- •Введение
- •Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
- •1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов
- •1.2. Донорные и акцепторные примеси
- •1.3. Возбуждение и инжекция
- •Глава 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ р-п ДИОДЫ
- •2.1. Запорный слой р-п перехода
- •2.2. Вольтамперная характеристика
- •2.3. Барьерная емкость р-п перехода
- •2.5. Туннельный диод
- •Глава 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- •3.1. Принципы действия
- •3.2. Аналитический вывод вольтамперных характеристик
- •3.3. Вольтамперные характеристики.
- •3.4. Транзистор на высоких частотах
- •3.5. Дрейфовые, транзисторы
- •3.6. Конструкция и технология
- •Глава 4. КОНТАКТ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И
- •ДИОДЫ ШОТТКИ
- •4.1. Образование контакта металл-полупроводник
- •4.2. Вольтамперная характеристика контакта
- •металл - полупроводник
- •4.2. Конструкция и высокочастотные свойства
- •4.3. Применения
- •Глава 5. ПОЛЕВЫЕ ПРИБОРЫ
- •5.1. Транзистор с управляющим р-п переходом
- •5.2. Вольтамперная характеристика
- •5.3. Параметры и эквивалентные схемы
- •5.4. Полевой транзистор с изолированный затвором (МОП - транзистор)
- •5.5. Энергетические диаграммы МОП-структуры
- •5.6. Вольтамперные характеристики МОП-транзисторов
- •СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
|
|
Б.Н.МИТЯШЕВ |
|
|
|
Электронные приборы |
|
Содержание |
|
||
Введение ................................................................................................................. |
1 |
||
Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ........................................ |
3 |
||
1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов............. |
3 |
||
1.2. Донорные и акцепторные примеси ........................................................... |
9 |
||
1.3. |
Возбуждение и инжекция ....................................................................... |
11 |
|
Глава 2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ р-п ДИОДЫ............................................ |
15 |
||
2.1. Запорный слой р-п перехода .................................................................. |
15 |
||
2.2. |
Вольтамперная характеристика ............................................................. |
17 |
|
2.3. Барьерная емкость р-п перехода .............................................................. |
22 |
||
2.4. Диффузионная емкость р-п перехода ...................................................... |
26 |
||
2.5. Туннельный диод ...................................................................................... |
29 |
||
Глава 3. |
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ .................................................... |
32 |
|
3.1. Принципы действия .................................................................................. |
32 |
||
3.2. Аналитический вывод вольтамперных характеристик .......................... |
35 |
||
3.3. Вольтамперные характеристики. ............................................................. |
39 |
||
3.4. Транзистор на высоких частотах ............................................................. |
48 |
||
3.5. |
|
Дрейфовые, транзисторы ...................................................................... |
53 |
3.6. |
|
Конструкция и технология ................................................................... |
57 |
Глава 4. КОНТАКТ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК И.................................. |
59 |
||
ДИОДЫ ШОТТКИ............................................................................................... |
59 |
||
4.1. |
Образование контакта металл-полупроводник..................................... |
59 |
|
4.2. Вольтамперная характеристика контакта .............................................. |
63 |
||
металл - полупроводник .................................................................................. |
63 |
||
4.2. Конструкция и высокочастотные свойства ............................................. |
65 |
||
4.3. Применения................................................................................................ |
67 |
||
Глава 5. |
ПОЛЕВЫЕ ПРИБОРЫ........................................................................ |
69 |
|
5.1. Транзистор с управляюшщим р-п переходом....................................... |
70 |
||
5.2. Вольтамперная характеристика ............................................................... |
71 |
||
5.3. Параметры и эквивалентные схемы ...................................................... |
75 |
||
5.4. Полевой транзистор с изолированный затвором (МОП - транзистор) . 78 |
|||
5.5. |
Энергетические диаграммы МОП-структуры ...................................... |
79 |
|
5.6. Вольтамперные характеристики МОП-транзисторов ............................ |
82 |
||
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ.................................................................................... |
85 |
||
Введение
Полупроводниковые электронные приборы являются в настоящее время основными элементами радиоэлектронных устройств. Они позволяют успешно выполнять все элементарные операции радиоэлектроники: генерирование, усиление, преобразование, регистрацию электрических
колебаний, а также управление параметрами колебаний или сигналов. Развитие полупроводниковой электроники оказывает сильное влияние на пути развития других направлений электроники в том числе вакуумной, оставляя для каждого направления преимущественные области приложений
Полупроводниковые приборы совсем вытеснили вакуумные в области информационной радиоэлектроники, составляющей основу функционирования электронных вычислительных машин, больших управляющих и информационных систем, в которых в процессе обработки информации участвует большое количество элементов, выполняющих преобразование на уровне слабых сигналов.
Знание физических процессов и явлений, лежащих в основе работы полупроводниковых приборов и их количественный анализ необходимы. Как для разработки новых приборов, так и для полного использования их возможностей при создании радиоэлектронных устройств. При наличии общих основ точки зрения технолога и разработчика аппаратуры могут отличаться, что способствует более глубокому овладению предметом изучения и исследования. Данное учебное пособие написано на основе раздела курса лекций «Электронные приборы», предназначенного для студентов факультета радиотехники и кибернетики МФТИ. Особенностью курса является его направленность на изучение физических процессов в полупроводниковых приборах с целью обоснования их статических, частотных и временных характеристик, предельных возможностей, а также адекватного представления поведения приборов в устройствах с помощью линейных и нелинейных дифференциальных уравнений и соответствующих эквивалентных схем. Учебники и учебные пособия, предназначенные для подготовки специалистов по электронной технике, ориентированы на технологию приборов и слабо отражают вопросы эквивалентного представления приборов в радиотехнических устройствах.
Учебное пособие содержит изложение вопросов фундаментального характера и недостаточно освещенные в учебной литературе разделы. Выполнен детальный анализ свойств и характеристик р-п диодов, биполярных транзисторов, свойств приборов, обладающих малой инерционностью, в том числе на основе контакта металл-полупроводник, полевых приборов с различной структурой.