- •2.4. Залежність напруженості поля і електростатичного потенціалу від віддалі в запірному шарі і від концентрації електронів в об`ємі напівпровідника
- •2.5. Зміна зонної схеми контакту напівпровідник-метал при накладенні постійного зовнішнього поля
- •2.6. Товщина запірного шару
- •2.3. Теорія випрямлення на контакті напівпровідник-метал
- •1.Фізичні процеси в затемненому р-n-переході
- •Розподіл густини об’ємного заряду та концентрації носіїв заряду в р-n-переході
- •1.2 Зонна схема рівноважного стану р-n переходу. Контактна різниця потенціалів в р-n-переході
- •1.3 Розподіл напруженості поля і електростатичного потенціалу в р-n-переході
- •1.4 Вольт-амперна характеристика тонкого р-n переходу
- •1.5 Генерація і рекомбінація носіїв в області об’ємного заряду
- •2.1 Фотовольтаїчний ефект в напівпровідниках з електронною неоднорідністю. Струм короткого замикання і напруга холостого ходу
- •2.2 Вах освітленого фотоелемента.
- •2.3 Вплив послідовного і шунтуючого опору на вольт-амперну характеристику сонячного елемента
- •1.9. Ефективність роботи фотоперетворювача
2.2 Вах освітленого фотоелемента.
Вираз для ВАХ освітленого переходу можна отримати, якщо скористатись представленням про те, що струм, який через нього протікає, представляє собою різницю між генераційними і рекомбінаційними струмами при освітленні і прикладанні напруги U:
. (2.13)
Індекс l в позначенні струму означає світлове його значення. Величина генераційного струму залежить в основному від інтенсивності падаючого світла і слабо змінюється при зміні напруги на переході. Величина рекомбінаційного струму, навпаки, майже не залежить від інтенсивності фото- збудження. Наприклад, при прямій полярності напруги величина рекомбінаційного струму визначається концентраціями носіїв заряду, які під дією цієї напруги перейшли з області, де вони були основними носіями, в ту область переходу, де вони стають неосновними. Враховуючи те, що освітлення не суттєво підвищує концентрацію основних носіїв заряду в кожній із областей р-n-переходу, маємо
. (2.14)
(2.13) перепишемо в такому вигляді
. (2.15)
Тут
, (2.16)
являється величиною фотоструму, який протікає через освітлюваний фотоелемент, який знаходиться при напрузі U, а величина
; (2.17)
являє собою струм насичення, який вимірюється при відсутності фотозбудження і достатньо великій величині напруги U зворотної полярності. Формули (2.15) і (2.16) дають можливість зрозуміти, як змінюється з температурою та інтенсивністю збуджуючого світла струм короткого замикання
; (2.18)
і напруга холостого ходу, визначається рівнянням
. (2.19)
Видно, що із зростанням температури фотоперетворювача теплова генерація вільних носіїв струму стає більш інтенсивною і величина зростає, а Isc та Uoc при цьому зменшується. Ефективність роботи фотоелемента з підвищенням його температури падає. З іншої сторони, збільшення інтенсивності збуджуючого світла збільшує швидкість оптичної генерації електронно-діркових пар, що призводить до збільшення Isc та Uoc у відповідності з формулами (2.18) та (2.19).
ВАХ, яка описується (2.15) зображена на рис. 2.3. Слід звернути увагу на те, що деяке зменшення генераційного струму з ростом напруги прямої полярності створює ситуацію, коли величина фотоструму, який протікає через перехід, може бути меншою від величини темнового струму, який реєструється при відповідній напрузі на переході.
В подальшому будемо вважати, що генераційний струм не залежить від напруги. Тоді виконується рівність
. (2.20)
Використовуючи цю рівність і формули (2.15), (2.19), можна отримати залежність струму елемента від прикладеної до нього напруги і ЕРС холостого ходу:
. (2.21)
Змінюючи величину опору навантаження, можна отримати від освітленого елемента напругу, яка змінюється в межах від 0 до Uoc. Існує деяка оптимальна величина опору навантаження фотоперетворювача, при якій потужність його максимальна. Нехай в умовах максимальної потужності фотоелемент розвиває напругу Um при струмі Іm (рис. 2.3). Відношення між Um та Uoc можна знайти із умови
. (2.22)
Це дає
. (2.23)
Таким чином, кожному значенню ЕРС холостого ходу відповідає визначена величина Um. Визначивши струм Im, який відповідає напрузі Um, можна визначити максимальну потужність фотоелемента Pm= ImUm.
Величина
; (2.24)
називається коефіцієнтом заповнення ВАХ.
Рис. 2.3. ВАХ р-n переходу при освітленні (крива 1) і при затемненні (крива 2).