Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
МОСКОВСКИЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИИ ИНСТИТУТ.doc
Скачиваний:
16
Добавлен:
19.09.2019
Размер:
4.71 Mб
Скачать

TF=1+TC1-(T- TNOM)+TC2-(T- TNOM)2.

Параметр модели резистора TC1 — линейный температурный коэффициент, часто задается в справочном листке резистора как миллионные доли на °C (ppm/degree C). Для преобразования этого справочного параметра в TC1 необходимо его деление на 1000000. Так, например, справочный параметр 3000 ppm/degree C соответствует значе­нию TC1=3E-3.

Если <имя модели> указано и указан TCE, сопротивление рассчитывается как <со- npomueneHue>*TF, но температурный фактор TF определяется по экспоненциальной формуле:

TF =1 01 TCE(T-TNOM) .

Если определено и <имя модели>, и |TC=<fc1>[,<fc2>]] в строке атрибута RESIS­TANCE, то значения температурных коэффициентов в строке RESISTANCE [TC=<tc1>[,<tc2>]] имеют приоритет.

Во всех вышеприведенных формулах Т — текущее значение температуры (указыва­ется по директиве .TEMP); TNOM — номинальная температура, равная по умолчанию 27° С (указывается в окне Global Settings).

Разброс сопротивления при использовании Monte-Carlo

Допуски LOT и DEV для анализа Монте-Карло, доступны только при определении <имени модели> в окне задания параметров или модельной директивы .MODEL в тек­стовой области или на поле схемы. Допуски могут выражаться в относительных (про­центах) или абсолютных единицах и могут быть указаны для всех параметров модели, за исключением температурных параметров. Обе формы задания допусков преобразу­ются в эквивалентное процентное отклонение и воздействуют на MF (фактор Монте- Карло), который, в свою очередь умножается на величину сопротивления с учетом тем - пературных факторов.

MF= 1 ± <разброс в процентах DEV или LOT>/100

Если значение разброса в % (LOT или DEV) равно нулю или анализ по методу Мон­те-Карло не используется, то MF-фактор устанавливается в единичное значение и не воздействует на окончательную величину сопротивления резистора Rvalue (рис. 5.4).

Рис. 5.4. Модель резистора Окончательно сопротивление резистора Rvalue вычисляется по формуле:

Rvalue = <сопротивление> R-TF-MF Шумы резистора

Резистору свойственно напряжение шума, которое возникает из-за неупорядоченно­го теплового движения носителей заряда. Спектральная плотность теплового шумового тока резистора рассчитывается по формуле Найквиста:

A

I - N M ...14 • •

Rvalue 4hZ

62

C<umh> <узел +> <узел -> [имя модели] ,,C1

+ [емкость] [\С=<начальное напряжение>]

Пример: C2

C2 7 8 1 10P\C=2

.1m C3

Атрибут PART: <имя> — позиционное обозначение или произ- + 11 вольное имя компонента. 1 E-3

NM представляет собой масштабный коэффициент шумового тока и является мо­дельным параметром. Установка его в нулевое значение приводит к тому, что все рези­сторы, имеющие заданную модель не вносят вклад в общий шум схемы.

Примеры задания резисторов и их атрибутов см. в схемных файлах resistors.cir, re- sistorjreq.cir. из папки Components\Passive Comp (book-mc.rar).

2.4.4 Конденсатор (Capacitor) Формат SPICE

Capacitor

Формат схем Micro-Cap (рис. 5.6)

Примеры: Рис. 5.5. УГО

C5 конденсатора

XC16

Атрибут CAPACITANCE: <емкость> [Ю^начальное напряжение>]

Если <емкость> определяется в виде выражения, содержащего переменные со­стояния схемы, то это выражение используется только при анализе во временной об­ласти. Например, выражение, записанное в позиции CAPACITANCE 1n+V(10)*2n, со­держащее значение потенциала узла 10, будет использовано при анализе переходных процессов, при расчете режима по постоянному току перед выполнением малосигналь­ного частотного анализа (AC), и при расчете передаточных характеристик по постоянно­му току (DC).

