект и его свойства
- •0.1. Оптические свойства металлов
- •0. Поглощение света и передача энергии в полупроводниках
- •0.0. Оптические процессы в поглощающих полупроводниках
- •0.1. Рекомбинация и захват электронов и дырок в полупроводниках
- •0.2. Процессы передачи энергии в поглощающих полупроводниках
- •0.2.1. Особенности собственного поглощения
- •0.2.2. Внутризонное поглощение
- •0.3. Кинетика фотовозбуждения полупроводников лазерным излучением
- •0.4. Насыщение межзонного поглощения
- •0. Влияние интенсивности излучения на оптические свойства вещества. Нелинейная оптика
- •0.0. Основные эффекты нелинейной оптики
- •0.1. Материальное уравнение нелинейной среды
- •0.2. Нелинейный осциллятор
- •0.2.1. Метод возмущений
- •0.2.2.0. Линейное приближение
- •0.2.3.1. Расчет нелинейной поправки
- •0.3. Осциллятор с кубичной нелинейностью. Зависимость частоты колебаний от амплитуды
- •0.4. Самовоздействие света в нелинейной среде. Самофокусировка
- •0.5. Явление самоиндуцируемой прозрачности
- •0.6. Неоднородный ансамбль нелинейных осцилляторов. Световое эхо
- •0. Изменение поглощательной способности прозрачных диэлектриков в процессе лазерного облучения
- •0.0. Физические представления о механизмах изменения поглощения в идеальных диэлектриках
- •0.0.0. Фотоионизация газа
- •0.0.1. Многофотонная ионизация.
- •0.0.2. Лавинная ударная ионизация
- •0.0.3. Изменение поглощения в идеально чистых прозрачных твердых телах
- •0.0.4. Роль вынужденного рассеяния Мандельштама Бриллюэна
- •0.1. Оптические свойства реальных оптических материалов и покрытий
- •0.1.0. Механизмы инициирования объемного поглощения в первоначально прозрачной среде
- •0. Поверхностные электромагнитные волны оптического диапазона
- •0.0. Основные свойства пэв, структура и распределение полей, условия существования, дисперсионное соотношение
- •0.1. Поверхностные плазмон-поляритоны на границе металла с диэлектриком
- •0.2. Методы возбуждения пэв
- •0.2.0. Призменный метод возбуждения пэв
- •0.2.1. Возбуждение пэв на решетке
- •0.3. Цилиндрические пэв
- •0. Оптическая «левитация»
- •0.0. Оптическая «левитация» малых прозрачных частиц
- •0.1. Элементы теории оптической «левитации»
- •0.1.0. Геометрия отражения и преломления.
- •0.1.1. Энергетика отражения и преломления
- •0.1.2. Формулы Френеля.
- •0.1.3. Силы светового давления
- •0.1.4. Световое давление вдоль пучка
- •0.1.5. Световое давление поперек пучка
- •0.2. Численные оценки
- •Вопросы для самопроверки
- •Рекомендуемая литература
- •Кафедра лазерных технологий и экологического приборостроения
- •История кафедры лт и эп делится на
- •4 Разных периода:
- •1) Лазерное формирование многофункциональных зондов (мз) для зондовой микроскопии с целью создания универсальных зондовых микроскопов.
- •3) Наноструктурирование тонких металлических и полупроводниковых слоев.
- •4) Управление микрогеометрией, наношероховатостью и физико–химичекими свойствами поверхности материалов
- •2. Лаборатория лазерной очистки и реставрации произведений культуры и искусства (пкин) организована совместно с фирмой ооо «Мобильные лазерные системы».
- •Евгений Борисович Яковлев, Галина Дмитриевна Шандыбина Взаимодействие лазерного излучения с веществом (силовая оптика).
1. Основные положения классической электродинамики.
Существуют три основных подхода к описанию явлений, связанных с взаимодействием оптического излучения с веществом: классический, полуклассический и квантово-механический.
