- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •Глава 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОФИЗИКИ
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.3. Симметрия твердых тел
- •1.4. Основные типы кристаллических структур
- •1.5. Политипизм, полиморфизм и изоморфизм
- •1.6. Аморфные твердые тела
- •1.8. Дефекты структуры реальных кристаллов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 2. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОХИМИИ
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Химическая связь. Типы химической связи
- •2.3. Основные типы кристаллов
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 3. ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •3.1. Характерные особенности диэлектриков
- •3.2. Полярные и неполярные молекулы. Собственный и индуцированный дипольный момент
- •3.3. Поляризация диэлектриков в постоянном поле
- •3.4. Относительная диэлектрическая проницаемость. Уравнение Клаузиуса – Мосотти
- •3.5. Виды и механизмы поляризации
- •3.8. Частотная зависимость диэлектрической проницаемости
- •3.9. Диэлектрическая проницаемость композиционных диэлектриков
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 4. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •4.1. Особенности электропроводности диэлектриков. Основные понятия и определения
- •4.2. Виды электропроводности диэлектриков
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 5. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ
- •5.1. Общие сведения
- •5.2. Тангенс угла диэлектрических потерь
- •5.3. Виды диэлектрических потерь
- •Контрольные вопросы и задания
- •Глава 6. ПРОБОЙ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •6.3. Пробой газообразных диэлектриков
- •6.4. Пробой жидких диэлектриков
- •6.5. Пробой твердых диэлектриков
- •6.6. Пробой неоднородных диэлектриков
- •Контрольные вопросы и задания
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
- •ПРИЛОЖЕНИЕ
- •КРАТКИЙ ТЕРМИНОЛОГИЧЕСКИЙ СЛОВАРЬ
- •ОБОЗНАЧЕНИЯ И ЕДИНИЦЫ НЕКОТОРЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН, РЕГЛАМЕНТИРОВАННЫЕ ОТЕЧЕСТВЕННЫМИ И МЕЖДУНАРОДНЫМИ СТАНДАРТАМИ
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
Раздел 1. Основные положения физико химической кристаллографии
11.Укажите последовательность заполнения слоев в гексагональной плотноупакованной структуре.
12.Укажите последовательность заполнения слоев в кубической плотноупакованной структуре.
13.Приведите примеры веществ, кристаллизующихся в решетке сфалерита и вюрцита.
14.Дайте характеристику плотнейших упаковок (ГПУ и КПУ) одинаковых шаров и двух типов пустот между ними.
15.Опишите основные типы кристаллических структур, характерных для металлических, диэлектрических и полупроводниковых кристаллов.
16.Объясните различие между квазикристаллами и обычными кристаллами.
17.Объясните понятия аллотропных, полиморфных и политипных модификаций вещества.
18.Дайте характеристику основных аллотропных модификаций углерода.
19.Приведите классификацию дефектов в твердых телах.
20. В чем состоят различия между дефектами по Шоттки
иФренкелю?
21.Приведите примеры структурно-чувствительных свойств материалов.
22.Дайте определение вектора Бюргерса.
23.В чем заключается различие между винтовой и краевой дислокациями?
Глава 2. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОХИМИИ
2.1. Основные понятия и определения
Огромное разнообразие кристаллических веществ определяется их химическим составом, структурой, размерами атомов, ионов или молекул и природой сил, действующих между ними.
В неизменных внешних условиях твердые тела, в отличие от жидкостей, сохраняют не только свой объем, но и форму. Это связано с наличием как ближнего, так и дальнего порядка в расположении
76
Глава 2. Элементы кристаллохимии
частиц, вызванного пространственной симметрией в силовом периодическом взаимодействии между атомами, молекулами и ионами, формирующими кристаллическую структуру. Напомним, что твердые вещества существуют в трех разновидностях (см. гл. 1):
монокристаллы c распространением дальнего порядка на весь объем вещества;
поликристаллы с сохранением дальнего порядка только в ограниченных объемах, представляющие собой совокупность беспорядочно ориентированных кристаллитов;
аморфные вещества – неупорядоченные структуры с сохранением в ряде случаев ближнего порядка в расположении частиц.
Кристаллические тела принято классифицировать двояко:
по геометрическому признаку, т. е. по характеру симметрии кристаллической решетки (см. гл.1);
по химическому признаку, т. е. по типу химической связи между частицами.
