- •1. Механизм конденсация тонких металлических пленок на поверхности
- •4. Среднее время релаксации и жизни адатома
- •5.Средняя длина диффузионного пробега
- •6. Технология синтеза нанопроволочек по механизму пар-жидкость-кристалл (пжк)
- •8.Технология висячих углеродных нанотрубок
- •9.Технология микроструйного выстраивания нанопроволок
- •10.Достоинства транзисторов на углеродных нанотрубках
- •12.Квантовые ямы
- •13. Квантовая нить
- •14. Квантовые точки
- •15. Схема формирования двумерных электронов на гетеропереходе
- •16) Сравнение электронных систем разной размерности
- •17) Баллистическая проводимость
- •18) Одноэлектронный транзистор
- •19. Аллотропные формы углерода: определения, примеры
- •20.Графен,свойства графена.
- •21.Принцип работы стм, блок-схема
- •22. Факторы, влияющие на качеств изображения стм
- •23. Режимы постоянного тока и постоянной высоты в стм
- •24. Суть метода Ленгмюра, коэффициент растекания.
- •26. Стабильность и состояния монослоев
- •27. Понятие коллапса
- •28.Перенос монослоев на твердые тела.
- •30.Метод поверхностного потенциального барьера
- •31. Классификация нанотехнологий
- •32. Проблемы, связанные с уменьшением размеров
- •33. Рассеяние света – определение, возможности методов, основная идея рассеяния
- •34.Рэлеевское рассеяние
- •35.Рассеяние Ми
- •36.Рассеяние Мандельштама-Бриллюэна
- •37.Комбинационное рассеяние
- •38.Индикатриса
- •40 Какие процессы включает в себя литография?
- •41.Негативная литография
- •42Позитивная литография
- •43. 10 Шагов фотолитографии
- •44. Какие вещества являются предшественниками углеродных наноструктур
- •45. Методы получения и свойства углеродных нанотрубок и нановолокон
- •46.Какими факторами определяются выдающиеся механические и термические свойства оунт
- •47.Две основные группы методов получения унт
- •49. Получение унт методом каталитического пиролиза.
- •50. Непосредственное получение унт из газовой фазы
- •51. Процесс получения макроскопических волокон, содержащих оунт и полимер
- •55 Определения нжк, хжк, сжк
- •56.Переход Фредерикса и основные виды деформации
21.Принцип работы стм, блок-схема
В качестве зонда в СТМ используется остро заточенная металлическая игла. пространственное разрешение СТМ определяется в основном радиусом закругления острия и его мех. женскостью. В качестве материала для зонда обычно используются металлы с высокой твердостью и химической стойкостью: вольфрам или платина.
Схема туннельного сенсора.
Главной частью микроскопа является сенсор с высоким пространственным разрешением. Туннельный сенсор измеряет ток, протекающий между металлическим острием и образцом. Принцип работы СТМ основан на явлении туннелирования электронов через узкий потенциальный барьер между металлическим зондом и проводящим образцом во внешнем электрическом поле.
22. Факторы, влияющие на качеств изображения стм
Сканирующий зондовый микроскоп дает изображение поверхности, увеличенное во всех трех измерениях: x, y и z, максимальная разрешающая способность для каждой из осей определяется различными факторами.
Разрешение по оси z ограничивается, во-первых, чувствительностью сенсора, и, во-вторых, амплитудой вибраций зонда относительно поверхности образца. Конструкция микроскопа должна обеспечивать уменьшение амплитуды этих вибрации до долей ангстрема
Максимальное разрешение в плоскости x-y определяется, прежде всего, точностью позиционирования зонда. Важное значение имеет геометрия острия зонда. При сканировании предельно плоских (атомно-плоских) поверхностей разрешение лимитируется диаметром атома на самом конце иглы (так называемый эффект последнего атома
23. Режимы постоянного тока и постоянной высоты в стм
Альтернативный метод регистрации, применимый при исследовании малых достаточно плоских участков - работа в режиме с очень большой постоянной времени цепи обратной связи, так что при сканировании поддерживается среднее расстояние острие – образец и регистрируются быстрые изменения туннельного тока («токовое изображение»). Этот способ позволяет максимально использовать быстродействие системы регистрации и получать изображения «в реальном времени»
24. Суть метода Ленгмюра, коэффициент растекания.
эксперемент Покельс
Суть метода ленгмюровских пленок :Основная идея метода заключается в формировании на водной поверхности мономолекулярного слоя амфифильного вещества и последующем его переносе на твердую подложку.
Коэффициент растекания: Растекание жидкости В по жидкости А можно выразить через введенный Харкинсом коэффициент растекания SB/A = ?A – (?B + ?AB),где SB/A - коэффициент растекания жидкости В по жидкости А; ?A и ?B – коэффициенты поверхностного натяжения жидкостей; ?AB – относительный коэффициент поверхностного натяжения на границе их раздела. Если SB/A > 0, происходит самопроизвольное растекание, если SB/A < 0, жидкость В остается на поверхности жидкости А в виде линз.
26. Стабильность и состояния монослоев
Двумерные монослои могут находиться в трех различных состояниях: конденсированном, текучем и газообразном. Когда молекулы образуют наиболее плотную упаковку, то считается, что монослой находится в конденсированном состоянии. Ленгмюровские пленки получают только на основе конденсированных монослоев Газообразное состояние является предельным случаем противоположным конденсированному состоянию. Поверхностное давление в таких пленках при увеличении поверхности асимптотически стремится к нулю, и поверхностная вязкость пленок очень мала. Средняя молекулярная площадь в газообразном монослое данного вещества относительно велика.