В режиме малосигнального частотного анализа (AC) зависимость рассматриваемой емкости от потенциала V( 10) не принимается во внимание. Если в рабочей точке по по­стоянному току значение потенциала узла 10 оказалось равным 2В, то емкость рассмат­риваемого конденсатора во время проведения частотного анализа будет равной 1n+2*2n=5n.

Ю=<начальное напряжение> — присваивает начальное значение напряжению на конденсаторе. Примеры: 1U

110P \C=3

50U*(1+V(6)/100)

1N/(1+V(C1)A2)

. Атрибут CHARGE: [заряд] Пример: ATAN(V(C1))

Если поле атрибута CHARGE [заряд] заполняется, то оно должно быть выражением, включающем переменные состояния схемы, такие как, например, напряжение на кон­денсаторе и другие, возможно символьные переменные, определенные директивами (.define или .param).

63

В вИ . -л . гл й гу ж 11 № • ав | as l o B G л I

• JrJH . .. r щщ: si. ii f

npgtrce vs. Froany

I-K UK 1CCK 1M КМ КШ 1G 1CG 1CCG

1 F(Hb)

л]njx] ["■

I MODEL р Show

Value

| CAP_MOD_C1 л 5 h ™ ch a n 5 e |

-Display

1 Pin Markers V Pin Names V Pin Numbers (7 Current W Power !•/ Condition Color

ec m

COST = POWER=

5HAPEGROUP=Default

Urn

Font , I Add Delete | Browse,,. | Combinations |

IBIS,..

W Enabled Г Help Bar

So, tiT.: гг,- text aea of CMC£^C|LIVD9_Ff5i05_Mqde^D5_ne[o^E.Cna С 11 ЮГ=Ш, LS fiN RP fHEG

RS ~C2 TABS | undehed TVEABLffD | undefined

TRE1GOEAL | unde^ TRELJOCA. | unde^ tci fo

VC5, Ifr

Рис. 5.6. Окно задания параметров конденсатора

Правила использования выражений в полях атрибутов CHARGE и CAPACITANCE

  1. Может быть использован любой из атрибутов [емкость] или [заряд].

  2. Если заполнены поля обоих атрибутов и [емкость] и [заряд], пользователь дол­жен гарантировать, что [емкость] — это производная от [заряда] по напряжению на кон­денсаторе, т.е. [емкость]=6[[заряд])Ш.

  3. Если атрибут [емкость] не задан, а атрибут [заряд] задан, Micro-Cap создаст вы­ражение для вычисления емкости путем взятия производной от заряда по напряжению: C=dQ/dV.

  4. Если [емкость] задается в виде выражения C(V), и [заряд] не определяется, Micro- Cap создает эквивалентную схему, содержащую источник тока величиной C(V)*DDT(V). В этом случае, заряд конденсатора всегда будет равен нулю. Во всех других случаях, пере­менная заряда конденсатора Charge — доступна.

  5. Если [заряд] определяется, выражение для него должно включать напряжение на конденсаторе. Даже для постоянной емкости, Q(C)=C*V(C).

  6. Если [емкость] или [заряд] даются в виде выражений, зависящих от времени, ат­рибут MODEL игнорируется. Емкость и заряд определяются исключительно выражения­ми и на них не оказывают никакого влияния модельные параметры.

  • Атрибут FREQ: [<Р-выражение>].

Если в поле этого атрибута присутствует выражение, то оно при проведении AC- анализа заменяет значение емкости, рассчитанное в рабочей точке по постоянному то­ку. Т.е. если в этой позиции набрано частотно-зависимое выражение, например 1n+1E- 9*V(1,2)*(1+1Cm*log(f)), то оно при проведении малосигнального частотного анализа (AC) заменяет значение атрибута CAPACITANCE. Например, в вышеприведенном выра­жении для атрибута FREQ F обозначает независимую переменную AC-анализа — час­тоту, a V(1,2) — малосигнальное напряжение между узлами 1 и 2. При расчете переход­ных процессов и передаточных характеристик по постоянному току емкость конденсата - ра будет определяться значениями атрибутов CAPACITANCE и CHARGE, незави­симо от наличия и значения атрибута FREQ.