Химическую связь можно определить как взаимодействие двух или нескольких атомов, в результате которого образуется химически устойчивая многоатомная микросистема (молекула, кристалл, комплекс и др.). Главное отличие химической связи от других видов взаимодействия между атомами заключается в том, что ее образование определяется изменением состояния электронов в молекуле по сравнению с исходными атомами.
Вкристаллохимии кристаллические структуры подразделяют на
гомодесмические (координационные) и гетеродесмические. В гомодесмических структурах атомы не образуют структурных фрагментов,
которые можно было бы назвать молекулами, а объединены одинаковыми химическими связями в пространственный каркас. Подобную структуру имеют, например, алмаз и галогениды щелочных металлов.
Вгетеродесмических структурах имеются структурные фрагменты, внутри которых атомы соединены прочными (обычно ковалентными) связями. Эти фрагменты могут представлять собой конечные группировки атомов: острова, цепи, слои, каркасы. Соответственно вы-
деляют островные, цепочечные, слоистые и каркасные структуры.
Островными структурами обладают почти все органические со-
единения и ряд неорганических веществ, таких как галогены, O2, N2, CO2, N2O4 и др. Роль островов играют молекулы, поэтому такие кристаллы называются молекулярными. Часто в качестве островов выступают многоатомные ионы (например, сульфаты, нитраты, карбонаты).
77
Раздел 1. Основныеположен ия физико химической кристаллографии
а |
б |
Рис. 2.1. Гетеродесмические структуры: а – цепоче чная структура Pd Cl2; б – цепоче чная структура MnC l3
Цепочечное строение имеют, например, кристаллы одной из модификаций Se (атомы связаны в бесконечные спирали) или кристаллы PdCl2 , в которых присутствуют бесконечные ленты (рис. 2.1, а).
Слоистую структуру имеют графи т, BN, M oS2 и др ., каркасную – ВaTiO 3 (атом ы бария и кислорода, объединенные ковалентными связями, образую т тетраэдр, в пустотах которого распо ложены атомы Ti). Известны гетеродесмические структуры, где име ются структурные фрагменты разного типа. Так, кристаллы комплексного соединения [ N(CH3)4] [MnCl3] построен ы из островов – ионов [ N(CH3)4]+ и це-
пей M nCl3 (рис. 2.1, б).
Химические связи принято делить на две большие группы:
межатомные (сильные) и межмолекулярные (слабые) . При сближе-
нии частиц между ни ми возникает силовое взаимодействие, характер которого зависит от атомной структуры и строения электронных оболочек. Во взаимодействии участвуют в перв ую очередь валентные электроны внешних электронн ых обол очек, в то время как внутренние оболочки атомов практически не принимают участия в процессе образования связей.
Характер и прочность химических связей в значительной степени определяется спосо бностью атомов отдавать или принимать электроны, котор ую характеризую т энергией ионизации Еи и энергией
сродства к электронуЕср .
Энергия ионизации – это энергия, затрачиваемая на отрыв наименее прочно удерживаемого валентного электрона от нейтрального газообразного атома, находящегося в основно м состоянии, и превращение его в положительный ион. Наименьшую энергию иони зации ( Еи ~ 4–5 эВ) имеют щ елочные металлы Cs, R b, K, Na, Li, у которых
всего один валентный электр он, а наибольшую ( Еи ~ 12–25 эВ) –
78
Глава 2. Элементы кристаллохимии
инертные газы Xe, Kr, Ar, Ne, He с полностью застроенной внешней электронной оболочкой.
Энергия сродства к электрону – это энергия, выделяемая при захвате электрона нейтральным газообразным атомом, находящимся в состоянии с наименьшей энергией. Наименьшее сродство к электрону ( Еср ≤ 1 эВ) имеют щелочные металлы Cs, Rb, K, Na, Li, а наи-
большее ( Еср ~ 3–4 эВ) – галогены At, I, Br, Cl, F.
В отличие от энергии ионизации Еи, которая может быть только положительной, энергия сродства к электрону Еср может быть как по-
ложительной, так и отрицательной величиной. Так, сродство электронов к металлу, как правило, близко к нулю или отрицательно. Это означает, что присоединение дополнительного электрона к атому металла является энергетически невыгодным процессом, ибо увеличивает энергию атома. У неметаллов сродство к электрону всегда положительно, поскольку присоединение электронов уменьшает их собственную энергию. Таким образом, обе величины указывают на бóльшую или меньшую способность атома переходить в ионное состояние. Для качественного суждения о распределении электронной плотности между взаимодействующими атомами используют электроотрицательность Х – способность атомов принимать электрон при взаимодействии с другими атомами. Согласно Малликену электроотрицательность
определяется выражением Х = (Еи + Еср )
2. Парной комбинацией
элементов с различным соотношением Х можно качественно объяс-
нить появление ионной, ковалентной, полярной ковалентной и металлической связи между ними.
