
- •Конспект по предмету
- •Раздел 1 Технологический процесс обработки изделий микроэлектроники
- •Устройство для выращивания монокристаллического слитка вытягиванием из расплава:
- •Формирование слоев с заданными свойствами
- •Процессы формирования рисунка методом литографии
- •Формирование рисунка маски из резиста:
- •Последовательность получения оксидной маски на пластине:
- •Последовательность операций при формировании рисунка поликремния:
- •Последовательность получения рисунка алюминиевой коммутации, контактов и затвора в моп-имс:
- •Сборка и монтаж имс
- •Типы и основные характеристики подложек
- •Конструктивно-технологические особенности биполярных имс
- •Структуры биполярной кремниевой имс (а) и интегрального транзистора (б) (все размеры указаны в микрометрах):
- •Структуры конденсаторов для биполярных имс:
- •Электрическая схема (а) и топология (б) логического элемента:
- •1, 5, 7, 8 — Входы; 2 —наиболее положительный потенциал; 3 — выход; 4 — земля
- •Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры имс
- •Основные этапы технологии биполярных имс
- •Технологический процесс формирования биполярных полупроводниковых структур
- •Шаблон, используемый для создания области скрытого слоя коллектора, (а) и набор фотошаблонов для фотолитографии (б):
- •Основные конструктивно-технологические варианты мпд-имс
- •Конструкция мдп-транзистора имс:
- •Структура моп-транзистора, используемая для расчета:
- •Влияние физико-технологических факторов на параметры моп-имс
- •Базовый технологический процесс получения моп-имс
- •Технология моп-имс с кремниевым затвором
- •Основные этапы изготовления моп-имс с кремниевыми затворами:
- •Раздел2 Устройство, принцип работы, наладка и регулировки узлов и механизмов специального технологического оборудования
- •Классификация оборудования.
- •Особенности техники безопасности в п/п производстве.
- •2.2 Оборудование для создания и контроля чистых сред. Наладка и регулировка
- •Пылезащитные камеры с вертикальным ламинарным потоком воздуха для выполнения операций без выделения продуктов химических реакций (а) и с выделением их (б):
- •Приборы для измерения параметров атмосферы производственных помещений
- •Гигрометры: а - волосяной, б - пленочный; 1 - груз, 2 -волос, 3 - стрелка, 4 - неравномерная шкала, 5 - пленочная мембрана
- •Анализатор запыленности:
- •Установки для очистки газов и воды
- •Приборы для измерения давления и расхода
- •Пружинный манометр: 1 - стрелка, 2 - триб, 3, 5 – спиральная и трубчатая пружины, 4 - сектор, 6 - поводок, 7 - держатель, 8 - штуцер
- •Термопарный манометрический преобразователь: 1, 2 - стеклянные трубки и баллон. 3 - платиновый подогреватель, 4 - хромель-копелевая термопара, .5 - цоколи 6 - штырьки
- •Ионизационный манометрический преобразователь:
- •Структурная схема ионизационно-термопарного вакуумметра вит-3:
- •2.3 «Оборудование для механической обработки полупроводниковых материалов»
- •Ориентация с помощью метода световых фигур.
- •Установка для световой ориентации монокристаллов:
- •Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
- •Резка слитков на пластины.
- •«Алмаз 6м»
- •Станок резки слитков "Алмаз-6м":
- •Шпиндель станка "Алмаз-6м":
- •Барабан станка "Алмаз-6м":
- •Привод подачи слитка станка "Алмаз-6м":
- •Станция очистки и перекачки смазочно-охлаждающей жидкости станка "Алмаз-6м":
- •«Шлифовальное оборудование»
- •1 Рельефный слой, 2 трещенковый слой, 3 дислокационный слой, 4 напряженный слой
- •Планетарный механизм для двухстороннего шлифования пластин
- •Кинематическая схема станка двухстороннего шлифования
- •Принципиальная схема автомата снятия фасок
- •Принципиальная схема полуавтомата приклеивания пластин к блоку
- •2.4 Оборудование для химобработки
- •Автомат гидромеханической отмывки
- •Кинематическая схема агрегата (трека) автомата гидромеханической отмывки:
- •Пневмогидравлическая схема установки химической обработки: 1, 4 - ванны, 2 - подогреватель, 3 - насос-эжектор, 5 - поддон, 6 - рассеиватель, 7 - вентили, 8 - электропневматический клапан
- •2.5 Термическое оборудование
- •Схемы реакторов для газовой эпитаксии
- •Реактор установки унэс-2п-ка
- •Система газораспределения эпитаксиальной установки
- •Скруббер установки эпитаксиального наращивания унэс-101
- •Оборудование для диффузии и окисления
- •Камеры загрузки-выгрузки с ламинарным потоком воздуха термической диффузионной установки
- •Нагревательная камера термической диффузионной установки
- •Установка термической диффузии адс-6-100
- •Нагреватель диффузионной установки
- •Функциональная схема автоматической системы регулирования температуры термической диффузионной установки
- •Устройство загрузки-выгрузки подложек в реакционную трубу
- •Программатор время - команда
- •1.2. Основные технические данные.