  • Атрибут MODEL: [имя модели]

. Назначение остальных атрибутов COST, POWER, SHAPEGROUP, PACKAGE — ана­логично ранее рассмотренным для резистора (см. 5.2.1).

*

Plot:AC Analysi

Capacitor

pedance vs F

/

Cancel

/

j Syn

| Help

Single

64


Представленные УГО конденсатора (рис. 5.5), показывают разновидности значений атрибута SHAPEGROUP: C1 - main; C2 - electrolytic; C3 - polarity.

Формат текстовой директивы модели конденсатора

.MODEL <имя модели> CAP ([параметрымодели])

Параметры модели конденсатора приведены в табл. 5.2.

Примеры:

.MODEL CMOD CAP(C=2.0 L0T=10% VC1=2E-3 VC2=.0015)

.MODEL CEL CAP(C=1.0 L0T=5% DEV=.5% T_ABS=37)

Если [имя модели] задано и модельные параметры определены тем или иным спо­собом (в библиотеке или текстовой директиве), то они используются при анализе. Одна­ко, если при этом определен один из атрибутов [емкость] или [заряд] в виде выражений, зависящих от времени, тогда значение атрибута MODEL игнорируется.

Квадратичная зависимость емкости от напряжения

Если в окне атрибутов используется [имя модели], то значение, записанное в строке атрибута CAPACITANCE умножается на QF-фактор для вычисления емкости конден­сатора, зависящей от напряжения на его выводах:

QF = 1+ VC1-V + VC2-V2

Эта возможность оставлена в программе Micro-Cap для сохранения совместимости с версией языка SPICE 2G.

Температурная зависимость емкости

Температурная зависимость емкости подобна температурной зависимости сопро­тивления, задается значениями 2-х модельных коэффициентов TC1 и TC2. В случае за­дания [имени модели] в окне атрибутов, <емкость> в строке атрибута CAPACIT­ANCE домножается на значение TF-фактора, который вычисляется по формуле:

TF = 1+TC1-(T-Tnom)+TC2 (T-Tnom)2 Таблица 5.2. Параметрымодели конденсатора

Обозначени е

Содержание

Размерн ость

Значени

е по умолчан ию

с

Масштабный множитель емкости

1

LS

Последовательная индук­тивность

Гн

0

RP

Параллельное сопротивле­ние

Ом

да

RS

Последовательное сопро­тивление

Ом

0

VC1

Линейный коэффициент зависимости от напряжения

в-1

0

VC2

Квадратичный коэффици­ент зависимости от напря­жения

в-2

0

65


2.4.5 Катушка индуктивности (Inductor)

Формат SPICE

1<имя> <узел +> <узел -> [имя модели] + [индуктивность] [Ю=<начальный ток>]

ПрИМерЬК Inductor

11 2 3 11U L2 7 8 11CP IC=2

ТС1

Линейный температурный коэффициент емкости

°с-1

0

ТС2

Квадратичный температур­ный коэффициент емкости

°с-2

0

T_MEASURED

Температура измерения

°С

T_ABS

Абсолютная температура

°С

T_RE L_G LO BAL

Относительная температу­ра

°С

Разность между темпера­

T_REL_LOCAL

турой устройства и модели- прототипа (AKO)

°С

Рис. 5.7. Модель конденсатора Разброс емкости

Задается так же, как и разброс сопротивления в модельной строке с помощью клю­чевых слов LOT или DEV для любых параметров модели, за исключением температур­ных. В вычислении значения емкости учитывается домножением на MF-фактор, вычис­ляемый по формуле:

MF=1 ± <разброс в процентах DEV или LOT>/100

Окончательное значение емкости конденсатора при задании в окне атрибутов [имени модели] Cvalue (рис. 5.7) определяется выражением:

Суа1ие=<емкость> • C- QF- TF- MF= =<емкость> -С-(1 +VC-V+VC2- V2)[ 1+TC1(T-TNOM)+ TC2(T-TNOM) 2]MF.

