Корпуса и маркировка

Элементы динамической памяти конструктивно выполняют либо в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP либо в виде модулей памяти типа:

• SIP/SIPP;

• SIMM;

• DIMM.

Модуль памяти это плата с установленной на ней микросхемы памяти в DIP корпусах.В большинстве современных модулей памяти используются микросхемы в корпусах для поверхностного монтажа, например типаSOP. Для подключения к системной плате наSIMMиDIMMмодулях используется печатный ножевой разъем. НаSIPмодулях штыревой. УDIMMмодулей в отличии отSIMMконтакты на противоположных сторонах платы электрически не связаны между собой. В двухстороннихSIMMмикросхемы установлены на плате с двух сторон. Микросхемы вDIPкорпусах устанавливают в специальные панельки вCHIP SOCET, а модули в специальные разъемыSIMMилиSIP SOCET. Корпус микросхемы или модуль памяти имеют обозначения включающие: наименование или знак фирмы изготовителя, дату выпуска.

Обычно о микросхеме все название состоит из трех полей:

• префикса;

• корня;

• суффикса.

Поле префикса может обозначать тип отбраковки при изготовлении микросхемы. В поле корня одна из цифр указывает, что микросхема АЗУ, следующая за ней цифра, характеризует количество информационных разрядов 1 или 4. Группа цифр, следующая за ней, обозначает емкость в Кбитах каждого разряда. В поле суффикса буквой указывается тип корпуса. И через дефис время выборки в наносекундах.

Существуют 30 контактные SIMMмодули с байтовой организацией и контролем четности 256 Кбайт, 1, 4 и 16 Мбайт. В современных микросхемах со средним временем безотказной работы несколько десятков лет, бит четности исключен. Для 32 разрядных микропроцессоров 30 контактные модули для получения слова в 32 бита должны устанавливаться на системную плату в количестве кратным 4. На плате обычно 8 таких разъемов, поэтому максимальный объем памяти 64 Мбайта. В настоящее время применяются 72 контактные 36 битовые модули. Емкостью 1, 2, 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайта. Максимальный достижимый объем памяти может быть различным, что зависит не только от количества разъемов, но и от того какой максимальный объем емкости модулей поддерживается контролером памяти. Обычно вся операционная память делится на несколько банков. Банк определяет наименьшее количество памяти, которое может быть адресовано микропроцессором за один раз и соответствует разности шины данных этого микропроцессора. Если используется память с чередованием адресов, разрядность банков увеличивается вдвое. Объем информации каждого банка может быть различным, однако он должен быть кратен 9. На 30 контактных модулях поэтому используются либо 3 либо 9 микросхем, т.к. микросхемы данной памяти имеют либо одно либо 4 разрядную организацию данных. На 72 контактных модулях размещено обычно 12 микросхем.

Накопители

Накопители могут быть внешними и внутренними. Накопитель можно рассматривать как совокупность носителя и привода. Различают накопители со сменным и несменным носителями. В зависимости от типа накопителя различают накопитель на магнитной ленте и дисковые. Накопители на магнитной ленте бывают двух видов:

• накопители, работающие в стартстопном режиме на полудюймовых 9 дорожечных лентах;

• стримеры работающие в потоковом инерционном режиме.

Накопитель на магнитной ленте это устройство последовательного доступа, накопители на дисках это устройства произвольного доступа.По способу записи и чтения информации на накопителе, дисковые накопители делят на:

• магнитные;

• оптические;

• магнитооптические.

Среди дисковых выделяют:

• накопители на гибких магнитных дисках;

• накопители на гибких оптических дисках;

• накопители на несменных жестких дисках винчестера;

• накопители на сменных жестких дисках;

• накопители на сменных гибких дисках использующие эффект Бернули;

• накопители на магнитооптических дисках;

• накопители на оптических дисках с однократной записью и многократным чтением WORM;

• накопители на оптических компакт дисках CD ROM.