Внастоящее время существует около 20 шкал электроотрицательности, в основу расчета которых положены различные свойства веществ и атомов, их образующих. Например, согласно Полингу рассматривается вклад электростатического взаимодействия в общую энергию химической связи.
Втабл. 2.1 приведены относительные значения электроотрицательностей элементов, вычисленных Л. Полингом.
Значения электроотрицательностей разных шкал отличаются между собой, но относительное расположение элементов в рядах примерно одинаково: наименьшую электроотрицательность имеют щелочные металлы (обладающие малыми значениями как Еи, так и Еср ),
анаибольшую – неметаллы (обладающие большими значениями как Еи,
79
Раздел 1. Основные положения физико химической кристаллографии
так и Еср ). С ослаблением металлических свойств элементов их элек-
троотрицательность всегда возрастает. Электроотрицательность уменьшается в ряду F → O → N → Cl → Br →S → C → P →Si → As → H . Элементы, стоящие левее, будут оттягивать общие электроны от элементов, стоящих правее.
Таблица 2.1
Относительная электроотрицательность элементов
Пе- |
|
|
|
|
|
Группа |
|
|
|
|
|
|
ри- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I |
II |
III |
IV |
V |
VI |
|
VII |
|
VIII |
|||
од |
|
|
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
H |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
He |
2,1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
– |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
2 |
Li |
Be |
B |
C |
N |
O |
|
F |
|
|
|
Ne |
0,97 |
1,47 |
2,01 |
2,50 |
3,07 |
3,5 |
|
4,10 |
|
|
|
– |
|
|
|
|
|
|
||||||||
3 |
Na |
Mg |
Al |
Si |
P |
S |
|
Cl |
|
|
|
Ar |
1,01 |
1,23 |
1,47 |
1,74 |
2,1 |
2,6 |
|
2,83 |
|
|
|
– |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
K |
Ca |
Sc |
Ti |
V |
Cr |
|
Mn |
Fe |
Co |
Ni |
|
4 |
0,91 |
1,04 |
1,20 |
1,32 |
1,45 |
1,56 |
|
1,60 |
1,64 |
1,70 |
1,75 |
|
Cu |
Zn |
Ga |
Ge |
As |
Se |
|
Br |
|
|
|
Kr |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
1,75 |
1,66 |
1,82 |
2,02 |
2,20 |
2,48 |
|
2,74 |
|
|
|
– |
|
Rb |
Sr |
Y |
Zr |
Nb |
Mo |
|
Tc |
Ru |
Rh |
Pd |
|
5 |
0,89 |
0,99 |
1,11 |
1,22 |
1,23 |
1,30 |
|
1,36 |
1,42 |
1,45 |
1,35 |
|
Ag |
Cd |
In |
Sn |
Sb |
Te |
|
I |
|
|
|
Xe |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
1,42 |
1,46 |
1,49 |
1,72 |
1,82 |
2,01 |
|
2,21 |
|
|
|
– |
|
Cs |
Ba |
La* |
Hf |
Ta |
W |
|
Re |
Os |
Ir |
Pt |
|
6 |
0,86 |
0,97 |
1,08 |
1,23 |
1,33 |
1,40 |
|
1,46 |
1,52 |
1,55 |
1,44 |
|
Au |
Hg |
Tl |
Pb |
Bi |
Po |
|
At |
|
|
|
Rn |
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
1,42 |
1,44 |
1,44 |
1,55 |
1,67 |
1,76 |
|
1,90 |
|
|
|
– |
7 |
Fr |
Ra |
Ac** |
|
|
* |
Лантаноиды |
– 1,08 – 1,14 |
|
|
||
0,86 |
0,97 |
1,00 |
|
|
**Актиноиды – 1,00 – 1,20 |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
||||||||
Однако, используя понятие электроотрицательности, следует помнить, что это не строгая физическая величина, которая может быть измерена экспериментально. Элементу нельзя приписать постоянную электроотрицательность, так как она зависит от многих факторов, в частности, от числа химических связей в соединении, геометрии многоатомных частиц и т. д. Тем не менее с ее помощью определяются знаки степеней окисления элементов и оцениваются некоторые свойства соединений.
80