Шумы конденсатора

Если заданы модельные параметры RS и RP, то указанные резисторы рассматри­ваются как источники теплового шума:

IRS =

4 • k • T RS

IRP =

4 • k • T RP

l 1 l2

л т п -

+30U" 1E-4 Рис. 5.8. УГО индуктивности

Формат схем Micro-Cap (рис. 5.9) Атрибут PART: <имй>

л

66


Примеры: L5, L1

  • Атрибут INDUCTANCE <индуктивность> [1С=<начальныйток>]

Если <индуктивность> определяется в виде выражения, содержащего переменные состояния схемы, то оно используется только при анализе во временной области. На­пример, выражение, записанное в позиции INDUCTANCE 1U/(1+I(L2)A2), содержащее ток катушки L2, будет использовано при анализе переходных процессов, при расчете режи­ма по постоянному току перед выполнением малосигнального частотного анализа (AC), и при расчете передаточных характеристик по постоянному току (DC). В режиме мало­сигнального частотного анализа (AC) зависимость рассматриваемой индуктивности от тока I(L2) не принимается во внимание. Если в рабочей точке по постоянному току зна­чение тока через катушку L2 оказалось равным 2A, то рассматриваемая индуктивность во время проведения частотного анализа будет принята равной 1U/(1+2A2)=0.2U.

IC=<начальный ток> — присваивает начальное значение току через катушку в ре­жиме анализа переходных процессов, если флажок Operating Point сброшен.

Примеры:

1U

110U IC=3

1U/(1+I(L2)A2)

  • Атрибут FLUX: [магнитный поток]

Пример:

1u*ATAN(I(L2))

При задании атрибута FLUX должно быть указано выражение, включающее пере­менные состояния катушки, такие как ток через нее и возможно, другие символьные пе­ременные, определяемыедирективами .define или .param.

Рис. 5.9. Окно задания параметров катушки индуктивности

Правила использования выражений для атрибутов FLUX и INDUCTANCE

  1. Должно быть задано хотя бы одно выражение либо [индуктивности] либо для [магнитного потока].

  2. Если заданы оба значения как [индуктивности], так и [магнитного потока] в ви­де выражений, зависящих от времени, пользователь должен гарантировать, что [индук­тивность] является производной [магнитного потока] по току через катушку: [индук- тивностьА([магнитный nomoK])/d I

67

  1. Если [индуктивность] не задается, а [магнитный поток] представляет собой выра­жение, зависящее от времени, Micro-Cap создаст выражение для индуктивности путем диф­ференцирования магнитного потока по току катушки: L=dX/dI.

  2. Если [индуктивность] является выражением, зависящим от времени, а [магнит­ный поток] не задается, Micro-Cap создаст эквивалентную схему для катушки, состоя­щую из источника эдс величиной L(I)*DDT(I).

  3. Если [магнитный поток] представляет собой выражение, зависящее от времени, то оно должно включать в себя ток через катушку. Даже для линейной катушки X(L)=L*I(L).

  4. Если [индуктивность] или [поток] заданы выражением во временной области, атрибут MODEL не принимается во внимание и катушка не может быть связана с K- сердечником, т.е. обладать взаимной индуктивностью. Индуктивность и поток опреде­ляются исключительно выражениями во временной области и на них не могут оказывать влияние модельные параметры.

Выражение, зависящее от времени, представляет собой любое выражение, исполь­зующее переменные, которые изменяются в течение проведения моделирования, такие как V(L1) или I(L2).

  • Атрибут FREQ: [<F-выpaжeнue>].