- •1.3. Устройство пвк
- •1.4. Работа пвк
- •2. Меры безопасности
- •Время-параметр
- •1.2. Основные технические требования
- •1.3. Устройство
- •1.4. Работа
- •2.6 Оборудование для элионной обработки
- •Установки для нанесения тонких пленок в вакууме
- •Метод термического испарения
- •Метод распыления материалов ионной бомбардировкой
- •Испарители
- •Способы ионного распыления для осаждения тонких пленок
- •2.7 Оборудование для контактной фотопечати
- •Компоновочная схема эм-576
- •Блочная схема эм-576
- •Механизм выравнивания поверхности подложки и фотошаблона
- •2.8 Оборудование для проекционной фотопечати
- •Привод подъема стола.
- •Система совмещения.
- •Система автофокусировки.
- •2.9 Оборудование для нанесения и проявления фоторезиста
- •Устройство нанесения фоторезиста:
- •2.10 Сборочное оборудование
- •Установка резки алмазными кругами:
- •Узел крепления алмазного круга:
- •Установка монтажа кристаллов эм-438а
- •Кинематическая схема установки эм-438а
- •Автомат присоединения кристаллов эм-4085
- •Назначение микроскопа мт-2
- •Технические данные
- •Устройство и работа микроскопа
- •Устройство и работа составных частей микроскопа
- •Оборудование для разварки межсоединений эм-4020б
- •Последовательность монтажа проволочных перемычек
- •Механизм микросварки
- •Механизм микросварки
- •Координатный стол микросварочной установки проверка технического coctояhия
- •Возможные неисправности и методы их устранения
- •Оборудование для герметизации интегральных микросхем
- •Способы герметизации металлостеклянных и металлокерамических корпусов ис
- •Функциональная схема герметизации
- •Установка угп-50 для герметизации интегральных микросхем пластмассой
- •Раздел 3 Устройство, принцип работы наладка, регулировка специального технологического оборудования
- •Тема 1. Износ деталей машин.
- •Тема 2. Система планово-предупредительного ремонта (ппр).
- •Виды ппр.
- •Периодичность ремонта и нормы простоя оборудования при ремонте.
- •Организация ремонтного обслуживания цехах, участках и на предприятии.
- •Раздел 4 Ремонт специального технологического оборудования Основы технологии ремонта то
- •Алгоритм диагностики схемы синхронизации
- •Раздел 5 Контрольно-измерительное и испытательное оборудование
- •Контактирующее устройство зондовых установок эм-6010:
- •Устройство зондовой установки эм-6010
Ориентация с помощью метода световых фигур.
Этот способ нашел мировое применение ориентации слитков. Метод заключается в следующем: если предварительно отшлифованный торец слитка протравить в селективном травителе, то на нем образуются фигуры травления в виде ямок и выступов. Последние имеют четкую огранку, соответствующую строению кристаллической решетки. Падающий на торец слитка узкий пучок света отражается от грани ямок и попадает на полупрозрачный экран, на котором наблюдаются отраженные фигуры. В зависимости на сколько сильно отклоняется кристаллографическая плоскость от плоскости торца слитка, фигура, образованная отраженным пучком света, будет отстоять ближе или дальше от центра экрана.