При классическом описании излучение представляют в виде электромагнитных волн, а вещество в виде непрерывной среды, характеризуемой определенными оптическими макропараметрами. В этом случае используют уравнения Максвелла, дополненные материальными уравнениями, атомарная структура вещества игнорируется. В рамках макроскопического подхода (теория Максвелла) механизм воздействия световой волны на вещество можно описать следующим образом. Падающая электромагнитная волна индуцирует в материале переменные токи, часть энергии которых преобразуется в джоулево тепло (поглощение), а часть - расходуется на генерирование вторичных электромагнитных полей. При этом происходит распространение излучения в веществе путем непрерывного поглощения и переизлучения электромагнитных волн.
При полуклассическом приближении (микроскопическая теория Лоренца) поле электромагнитного излучения описывают уравнениями Максвелла, а при описании материального объекта используют квантовомеханические представления. В этом случае оптические параметры не постулируют, а рассчитывают на основе данных об атомарной структуре и динамике среды с учетом вероятностей соответствующих квантовых переходов. В теории Лоренца переменное поле электромагнитной волны периодически ускоряет (раскачивает) многочисленные микроскопические заряды вещества. Ускоренные полем заряды теряют избыток полученной энергии либо путем передачи ее своему ближайшему окружению, либо путем излучения новых электромагнитных волн. В первом случае происходит поглощение энергии, падающей на вещество электромагнитной волны, а во втором - распространение излучения в среде путем непрерывного поглощения и переизлучения электромагнитных волн заряженными частицами вещества.
При квантовомеханическом описании излучение и вещество рассматривают как единую квантовую систему.
Ее описывают гамильтонианом
(1.0)
Здесь
гамильтониан
свободного излучения,
гамильтониан вещества в отсутствие
излучения,
гамильтониан
взаимодействия излучения с веществом.
Гамильтониан свободного излучения
можно представить как
(1.1)
где
и
операторы
соответственно уничтожения и рождения
фотона (с частотой
)
в
- м состоянии,
,
где
- постоянная Планка.
Для кристалла гамильтониан удобно представить в виде
,
(1.2)
где
гамильтониан
кристаллической решетки («фононный»
гамильтониан),
«электронный»
гамильтониан,
гамильтониан
взаимодействия электронов с фононами
(опускаемый при использовании
адиабатического приближения). Фононный
гамильтониан
описывают выражением, аналогичным
выражению (1.1), а гамильтониан
удобно представить в виде
,
где
описывает взаимодействие фотонов с
электронами кристалла, а
взаимодействие
фотонов с фононами.
Наиболее полным и последовательным является, квантовомеханическое описание, которое позволяет учесть все аспекты взаимодействия, связанные как с изменением состояний вещества, так и с изменением состояний поля излучения.
Классическое описание является предельным случаем, существенно упрощающим рассмотрение процессов взаимодействия излучения с веществом. Основные ограничения применимости классического описания связаны с двумя обстоятельствами. Во-первых, должно быть оправданным классическое представление излучения в виде световых волн. Во-вторых, в рассматриваемой задаче должны быть несущественными атомарная структура и динамика среды.
Полуклассический подход надо рассматривать как некий компромиссный вариант, не имеющий строгого обоснования. Его существенным недостатком является тот факт, что поле излучения является заранее заданным внешним возмущением. Это позволяет рассчитывать изменение состояний вещества, но не дает возможности рассчитывать изменения поля излучения. В этом смысле полуклассическое описание «уступает» как квантовомеханическому, так и классическому, поскольку последние дают последовательную картину взаимодействия излучения и вещества, хотя и с разной полнотой рассмотрения.
Большинство оптических явлений, происходящих при взаимодействии лазерного излучения с веществом и используемых в лазерных технологиях, может быть качественно и количественно объяснено на основе классического подхода. Мы будем пользоваться почти исключительно этим подходом.