Пример:

1.2mh+5m*(1+log(F))

Если в поле этого атрибута присутствует выражение, то оно при проведении AC- анализа заменяет значение индуктивности, рассчитанное в рабочей точке по постоян­ному току с помощью выражения в поле атрибута INDUCTANCE. Т.е. если в этой по­зиции набрано частотно-зависимое выражение, например 10mh+I(L1)*(1+1E-9*f)/5m, то оно при проведении малосигнального частотного анализа (AC) заменяет значение атри­бута INDUCTANCE. Например, в вышеприведенном выражении для атрибута FREQ F обозначает независимую переменную AC-анализа — частоту, a I(L1) — малосигналь­ный ток через катушку L1. При расчете переходных процессов и передаточных характе­ристик по постоянному току индуктивность будет равна значению атрибута INDUC­TANCE независимо от наличия и значения атрибута FREQ.

  • Атрибут MODEL: [имя модели]

. Назначение остальных атрибутов COST, POWER, SHAPEGROUP, PACKAGE — ана­логично ранее рассмотренным для резистора (см. 5.2.1).

Представленные УГО катушки индуктивности (рис. 5.8), показывают разновидности значений атрибута SHAPEGROUP: L1 - main; L2 - Rus (доработка авторов). Формат текстовой директивы модели индуктивности

.MODEL <имямодели> IND ([параметрымодели])

Примеры:

.MODEL LMOD IND (L=2.0 LOT=10% IL1=2E-3 IL2=.0015)

.MODEL L_W IND (L=1.0 LOT=5% DEV=.5% T_ABS=37)

Параметры модели индуктивности приведены в табл. 5.3.

Если в окне атрибутов катушки [имя модели] опущено, то её индуктивность равна <индуктивности> в Генри, записанному в строке атрибутов INDUCTANCE. В против­ном случае индуктивность вычисляется умножением на масштабный коэффициент ин­дуктивности L ина коэффициенты факторов, перечисленных ниже.

68

Квадратичная зависимость индуктивности от тока

Если в окне атрибутов используется [имя модели], то значение, записанная в строке атрибута INDUCTANCE умножается на QF-фактор для вычисления индуктивности ка­тушки, зависящей от тока в ней:

QF = 1+ IL1-I + IL2-I2

Эта возможность оставлена в программе Micro-Cap для сохранения совместимости с версией языка SPICE 2G.

Температурная зависимость индуктивности

Температурная зависимость индуктивности подобна температурной зависимости со - противления и емкости (см. 5.2.1, 5.2.2). Задается значениями двух коэффициентов — TC1 и TC2. В случае задания [имени модели] в окне атрибутов, <индуктивность> в строке атрибута INDUCTANCE домножается на значение TF-фактора, который вычисля­ется по формуле:

TF=1+TC1 •(T-Tnom)+TC2-(T-Tnom)2 Таблица 5.3. Параметры модели индуктивности

Обозначение

Содержание

о X

о Го

о

CL

S X

О 3- с ш

о

>

L

Масштабный множитель индуктивно­сти

1

CP

Параллельная емкость

Ф

0

RS

Последовательное сопротивление

Ом

0

IL1

Линейный коэффициент зависимости от тока

А-1

0

IL2

Квадратичный коэффициент зависи­мости от тока

А-2

0

TC1

Линейный температурный коэффици­ент индуктивности

° с - 1

0

TC2

Квадратичный температурный коэф­фициент индуктивности

° с - 2

0

T_MEASURED

Температура измерений

° с

T_ABC

Абсолютная температура

° с

T_RE L_G LO BAL

Относительная температура

° с

T_REL_LOCAL

Разность между температурой уст­ройства и модели-прототипа (AKO)

° с

Рис. 5.10. Модель катушки индуктивности

69

2.4.6 Взаимная индуктивность и магнитный сердечник (К) Формат SPICE

К<имя> L<umh катушки> <L<umh катушки»* коэффициент связи> К<имя> L<umh катушки>* коэффициент связи> <имя модели> Примеры:

K1 L1 L2 .98

K1 L1 L2 L3 L4 L5 L6 .999 Формат схем Micro-Cap (рис. 5.12, 5.13) Атрибут PART: <имя> Пример: K1

Атрибут INDUCTORS: <имя катушки> <имя ка- Пример: L1 L2 L3

к

AeeeeAki

MODEL=

t= ===± K2

MODEL=N97

уго

Из-за наличия паразитных параметров частотная характеристика катушки индуктив­ности может иметь резонансный пик (см. рис. 5.9).

