- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
2.7 Оборудование для контактной фотопечати
Установки бывают: контактной и проекционной фотопечати. Установки контактной фотопечати применяются в тех случаях, когда к разрешающей способности и качеству получаемых на пластинах рисунков предъявляют сравнительно низкие требования.
Существенный недостаток - быстрый износ фотошаблонов из-за контакта с п/п.
Чем сложнее структура м/с тем меньше дефектов должно быть на фотошаблоне, а также фотошаблоны из-за сложности рисунков быстрее выходят из строя и изготовление их довольно долгое. Установка ЭМ-576 служит как для контактной фотопечати (экспонирования), так и для фотопечати с зазором, может эксплуатироваться автономно или в линии фотолитографии и состоит из стола
Компоновочная схема эм-576
1 - кассета
2,9 - пневмолоток
3 - позиция предварительной ориентации
4 - планка
5,6 - ролик
7 - калибратор
8 - вакуумный подложкодержатель
10 - приёмная кассета
Блочная схема эм-576
1 - Узел автоматической загрузки-выгрузки
2 - Микроскоп совмещения
3 - Осветитель
4 - Пульт задачи цикла работы установки
5 - Блок электро-пневматики
6 - Манипулятор
7 – Стол
Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
Трение лишь между сегментом и гнездом в виде полусферы исключает смещение подложки при переключении воздуха и вакуума - разворот незначительный с тремя самоустанавливающимися фиксирующимися опорами
Конструкция сложна и долго внедряется но обеспечивает надёжную фиксацию.
Для уменьшения износа фотошаблона выравнивание поверхности подложки ведут не по всей её поверхности, а лишь по периферийной части. Для этого между подложкой и фотошаблоном вводят калибратор.
После предварительной ориентации п/п перемещается с устройством ориентации до упора в калибратор. Поднятая полупроводниковая пластина удерживается на калибраторе вакуумом. Подвижная каретка позволяет калибратору перемещаться кривошипом и шатуном по направлению в зону совмещения. Положение каретки контролируется датчиком.
Механизм вертикального подъёма
Служит для подъёма или опускания стола с целью создания плотного контакта и заданного зазора с фотошаблоном. Основным элементом задающим зазор является кулачок, имеющий срез в виде горизонтальных площадок, образованных между п/п и ф/ш размеры зазора (от 6 до 50 мкм), каждое положение кулачка контролируется датчиками.
Манипулятор служит для точного перемещения по взаимно перпендикулярным осям X и У.
Шаблонодержатель предназначен для установки фотошаблона (закрепления), некоторого перемещения во взаимно перпендикулярных направлениях и поворота на угол +/-.
Блок экспонирования
В качестве источника осветителя используется ртутно-кварцевая лампа (ДРШ-350) излучение которой рефлектором направляется на зеркало и далее в блок линзовых растров.
1 - лампа
2 - рефлектор
3,5-зеркало
4 - линзовые растры
6 - фотоприёмник
7 - микроскоп
8 – конденсор
9- фотошаблон
10- пластина
Фотоприёмник служит для контроля дозы экспонирующего излучения.
Производительность установка ЭМ – 576 teкcn =5c=160 шт.
Ø 60, 75,100, h = от 0,4 +1,0 мм.
Неравномерность освещённости рабочего поля ф/ш Ø 0 75,100 5-7%.
Усилитель от 12В, лампа 11В, э/д ДПМ 24В, Ф/Д 5В,