- •Квантова електроніка
- •Теми лекцій
- •Вступ Історія розвитку квантової електроніки і оптоелектроніки Квантова електроніка і оптоелектроніка достатньо молоді науки.
- •Розглянемо історію їх виникнення і розвитку.
- •Основні поняття і визначення
- •Поняття квантових систем
- •Квантові переходи
- •Самочинне (спонтанне) і вимушене випромінювання
- •Коефіцієнт є число типів коливань в одиничному об'ємі й в одиничному інтервалі частот для вільного простору. Безвипромінювальні переходи
- •Зв'язок між коефіцієнтами ейнштейна
- •Дипольне випромінювання
- •Розширення спектральних ліній
- •1. Природне розширення.
- •2. Допплерівське розширення.
- •3. Розширення унаслідок зіткнень.
- •4. Розширення за рахунок впливу внутрішніх (внутрікрісталічних) і зовнішніх електричного і магнітного полів.
- •Розсіяння світла і двохфотонне поглинання
- •Інверсна населеність
- •Методи здійснення інверсної населеності
- •Сортування атомних та молекулярних пучків в просторі.
- •Метод допоміжного випромінювання (накачка).
- •Інверсна населеність в газах за допомогою електричного розряду.
- •Інверсна населеність в напівпровідниках.
- •Принцип роботи квантових підсилювачів та генераторів збудження активної речовини (накачка) схеми роботи квантових підсилювачів і генераторів
- •Збудження активної речовини (накачування)
- •1. Накачування допоміжним випромінюванням (оптична накачка).
- •2. Накачування за допомогою газового розряду.
- •Схеми роботи квантових підсилювачів і генераторів
- •Дворівнева схема.
- •Трирівневі схеми.
- •Оптичні резонатори
- •Добротність резонатора
- •Типи резонаторів
- •1. Плоскопаралельний резонатор (плоский, резонатор Фабрі-Перо)
- •Конфокальний резонатор (сферичний)
- •3. Радіус світлової плями, який відповідає зменшенню поля в тем00-моде в е раз:
- •3. Резонатори з довільними сферичними дзеркалами.
- •4.Кільцевий резонатор.
- •Составний резонатор.
- •Резонатор з брегівським дзеркалом.
- •7. Резонатор з розподіленим зворотним зв'язком.
- •Генерація , умова самозбудження і насичення посилення модуляція добротності лазера
- •Методи модуляції добротності лазера:
- •Властивості лазерного випромінювання
- •Монохроматичність
- •Когерентність.
- •Спрямованість (направленість) лазерного випромінювання
- •Принцип роботи квантових приладів, Узагальнення
- •Квантові генератори світла на газоподібній речовині
- •Квантові генератори світла на твердому тілі
- •Напівпровідникові лазери
- •Інші типи лазерів
- •1. Рідкий лазер
- •Лазер на фарбниках
- •1 Загальна характеристика напівпровідникових лазерів
- •Инжекционные лазери на гомопереходах
- •Лазери на гетеропереходах
- •Напівпровідникові лазери, що накачуються електронним пучком.
- •Застосування квантових генераторів світла
- •Міри безпеки при роботі з квантовими приладами
Схеми роботи квантових підсилювачів і генераторів
Дворівнева схема.
Розглянемо систему з двох енергетичних рівнів Е1 і Е2, з яких E1 є основним, тобто заповненим в умовах термодинамічної рівноваги. Для простоти вважатимемо рівні невиродженими, тобто gi=g2=1. У такій системі можливі спонтанні і індуковані оптичні переходи, як показано на рис.1,а.
Рис.1 а - дворівнева система; б-залежність відносної населеності від інтенсивності накачки
Оптична накачка здійснюється за рахунок процесів поглинання фотонів на частоті переходу ω12. Щільність випромінювання накачування ρн= ρ12. Тоді рівняння балансу в стаціонарному режимі матимуть вигляд
(1)
Враховуючи, що B12=B21 знаходимо населеності рівнів:
(2), (2 а)
У випадку коли ρн → ∞ населеності рівнів вирівнюються N1≈N2. Це явище, називається насиченням, приводить до «прояснення» середовища, тобто при ρн → ∞ показник поглинання k → ∞. Але ні за яких умов, використовуючи оптичне накачування, в дворівневій схемі не можна досягти інверсії, а отже, і підсилення.