Разброс индуктивности

Задается так же, как и разброс сопротивления в модельной строке с помощью клю­чевых слов LOT или DEV для любых параметров модели, за исключением температур­ных. При расчете значения индуктивности учитывается умножением на MF-фактор, вы­числяемый по формуле:

MF=1 ± <разброс в процентах DEV или LOT>/100

Окончательное значение индуктивности катушки Lvalue (рис. 5.10) при задании в ок­не атрибутов [именимодели] определяется выражением:

Lvalue = < индуктивность>- L- QF- TF-MF= =<UHdyKmu6H0cmb>L(1+IL1-I+IL2-I2)[1+TC1(T-TNOM)+TC2-(T-TNOM)2]-MF.

Шумы катушки индуктивности

Если в параметрах модели задано паразитное последовательное сопротивление RS, то оно рассматривается как источник теплового шума, задаваемый в виде спектральной плотности шумового тока:

IR.S

V RS

рис

тушки>*

магнитного

сердечника

  • Атрибут COUPLING: <коэффициент связи> Пример: 0.99

  • Атрибут MODEL: [имя модели] Пример: K_3C8

Порядок перечисления имен индуктивностей Lyyy, Lzzz ... не имеет значения, знак взаимной индуктивности определяется положительными направлениями токов индук­тивностей относительно начал обмоток. Параметром взаимной индуктивности является коэффициент связи.

На одном сердечнике помещается одна или несколько обмоток с именами Lyyy, Lzzz... Все обмотки имеют одинаковое значение коэффициента связи>. При хорошей магнитной связи, осуществляемой посредством замкнутого ферромагнитного сердечни­

70


ка, величина коэффициента связи находится в пределах 0.98...0.999. Единичное значе­ние коэффициента связи соответствует 100%-ной магнитной связи между обмотками, что является эквивалентом отсутствия индуктивностей рассеивания. При задании магнитной связи возможны 2 варианта:

  • магнитосвязанные индуктивности линейны;

  • магнитосвязанные индуктивности нелинейны (имеется нелинейный магнитный сер­дечник, определяемый моделью типа CORE).

Выбор нелинейного или линейного магнитного сердечника зависит от моделируемо - го электронного устройства. Если нелинейные явления в сердечнике (гистерезис и на­сыщение) являются принципиальными для работы устройства (например, в ключах на магнитных усилителях и магнитных реакторах), то используется нелинейный сердечник, если же — нет, (например импульсный или сетевой трансформатор), то используется линейный сердечник.

Магнитосвязанные линейные индуктивности.

Если при описании взаимной индуктивности и магнитного сердечника К (рис. 5.12) не задан атрибут MODEL, то расчеты проводятся для линейных индуктивностей.

Рис. 5.12. Окно задания параметров линейного сердечника Коэффициент связи Ki/ двух обмоток (i, j) определяется выражением

м„

к

где U, Lj — индуктивности обмоток; Mj — их взаимная индуктивность.

Напряжение на катушке L, с учетом взаимной индукции определяется выражением:

Ui = +ы/-А+м,А+...,

dt dt dt

где h — ток, втекающий в вывод (+) обмотки (помечен на схеме точкой).

В этом случае при вводе в схему связанных индуктивностей посредством вставки элемента K, в открывающемся окне параметров задается лишь позиционное обозначе­ние сердечника KN, позиционные обозначения всех катушек индуктивности (INDUCTORS) с которыми он связан и коэффициент связи (COUPLING) (см. рис. 5.12).

71

Рис. 5.13. Окно задания параметров нелинейного сердечника

Следовательно, в случае использования нелинейного магнитного сердечника, вели- чина, задаваемая в позиции INDUCTANCE катушки индуктивности, не может быть выра- жением, а должна быть целым положительным числом.

Параметры модели магнитного сердечника приведены в табл. 5.4.

