- •1. Механизм конденсация тонких металлических пленок на поверхности
- •4. Среднее время релаксации и жизни адатома
- •5.Средняя длина диффузионного пробега
- •6. Технология синтеза нанопроволочек по механизму пар-жидкость-кристалл (пжк)
- •8.Технология висячих углеродных нанотрубок
- •9.Технология микроструйного выстраивания нанопроволок
- •10.Достоинства транзисторов на углеродных нанотрубках
- •12.Квантовые ямы
- •13. Квантовая нить
- •14. Квантовые точки
- •15. Схема формирования двумерных электронов на гетеропереходе
- •16) Сравнение электронных систем разной размерности
- •17) Баллистическая проводимость
- •18) Одноэлектронный транзистор
- •19. Аллотропные формы углерода: определения, примеры
- •20.Графен,свойства графена.
- •21.Принцип работы стм, блок-схема
- •22. Факторы, влияющие на качеств изображения стм
- •23. Режимы постоянного тока и постоянной высоты в стм
- •24. Суть метода Ленгмюра, коэффициент растекания.
- •26. Стабильность и состояния монослоев
- •27. Понятие коллапса
- •28.Перенос монослоев на твердые тела.
- •30.Метод поверхностного потенциального барьера
- •31. Классификация нанотехнологий
- •32. Проблемы, связанные с уменьшением размеров
- •33. Рассеяние света – определение, возможности методов, основная идея рассеяния
- •34.Рэлеевское рассеяние
- •35.Рассеяние Ми
- •36.Рассеяние Мандельштама-Бриллюэна
- •37.Комбинационное рассеяние
- •38.Индикатриса
- •40 Какие процессы включает в себя литография?
- •41.Негативная литография
- •42Позитивная литография
- •43. 10 Шагов фотолитографии
- •44. Какие вещества являются предшественниками углеродных наноструктур
- •45. Методы получения и свойства углеродных нанотрубок и нановолокон
- •46.Какими факторами определяются выдающиеся механические и термические свойства оунт
- •47.Две основные группы методов получения унт
- •49. Получение унт методом каталитического пиролиза.
- •50. Непосредственное получение унт из газовой фазы
- •51. Процесс получения макроскопических волокон, содержащих оунт и полимер
- •55 Определения нжк, хжк, сжк
- •56.Переход Фредерикса и основные виды деформации
32. Проблемы, связанные с уменьшением размеров
1. Высокие напряженности электрического поля, которые могут приводить к локальным пробоям.
2. рассеяние тепла транзисторами ограничивает увеличение плотности элементов.
3. исчезновение полезных объемных свойств и возрастание роли дефектности полупроводников
4. уменьшение размеров приводит к квантово-механическому туннелированию электронов от истока к стоку.
5. неоднородность окисного слоя приводит к перетеканию электронов из затвора в область канала.
33. Рассеяние света – определение, возможности методов, основная идея рассеяния
Рассеяние света — распространение лучей в случайных направлениях, связанный с взаимодействием излучения и вещества, а также с неоднородностями в среде или на поверхности. Диффузным рассеянием света называется рассеяние света при отражении от неоднородной поверхности.
Явление рассеяния света широко используется при самых разнообразных исследованиях в физике, химии, в различных областях техники. Спектры рассеянного света позволяют определять
1. молекулярные и атомные характеристики веществ,
2. упругие, релаксационные и другие постоянные.
Часто эти спектры являются единственным источником информации о запрещённых переходах в молекулах.
На эффектах рассеяния света основаны многие методы определения
1. размеров частиц,
2. формы наночастиц
Процессы вынужденного рассеяния света лежат в основе лазерной спектроскопии и широко используются в лазерах с перестраиваемой частотой.
ОСНОВНАЯ ИДЕЯ: АТОМЫ И МОЛЕКУЛЫ ВЕЩЕСТВА И ИХ СОВОКУПНОСТИ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ПАДАЮЩЕГО НА НИХ ИЗЛУЧЕНИЯ СТАНОВЯТСЯ ИСТОЧНИКАМИ ВТОРИЧНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.
34.Рэлеевское рассеяние
Это упругое рассеяние света или другого электромагнитного излучения объектами или поверхностями, намного меньшими, чем длина волны падающего света.
Если линейные размеры частиц меньше, чем , то рассеяние называется Рэлеевским
Для рассеяния света на осцилляторе массы m, с зарядом q и собственной частотой ν0 сечение рассеяния σR пропорционально четвёртой степени частоты рассеиваемого света ν:
При рассеянии на сферических частицах (неоднородностях) степень поляризации p для неполяризованного падающего света равна:
для рассеяния на удлинённых частицах на степень поляризации влияет и их ориентация.
35.Рассеяние Ми
Это рассеяние лучей света сферическими частицами (рис.индикатрисы рассеяния на частицах размеров)
Рассеяние на частицах размеры, которых относятся к рассеянию Ми. Теория рассеяния Ми учитывает размеры частиц и выражает рассеяние в виде ряда, малым параметром в котором служит:
где - радиус сферической частицы. Термин “рассеяние Ми” употребляется также и для рассеяния на частицах других форм.
При Р.Ми имеет значение не абсолютный размер частицы, а соотношение размера частицы и длины волны. При увеличении размеров частиц в рассеянии Ми проявляется преимущественно рассеяние вперед.Важной особенностью рассеяния Ми является его слабая зависимость от длины волны для частиц, линейные размеры которых много больше длины волны, что существенно отличается от рассеяния Рэлея