Якщо взяти два рівні з різними статистичними вагами g1 і g2, то аналогічно отримаємо, що в межі ρн → ∞ число частинок на верхньому рівні N2 → , а на ніжньому рівні N1 → .
Хоча при g2 > g1 і число частинок на рівні Е2 може бути більше, ніж на рівні Е1 населеність верхнього рівня N2/g2 завжди менше населеності нижнього рівня N1/g1, тобто інверсії населенностей і посилення досягнуто не буде.
Інверсію населенностей в дворівневій системі можна отримати, використовуючи метод сортування частинок. Саме цей метод привів до створення першого квантового генератора - мазера на пучку молекул аміаку.
Трирівневі схеми.
Механізм створення інверсії населеності в трьохрівневих схемах пояснює рис.2.
Рисунок 2 – а- 1-го типу, б- 2-го типу
Залежно від того між якими рівнями досягається інверсія, розрізняють трьохрівневі схеми першого й другого типів.
У схемах першого типу робочий перехід закінчується в основному стані, а в схемах другого типу – у збудженому.
Накачування здійснюється по можливості селективно (осуществляется по средствам отбора) на рівень Е3.
За трьохрівневою схемою першого типу працює рубіновий лазер, а за схемою другого типу - гелій-неоновий газовий лазер.
Якщо в трьохрівневій схемі другого типу діє сигнал допоміжного СВЧ випромінювання із частотою рівній частоті переходу між рівнями 1 і 3 (13), то зміна населеностей цих рівнів описується системою рівнянь:
де W13,W32 – імовірності змушених переходів; ik – імовірності безвипромінювальних переходів між рівнями 1, 2, 3.Тому що сума всіх трьох рівнів при будь-якому розподілі часток по рівнях залишається постійної, то
N = N1 + N2 + N3.
Вирішуючи систему рівнів для стаціонарного режиму, тобто для випадку коли , визначимо населеності N1 , N2 , N3 , а потім інверсну населеність між рівнями 3 і 2:
,
де 21, 32 – частоти переходів між рівнями 2-1, 3-2 (лежать у СВЧ діапазоні); Т – температура робочої речовини; k – постійного Больцмана.
Т. я. у СВЧ діапазоні справедливе рівність , то нижній рівень системи самий заселений, рівень 2 – заселений менше, а рівень 3 – ще менше.
Інверсія виникає тоді, коли верхній рівень заселений більше чим нижній, тобто коли N3 - N2 >0. Ця нерівність виконується за умови .
У виді того, що , умова існування негативної температури між рівнями 2 і 3 записуються як .
Фізичний зміст цієї умови полягає в тому, що час життя часток на рівні 3 повинне бути якнайбільше для того, щоб на ньому накопичувалися частки, а час життя на рівні 2 – як можна меншим. Тільки в цьому випадку на частоті 32 при переході часток з рівня 3 на рівень 2.
Метод допоміжного випромінювання має деякі відмінності при використанні в оптичному й СВЧ діапазонах. У першому випадку відстань між енергетичними рівнями більше, ніж у СВЧ діапазоні що приводить до виконання нерівності для всіх робочих температур. Це означає, що в стані термодинамічної рівноваги верхні рівні майже не заселені й основна маса часток перебуває на нижньому рівні. По-друге у відмінності від СВЧ діапазону ймовірність безвипромінювального переходу з верхнього рівня на нижній пренебрежимо мала, а ймовірність спонтанних переходів - велика. Слід зазначити, що саме спонтанні переходи визначають час життя частки в збудженому стані.
