- •1. Механизм конденсация тонких металлических пленок на поверхности
- •4. Среднее время релаксации и жизни адатома
- •5.Средняя длина диффузионного пробега
- •6. Технология синтеза нанопроволочек по механизму пар-жидкость-кристалл (пжк)
- •8.Технология висячих углеродных нанотрубок
- •9.Технология микроструйного выстраивания нанопроволок
- •10.Достоинства транзисторов на углеродных нанотрубках
- •12.Квантовые ямы
- •13. Квантовая нить
- •14. Квантовые точки
- •15. Схема формирования двумерных электронов на гетеропереходе
- •16) Сравнение электронных систем разной размерности
- •17) Баллистическая проводимость
- •18) Одноэлектронный транзистор
- •19. Аллотропные формы углерода: определения, примеры
- •20.Графен,свойства графена.
- •21.Принцип работы стм, блок-схема
- •22. Факторы, влияющие на качеств изображения стм
- •23. Режимы постоянного тока и постоянной высоты в стм
- •24. Суть метода Ленгмюра, коэффициент растекания.
- •26. Стабильность и состояния монослоев
- •27. Понятие коллапса
- •28.Перенос монослоев на твердые тела.
- •30.Метод поверхностного потенциального барьера
- •31. Классификация нанотехнологий
- •32. Проблемы, связанные с уменьшением размеров
- •33. Рассеяние света – определение, возможности методов, основная идея рассеяния
- •34.Рэлеевское рассеяние
- •35.Рассеяние Ми
- •36.Рассеяние Мандельштама-Бриллюэна
- •37.Комбинационное рассеяние
- •38.Индикатриса
- •40 Какие процессы включает в себя литография?
- •41.Негативная литография
- •42Позитивная литография
- •43. 10 Шагов фотолитографии
- •44. Какие вещества являются предшественниками углеродных наноструктур
- •45. Методы получения и свойства углеродных нанотрубок и нановолокон
- •46.Какими факторами определяются выдающиеся механические и термические свойства оунт
- •47.Две основные группы методов получения унт
- •49. Получение унт методом каталитического пиролиза.
- •50. Непосредственное получение унт из газовой фазы
- •51. Процесс получения макроскопических волокон, содержащих оунт и полимер
- •55 Определения нжк, хжк, сжк
- •56.Переход Фредерикса и основные виды деформации
1. Механизм конденсация тонких металлических пленок на поверхности
Этот метод заключается в испарении металла или сплава в вакууме и конденсации его паров на поверхности пластинки (подложки). Качество и прочность пленок в большей степени зависят от чистоты подложки. Поэтому поверхность подложки предварительно полируется и тщательно очищается. Часто во время напыления подложка нагревается при помощи специального нагревателя до температуры 100-3000С. При подогретой подложке частично снимаются внутренние напряжения в пленке, и улучшается ее сцепление с подложкой. Подложки могут быть изготовлены из стекла, кварца, слюды и немагнитных металлов. В качестве подложки в некоторых случаях используются сколы монокристаллов поваренной соли NaCl.
Схема испарительной части вакуумной установки для получеия пленок:1-подлжка 2-лодочка с испаряемым сплавом,3-маска, 4-пленка, 5-нагреватель, 6-корпус вакуумной камеры
2. Физический смысл понятий «Адатом», «Кластер», блок схема напыления тонких пленок.
1) Адатомом называется атом находящийся в физически адсорбированном состоянии,
но не успевший прийти в термодинамическое равновесие с поверхностью
2) Кластером называется устойчивое образование из нескольких провзаимодействовавших посредством Ван дер Ваальсовых сил друг с другом адатомов
3. Коэффициенты конденсации и аккомодации.
Коэффициент конденсации-отношение числа молекул пара, захватываемых конденсированной фазой, к общему числе молекул пара достигающих поверхность конденсации
Вероятность того, что атом будет захвачен поверхностью, называют коэффициентом конденсации или коэффициентом соударения. Его измеряют отношением числа атомов сконденсировавшегося на поверхности материала к общему числу атомов, ударившихся о поверхность.
Степень термического равновесия описывают коэффициентом аккомодации aТ, который определяется следующим образом:
aТ = (TI - TR)/(TI – TS) = (EI - ER)/(EI – ES), где T и E соответственно эквивалентные среднеквадратичные температуры и кинетические энергии падающих ( I ) и отраженных, вновь испарившихся, атомов пучка ( R ) и подложки ( S ).
4. Среднее время релаксации и жизни адатома
где v- частота тепловых колебаний адатом в узле крист. решетки
Т.е среднее время релаксации необходимо чтобы атом пришел в терм равнов с подложки должно быть где
5.Средняя длина диффузионного пробега
Наиболее быстро диффузия происходит в газах, медленнее в жидкостях, ещё медленнее в твёрдых телах, что обусловлено характером теплового движения частиц в этих средах. Траектория движения каждой частицы газа представляет собой ломаную линию, т.к. при столкновениях частицы меняют направление и скорость своего движения. Неупорядоченность движения приводит к тому, что каждая частица постепенно удаляется от места, где она находилась, причём её смещение по прямой гораздо меньше пути, пройденного по ломаной линии. Поэтому диффузионное проникновение значительно медленнее свободного движения (скорость диффузионного распространения запахов, например, много меньше скорости молекул)