- •1. Элементы конструкции имс.
- •2. Конструктивно-технологические типы имс.
- •3.1 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •3.2 Подложки плёночных и гибридных имс.
- •4. Толстоплёночные имс.
- •5.1 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •5.2 Нанесение толстых плёнок: пасты и трафареты.
- •6.1 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •6.2 Расчёт и проектирование плёночных резисторов.
- •7.1 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.2 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •7.3 Расчёт и проектирование плёночных конденсаторов.
- •8. Расчёт и проектирование плёночных проводников и контактных площадок.
- •9.1 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •9.2 Нанесение тонких плёнок в вакууме.
- •10. Термическое вакуумное напыление.
- •11.1 Катодное распыление.
- •11.2 Катодное распыление.
- •12.1 Ионно-плазменное напыление.
- •12.2 Ионно-плазменное напыление.
- •13.1 Магнетронное распыление.
- •13.2 Магнетронное распыление.
- •14.1 Электролитическое осаждение.
- •14.2 Электролитическое осаждение.
- •15. Химическое осаждение.
- •16. 1Анодное окисление.
- •16. 2Анодное окисление.
- •17. 1Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 2Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •17. 3Получение различных конфигураций тонкоплёночных структур.
- •18.1 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.2Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18.3 Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •18. 4Изготовление тонкоплёночных гибридных имс.
- •20.1 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.2 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •20.3 Проектирование бип. Транзисторов полупроводниковых имс.
- •21.1 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.2 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.3 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •21.4 Расчет и проектирование диодов полупроводниковых имс.
- •22.1 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •22.2 Расчет и проектирование п/п конденсаторов.
- •23.1 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.2 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.3 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •23.4 Pасчет и проектирование диффузионных резисторов полупроводниковых имс.
- •24.1 Металлизация п/п структур.
- •24.2 Металлизация п/п структур.
- •24.3 Металлизация п/п структур.
- •25.1 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.2 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.3 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.4 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •25.5 Изготовление полупроводниковых биполярных имс с изоляцией р-п переходом.
- •26.1 Изготовление биполярных имс с диэлектрической изоляцией.
- •27.1 Изготовление биполярных имс с комбинированной изоляцией.
- •28. Изготовление мдп-имс.
- •30.1 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.2 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •30.3 Ограничения и проблемы при изготовлении бис.
- •31. Основные этапы расчёта и проектирования бис.
- •32. Методы и автоматизация проектирования бис.
- •33.1 Корпуса для имс.
- •33.2 Корпуса для имс.
- •34. Основные направления функциональной микроэлектроники.
- •35.1 Оптоэлектроника.
- •35.2 Оптоэлектроника.
- •36.1 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •36.2 Акустоэлектроника.
- •37.1 Магнетоэлектроника.
- •37.2 Магнетоэлектроника.
- •38.1 Проборы на эффекте Ганна.
- •38.2 Проборы на эффекте Ганна.
- •39.1 Диэлектрическая электроника.
- •39.2 Диэлектрическая электроника.
- •40.1 Криогенная электроника.
- •41.1 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
- •4 1.2 Молекулярная электроника и биоэлектроника.
33.1 Корпуса для имс.
Корпуса интегральных микросхем должны удовлетворять ряду требований, обеспечивающих их надежную эксплуатацию. Корпус должен обладать достаточной механической прочностью, чтобы выдерживать нагрузки, возникающие при сборке, соединении с другими корпусами и во время эксплуатации. Стремятся получить возможно меньшие размеры корпуса и придать ему форму, позволяющую осуществлять компактную сборку. Конструкция корпуса должна позволять легко и надежно выполнять электрические соединения между микросхемой, расположенной внутри корпуса, и другими микросхемами. Как правило, корпус интегральной микросхемы должен быть герметичным.
Плоский корпус может, быть прямоугольным или квадратным. Этот корпус состоит из трех основных частей: керамического основания в виде плоской пластины; выводов, выполненных из металла в виде фигурных тонких полосок, соответствующих по форме пазам в рамке, в которые они и помещаются при сборке; керамической крышки.
Корпус типа ТО имеет круглую форму. Корпуса типа ТО обладают высокой надежностью и хорошей экранировкой микросхемы от внешних электромагнитных воздействий. Основной деталью корпуса является металлический колпачок с отверстиями (по числу выводов), расположенными равномерно по кругу.
Пластмассовый корпус находит все большее применение для полупроводниковых микросхем благодаря сравнительно невысокой стоимости. В отличие от корпусов других типов он не обладает способностью отводить теплоту и не может работать в больших температурных пределах, которые требуются в
некоторых устройствах. Однако во многих случаях пластмассовый корпус вполне приемлем.
Для гибридных микросхем применяют в основном три вида корпусов: металлостеклянный квадратный или прямоугольный, металлостеклянный круглый (по типу ТО) и пенальный.
Металлостеклянный квадратный корпус состоит из
металлического основания с впаянными изолированными выводами, изолятора и металлической крышки. Выводы в основании Корпуса герметизируют металлостеклянным спаем. После окончательного монтажа микросхемы герметизацию
33.2 Корпуса для имс.
корпуса производят электронно-лучевой сваркой основания с крышкой.
Металлостеклянный круглый корпус состоит из изолятора, металлического фланца, крышки и выводов. Фланец имеет ключ,
расположенный против вывода. Выводы в основании корпуса
герметизируют металлостеклянным спаем. После окончательного монтажа микросхемы герметизацию корпуса осуществляют конденсаторной сваркой металлического фланца с крышкой. Металлостеклянный круглый корпус на восемь выводов может иметь в необходимых случаях вывод, который приваривается к фланцу и служит для заземления корпуса.
Пенальный корпус состоит из алюминиевого кожуха, в который вставляют плату с пленочной микросхемой. К контактным площадкам приваривают контактную гребенку из меди после обрезки которой образуются выводы. Транзисторы помещают в кассету, которую укрепляют на плате клеем при совмещении
выводов транзисторов с соответствующими контактами. Герметизацию корпуса осуществляют путем заливки компаундом со стороны выводов.