При виборі трьохрівневій квантової системи в якій повинна створитися інверсія, по першому типі час життя на допоміжному верхньому рівні повинне бути значно менше ніж час життя на рівні, щодо якого створюється інверсна населеність. Так, у трьохрівневій системі (рис.3) час життя на рівні 3 повинне бути порядку 32 10-7 …10-8 с, а на рівні 2 – 21 10-3.
При цьому необхідно щоб А21 << А32.
Рисунок 3
Важливо, щоб верхній допоміжний рівень 3 був як можна ширше, тому що для накачування використається як правило газорозрядні лампи із широким спектром випромінювання.
Зміна населеностей рівнів під дією оптичного накачування в трехуровневой системі, показаної на рис.3 , описується системою швидкісних (кінетичних) рівнянь:
N = N1 + N2 + N3.
Вирішуючи за умови , одержимо
.
Умова посилення виконується тоді, коли різниця N2-N1>0 ,тобто коли W13>A21.
Нерівність W13>A21 визначає мінімальну потужність сигналу накачування, що необхідна для створення інверсної населеності в трьохрівневій системі. Для оцінки граничного значення потужності випромінювання накачування можуть бути використані співвідношення:
або ,
де Р – потужність накачування в смузі частот поглинання активної речовини; 13 – ефективний перетин поглинання для переходу квантових часток з рівня 1 на рівень 3 на частоті 13; S – площа поверхні робочої речовини, що піддається випромінюванню; 21 – час життя часток на рівні 2.
Таким чином, у трьохрівневій системі для одержання інверсії рівнів необхідно затратити значну енергію. Цього недоліку немає в чотирьохрівневих системах, тому що нижній робочий рівень майже не заселений, тому необхідно перевести лише незначну кількість часток з основного на верхній робочий рівень.
3. Чотирьохрівнева схема.
У чотирьохрівневій схемі канали генерації і накачки повністю розділені, дозволяє одержати інверсію населеностей при мінімальних рівнях накачування.
Механізм створення інверсії між робочими лазерними рівнями Е3 і Е2 у чотирьохрівневій системі і переходи показані на рис. 4.
Аналіз кінетики заселення рівнів у чотирьохрівневій схемі може бути проведений за допомогою кінетичних рівнянь.
Інверсія населеності між рівнями Е3 і Е2 буде досягатися при дотриманні нерівності
,
де mn – імовірності переходів mn
а) б)
Рис. 4
З рис. 4, б видно, що в чотирьохрівневій схемі (при k<<E2-E1) навіть незначне накопичення частинок на третьому рівні приводить до створення інверсії населеності, тобто гранична щільність випромінювання накачування по інверсії в чотирьохрівневій схемі практично дорівнює нулю.
Оскільки тут не враховувалися втрати в активній речовині, реальне граничне накачування в активних матеріалах, що працюють за даною схемою, трохи більше, але може бути дуже мале.
За рахунок інтенсивних змушених переходів з випущенням у каналі генерації 32 значення N3 буде зменшуватися, а N2 – зростати, приводячи до насичення коефіцієнта підсилення й населеностей рівнів.
Слід зазначити деякі моменти стосовні як до трьохрівневих схем так і до чотирьохрівневих.
1. Для виключення термічного заселення необхідно, щоб енергетичні відстані між рівнями Е4-Е3 і E2-E1 були більші kT, але не дуже великими, бо тоді більша частина енергії накачки витрачатиметься безкорисно. Це приведе до зменшення ККД і розігріву активної речовини, якщо надмірна енергія при процесах релаксації виділиться у вигляді тепла.
2. При оптичному накачуванні, коли джерело накачування випромінює в широкій області спектру, необхідно, щоб верхній рівень Е2 (або система рівнів) був достатньо широким. Це потрібно для повного використання випромінювання накачки.
3. Для виключення самопоглинання, що приводить до переходів Е1→Е2 і E3→E4 бажано, щоб процеси релаксації здійснювалися за рахунок неоптичних (безвипромінюючих) переходів.
4. Час життя на верхньому лазерному рівні Е3 повинен визначатися випромінювальними процесами, а вірогідність безвипромінюючих переходів з цього рівня повинна бути мінімальною.