Установка для световой ориентации монокристаллов:
1- держатель, 2 - угломерная головка, 3 - подвижная плита, 4,11,13— ручки поворота, подъема экрана и регулирования интенсивности освещения шкалы, 5 - корпус, 6, 9 - ручки регулирования светового луча, 7, 8 – ручки регулирования диафрагмы объектива, поворота верхнего зеркала; 10 - ручка цангового зажима, и поворота зеркала наблюдения, 12- панель электрического блока, 14 – кожух, 15 – ориентируемый образец
Оптическая система установки световой ориентации монокристаллов:
1 - источник света, 2 - конденсор, 3 - сменная диафрагма, 4, 6, 8, 10, 11 - зеркала, 5 - объектив, 7 - образец (монокристалл) , 9 - матовый экран
Свет с точечной проекции на плоскость, перпендикулярно оптической оси, падает на конденсор (система из двух линз), с конденсора свет падает на регулируемую диафрагму, далее в длиннофокусный объектив, для наводки на резкость. Свет отразившись от слитка попадает на матовый экран. Изображение просматривается на просвет с помощью зеркала в смотровое окно установки.
Зеркала 1, 4 укреплены на перемещаемой платформе, изображена она в крайнем правом положении. В этом положении расстояние между слитком и экраном меньше и одно деление шкалы равное одному мм, соответствует отклонению кристаллографической оси монокристаллического слитка на 15’, а в левом на 3’.
Подготовка установки:
Приводят световое пятно в центр экрана - в место пересечения вертикальной и горизонтальной линии. Слиток травят для получения структурного изображения.
Слиток выставляют на столик, световая фигура, отраженная от торца слитка, попадает на матовый экран, перемещают ее на вертикальную ось, чтобы она занимала симметричное положение относительно вертикальной оси. Установка световой фигуры на горизонтальную ось осуществляется поворотом ручки угломерной головки.
По шкале угломерной головки определяют угол отклонения кристаллографической плоскости монокристалла от плоскости торца слитка, на лимбе в минутах.
Точность выше у рентгеновского метода на 5 - 10 градусов.
Резка слитков на пластины.
Кремний - высокой твердости и хрупкости материал, поэтому обычные способы обработки не пригодны.
- резка алмазным резцом
- резка дисками алмазными
- резка стольным полотном
- обработка с помощью ультразвука
- электроэрозионная обработка
- электронно-лучевая обработка
- лазерная обработка
- пескоструйная обработка
- электролитическое анодное растворение
Резка слитков на пластины дисками или стальными полотнами. ВО-732В Схема:
Закрепление слитка на прокладке и прокладки на столике производится склеиванием.
Материал, используемый для наклейки слитка, должен обладать следующими свойствами:
- легко сниматься и отмываться
не вступать в химические взаимодействия с полупроводниками
- не быть вязким при комнатной температуре
т.е. казеин (воск, канифоль), сургуч, канифоль, глифталевая замазка, мастика. Специальная мастика - клей Б.Ф. и микропорошок. Столик, слиток помещают в термостат, слиток приклеивают к столику, затем столик устанавливают на станок для резки, так чтобы плоскость резца была ориентирована соответствующим образом с выявленной при ориентации кристаллографической плоскостью. Полотна изготавливают из бритвенной стали толщиной 0,08 мм, чаще 0,15 мм. Число полотен несколько десятков, толщина прокладок - определяет толщину пластин.
Скорость резанья зависит от многих факторов, трудно учитываемых при практической работе:
1. скорость движения полотен
2. длинна хода полотен
3. величина зерна абразива
4. твердость зерен абразива
5. твердость обрабатываемого материала
6. концентрация суспензии
7. величина давления полотен
8. число и толщина стальных полотен Зернистость (М-14)
В начале резанья нагрузка 2-3 кг. Й увеличивают до 5-6 кг. По мере врезания.
После нарезания снимают столик, помещают на плитку, и потом пластины обезжиривают и очищают.
Резка дисками
Диски с внешней и внутренней режущей кромкой
Толщина диска с внешней 400-500 мк, внутренней 200мк, поэтому станки с применением дисков с внутренней режущей кромкой находит широкое применение.
Важный фактор – необходимость охлаждение диска. При V = 80000об/мин и диаметре пластин 100 может быть отрезана пластина за 2 - 3 мин.