Таблица 5.4. Параметры модели магнитного сердечника

Магнитосвязанные катушки с нелинейным магнитным сердечником

Если при описании взаимной индуктивности и магнитного сердечника К (рис. 5.13) задан атрибут MODEL (указана модель сердечника), то расчеты проводятся для нели­нейных индуктивностей.

Следует обратить внимание, что при этом изменяется смысл параметра <индуктив­ность> для магнитосвязанных катушек индуктивности Lxxx, перечисленных в поле па­раметра INDUCTORS. Теперь при описании каждой обмотки Lxxx численное значение, задаваемое в позиции INDUCTANCE окна параметров катушки индуктивности определя­ет не индуктивность, а число витков соответствующей обмотки сердечника.

Обознач ение

Содержание

Разм

ер- ноет ь

Значени

е по умолчан ию

AREA

Площадь поперечного сечения маг­нитол ровода

см2

1

PATH

Средняя длина магнитной силовой линии

см

1

GAP

Ширина воздушного зазора

см

0

MS

Намагниченность насыщения

А/м

400-103

A

Параметр формы безгистерезисной кривои намагничивания

А/м

25

С

Постоянная упругого смещения до­менных границ

0.001

К

Постоянная необратимой дефор­мации доменных стенок

А/м

25

72


Список связанных индуктивностей в окне задания параметров сердечника может включать даже единственную катушку.

Пример задания и моделирования магнитосвязанных катушек с линейным и нели­нейным сердечниками см. в схемном файле Core3.cir из каталога Components\Passive Comp (book-mc.rar).

Формат текстовой директивы модели сердечника:

.MODEL <имя модели> CORE (параметрымодели)

Примеры:

.MODEL K1 CORE (Area=2.54 Path=.54 MS=2E5)

.MODEL K2 CORE (MS=2E5 LOT=25% GAP=.001)

Особенности модели магнитного сердечника

В Micro-Cap в качестве модели магнитного сердечника используется модель Джилса- Атертона, которая не учитывает изменение параметров магнитного сердечника в зави­симости от частоты (более подробно см. в 11.1). В этой модели петли гистерезиса для разных уровней перемагничивания магнитного материала (значений Hm), базируются на безгистерезисной кривой, которая строится в предположении отсутствия эффектов де­формации и вращения векторов намагниченности доменных структур ферромагнетика. Сами же гистерезисные зависимости M(H) или B(H), получаются на основе этой кривой с использованием дифференциального уравнения процесса (аналогичного сухому трению в механике), характеризующегося постоянной коэрцитивной силы K.

Параметры модели магнитного сердечника имеют сложную и далеко не очевидную связь со справочными параметрами реальных магнитных материалов. Для расчета па­раметров модели используется пункт меню MODEL.

Для выяснения влияния параметров модели магнитного сердечника A, K, C на кри­вую петли гистерезиса можно загрузить пример core.cir из каталога Components\Passive Comp (book-mc.rar) и запустить анализ переходных процессов. Затем можно организо­вать многовариантный анализ при изменении модельных параметров. Влияние увели­чения каждого модельного параметра представлено в табл. 5.5:

Таблица 5.5. Качественная оценка связи физических параметров сердечника и параметров модели

Параметр

М

HC

BR

A

-

+

+

K

+

+

C

+

-

-

В таблице у — дифференциальная магнитная проницаемость; HC — величина коэрци­тивной силы; BR — величина остаточной индукции.

Построение графиков напряженности поля H и магнитной индукции B

В окне задания параметров анализа переходных процессов (Transient Analysis Limits) в графе Y expression можно задавать построение графиков магнитных величин в сер­дечнике следующим образом:

B(L1) — построение графика зависимости индукции B в сердечнике катушки L1 в единицах системы СГС (гаусс);

73

H(L1) — построение графика зависимости напряженности магнитного поля H в сер­дечнике катушки L1 в единицах системы СГС (эрстед);

BSI(L1) — построение графика зависимости индукции B в сердечнике катушки L1 в единицах системы СИ (тесла);

HSI(L1) — построение графика зависимости напряженности магнитного поля H в сердечнике катушки L1 в единицах системы си (A/m).

74