Перевірка електролітичних конденсаторів

Е лектричні випробування передбачають спостереження за зарядом конденсатора від гальванічних елементів омметра (тестера) і вимір струму витоку конденсатора за схемою на рис.1.

Перевірка електролітичних конденсаторів за допомогою тестера.

1. Підготувати "тестер" для вимірювання великих опорів;

2.Під'єднати провідники тестера до конденсатора таким чином, щоб плюсовий вивід омметра тестера був під'єднаний до плюсового виводу конденсатора. Якщо конденсатор справний, то стрілка приладу спочатку відхилиться праворуч, а далі відносно повільно буде рухатись вліво і встановиться на одній з поділок ділянки шкали 200-1000кОм. Якщо конденсатор втратив ємність або має значний витік, то в першому випадку стрілка приладу майже не відхилиться праворуч, в другому - відхилиться майже до нуля, а надалі зупиниться навпроти проділки, розміщеної на ділянці 0 - 10 кОм. Наочне зображення величини витоку конденсатора дає струм його підзаряжання. Якщо зарядити конденсатор, а тоді відключити його від джерела живлення, то внаслідок недоліків ізоляції між обкладками напруга на конденсаторі з часом зменшиться. Щоб досягти попереднього значення напруги, потрібно підзарядити конденсатор. Чим більший струм необхідний для встановлення першопочаткової напруги на конденсаторі, тим більше енергії втратив конденсатор при саморозряджанні і тим більше його струм витоку.

ВИПРОБУВАННЯ ЕЛЕКТРОЛІТИЧНИХ КОНДЕНСАТОРІВ НА ВИТІК МЕТОДОМ ПІДЗАРЯЖЕННЯ

1. Підготувати "тестер" для виміру опорів на шкалі R_х 100.

2. Під'єднати провідники тестера до конденсатора ( згідно з полярністю конденсатора) і чекати, поки стрілка приладу не встановиться на одній з крайніх відміток лівої частини шкали. Після цього від'єднати від конденсатора на декілька секунд один з провідників приладу і знову приєднати його до конденсатора. Відмітити кидок стрілки праворуч. Чим більший кут, на який відхилиться стрілка при підзарядці конденсатора, тим більший струм витоку.

Випробування транзисторів

Т ранзистор може мати р-n-р або n-р-n структуру з двома електронно-дірковими переходами, тому схематично його можна зобразити у вигляді комбінації двох з'єднаних між собою напівпровідникових діодів (рис.2 а, б). Букви р і n позначають типи напівпровідників: р (від слова posіtіve-позитивний) напівпровідник з надлишком дірок і n (від слова negatіve - негативний) - напівпровідник з надлишком електронів.

Кожний з діодів пропускає струм за умови прикладання до нього позитивної напруги до анода, негативної до катода. З рис.2 а, б видно, що в тріодах структури р-n-р опори емітерного і колекторного переходів малі, коли прикладена напруга, негативно звернена до бази, а в тріодах структури n-p-n навпаки, опори переходів малі, коли прикладена напруга, звернена до бази позитивно. Для правильного під’єднання напівпровідникового тріода необхідно знати розміщення його виводів. Якщо ці дані відсутні, то їх можна отримати шляхом виміру опорів між виводами електродів транзистора. Найбільш простий і розповсюджений спосіб перевірки тріода полягає у вимірі прямих і обернених опорів його емітерного і колекторного переходів. Схеми, які пояснюють процес випробування тріодів структур p-n-p і n-p-n, наведені на рис.3 а...г.

Т ріоди малої потужності вважають справними, якщо обернені опори їх переходів перевищують прямі опори в тисячі і десятки тисяч раз, а тріоди середньої потужності вважають справними, якщо обернені опори їх переходів перевищують прямі опори в сотні і тисячі раз. Щоб виключити промахи у відбиранні доброякісних тріодів, необхідно транзистори додатково перевірити, вимірявши опір між емітером і колектором. Ці виміри виконуються в два при-

й оми: спочатку при безпосередньому з’єднанні бази з емітером (рис.4),а тоді при безпосередньому з’єднанні бази з колектором (рис.5). Якщо транзистор справний, то в першому випадку омметр покаже великий опір (десятки або сотні кОм), а в другому випадку - малий (десятки, або сотні Ом).