Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Контрольная по СвСУ / схемотехника-учебник.pdf
Скачиваний:
161
Добавлен:
24.02.2016
Размер:
3.43 Mб
Скачать

ПРИЛОЖЕНИЕ

КЛАССИФИКАЦИЯ, ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ НАЗНАЧЕНИЕ, СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЙ ДИОДОВ, ТРАНЗИСТОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Классификация современных полупроводниковых приборов по их назначению, физическим свойствам, основным параметрам, конструктивно-технологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит отражение в системе условных обозначений их типов.

С появлением новых классификационных групп приборов совершенствуется соответственно и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 30 лет трижды претерпевала изменения.

I. Полупроводниковые диоды

Система обозначений современных полупроводниковых диодов и оптоэлектронных приборов установлена отраслевым стандартом ОСТ II 336.919-81 и базируется на ряде классификационных признаков этих приборов.

В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый

материал, на основе которого изготовлен прибор.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г или 1 — для германия или его соединений; К или 2 — для кремния или его соединений;

Аили3 — длясоединений галлия(например, дляарсенидагаллия);

Иили 4 — для соединений индия (например, для фосфида индия). Второй элемент обозначения — буква, определяющая под-

класс (или группу) приборов.

Для обозначения подклассов приборов используется одна из следующих букв:

Д — диодов выпрямительных и импульсных;

322

Ц — выпрямительных столбов и блоков;

В— варикапов;

И— туннельных диодов;

А— сверхвысокочастотных диодов;

С— стабилитронов;

Г — генераторов шума; Д — излучающих оптоэлектронных приборов; О — оптопар; Н — диодных тиристоров;

У — триодных тиристоров.

Третий элемент обозначения — цифра, определяющая основные функциональные возможности прибора.

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры применительно к различным подклассам приборов.

Диоды (подкласс Д):

1 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для выпрямительных диодов с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3 А, но не выше 10 А;

4 — для импульсных диодов с временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;

5 — для импульсных диодов с временем восстановления более

150 нс, но не свыше 500 нс; 6 — дляимпульсныхдиодовсвременемвосстановления30...150 нс;

7 — для импульсных диодов с временем восстановления 5...30 нс; 8 — для импульсных диодов с временем восстановления 1...5 нс; 9 — для импульсных диодов с эффективным «временем жизни»

неосновных носителей заряда менее 1 нс.

Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

1 — для столбов с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для столбов с постоянным или средним значением прямо-

го тока 0,3...10 А;

323

3 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

4 — для блоков с постоянным или средним значением прямого тока 0,3...10,0 А.

Варикапы (подкласс В):

1— для подстроечных варикапов;

2— для умножительных варикапов.

Туннельные диоды (подкласс И):

1 — для усилительных туннельных диодов;

2 — для генераторных туннельных диодов;

3 — для переключательных туннельных диодов;

4 — для обращенных диодов.

Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

1— для смесительных диодов;

2— для детекторных диодов;

3— для усилительных диодов;

4— для параметрических диодов;

5— для переключательных и ограничительных диодов;

6— для умножительных и настроечных диодов;

7— для генераторных диодов;

8— для импульсных диодов.

Стабилитроны (подкласс С):

1 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

2 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

3 — для стабилитронов мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

4— для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

5— для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

6— для стабилитронов мощностью 0,3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;

324

7— для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;

8— для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;

9— для стабилитронов мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.

Генераторы шума (подкласс Г):

1 — для низкочастотных генераторов шума;

2 — для высокочастотных генераторов шума.

Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л):

Источники инфракрасного излучения:

1— для излучающих диодов;

2— для излучающих модулей.

Приборы визуального представления информации:

3— для светоизлучающих диодов;

4— для знаковых индикаторов;

5— для знаковых табло;

6— для шкал;

7— для экранов.

Оптопары (подкласс О):

Р— для резисторных оптопар;

Д— для диодных оптопар;

У — для тиристорных оптопар; Т — для транзисторных оптопар.

Диодные тиристоры (подкласс Н):

1 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока не более 0,3 А;

2 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3 А, но не свыше 10 А.

Триодные тиристоры (подкласс У):

Незапираемые тиристоры:

1 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

325

2 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3...10,0 А или с максимально допустимымзначениемимпульсноготокавоткрытомсостоянии15...100 А;

7 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимымзначениемимпульсноготокавоткрытомсостоянииболее100 А.

Запираемые тиристоры:

3 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

4 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3...10 А или с максимально допустимымзначениемимпульсноготокавоткрытомсостоянии15...100 А;

8 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимымзначениемимпульсноготокавоткрытомсостоянииболее100 А.

Симметричные тиристоры:

5 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии не более 0,3 А или с максимально допустимым значением импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;

6 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии 0,3...10 А или с максимально допустимымзначениемимпульсноготокавоткрытомсостоянии15...100 А;

9 — для тиристоров с максимально допустимым значением среднего тока в открытом состоянии более 10 А или с максимально допустимымзначениемимпульсноготокавоткрытомсостоянииболее100 А.

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа.

Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем используют трехзначное число от 101 до 999.

Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

326

Вкачестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за исключением букв: 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).

Вкачестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

цифры 1...9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров; букву С для обозначения сборок — наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соеди-

ненных одноименными выводами; цифры, написанные через дефис, для обозначения следующих мо-

дификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов: 1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя; 2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки); 4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке); 5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (под-

ложки) и без выводов; 6 — с контактными площадками на кристаллодержателе без

выводов; букву Р после последнего элемента обозначения для прибо-

ров с парным подбором, букву Г — с подбором в «четверки», букву К — с подбором в «шестерки».

Таким образом, современная система обозначений вмещает значительный объем информации о свойствах прибора.

Примеры обозначения приборов

ГД107Б — германиевый выпрямительный диод с Iпр.ср.max ≤ 10 А, номер разработки 7, группа Б;

2Ц202Г — столб выпрямительный из кремниевых диодов с

0,3 А < Iпр.ср.max ≥ 10 А, номер разработки 2, группа Г;

КУ202Н — кремнивый незапираемый триодный тиристор с

0,3А < Iпр. ср. max ≤ 10А и 15А < Iосп ≤ 100А, номер разработки 2, группа Н.

II. Транзисторы

Система условных обозначений современных типов транзисторов (кромесиловых) установленаотраслевымстандартомОСТII 336.919-81. Восновусистемыобозначенийположенбуквенно-цифровойкод.

327

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. При этом используют буквы или цифры:

Г или 1 — для германия или его соединений; К или 2 — для кремния или его соединений;

Аили3 — длясоединенийгаллия(практическидляарсенидагаллия); И или 4 — для соединений индия.

Второйэлемент— буква, определяющаяподкласс(илигруппу) транзистора. Длябиполярныхтранзисторов— букваТ, адляполевых— П.

Третий элемент — цифра, определяющая функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам. Для обозначения функциональных возможностей применяются следующие цифры:

для транзисторов малой мощности (с максимальной рассеи-

ваемой мощностью не более 0,3 Вт):

1 — низкой частоты, с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее — граничной частотой) не более 3 МГц;

2 — средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более

30 МГц; 3 — высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой бо-

лее 30 МГц;

для транзисторов средней мощности (с максимальной рассеи-

ваемой мощностью более 0,3 Вт, но не более 1,5 Вт):

4 — низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц; 5 — средней частоты, с граничной частотой более 3, но не бо-

лее 30 МГц; 6 — высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой бо-

лее 30 МГц;

для транзисторов большой мощности (с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт):

7 — низкой частоты, с граничной частотой не более 3 МГц; 8 — средней частоты, с граничной частотой более 3, но не более

30 МГц; 9 — высокой и сверхвысокой частот, с граничной частотой бо-

лее 30 МГц.

Внастоящемсправочникектранзисторамвысокойчастотыотнесенытранзисторысграничнойчастотойболее30, нонеболее300 МГц, а

ктранзисторам СВЧ — с граничной частотой более 300 МГц.

328

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки транзистора.

Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию транзисторов по параметрам.

Для бескорпусных приборов в состав обозначения дополнительно через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения:

1— с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки);

2— с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);

3— с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);

4— с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);

5— с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;

6— с контактными площадками на кристаллодержателе (подложке), но без выводов.

Система условных обозначений силовых транзисторов отличается от описанных систем. В соответствии с этой системой приняты следующие обозначения.

Первый элемент (у некоторых типов транзисторов он может отсутствовать) — цифра, обозначающая исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:

1— германий;

2— кремний;

3— арсенид галлия;

4— карбид кремния.

Второй элемент — буквы: ТК, ТКД или ТКП, обозначающие вид прибора (декретный биполярный, составной биполярный и полевой транзисторы, соответственно).

Третий элемент — цифра, обозначающая порядковый номер разработки (модификации) .

Четвертый элемент — цифра, определяющая размер корпура для каждого конструктивного исполнения.

Пятый элемент — цифра, обозначающая конструктивное исполнение корпуса:

1— штыревое с гибкими выводами;

2— штыревое с жесткими выводами;

3— таблеточное;

4— под запрессовку;

5— фланцевое.

329

Конструктивные исполнения, отличные от указанных, обозначаются цифрами от 6 до 9.

Шестой элемент — отделенное дефисом число, соответствующее максимально допустимому значению постоянного тока коллектора (стока) в амперах.

Седьмой элемент — отделенное дефисом число, определяющее условное обозначение класса транзистора по максимально допустимому постоянному напряжению «коллектор-эмиттер» при отключенной базе (или по напряжению «сток-исток»).

III. Интегральные схемы

Система условных обозначений современных интегральных схем установлена ГОСТ 17467-88. В соответствии с этим ГОСТ по конструктивно-технологическому исполнению микросхемы подразделяются на три группы, которым присвоены следующие обозначения:

1; 5; 7 — полупроводниковые; 2; 4; 6; 8 — гибридные;

3 — прочие (пленочные, вакуумные, керамические и т.д.). Условное обозначение типа интегральной схемы состоит из че-

тырех элементов.

Первый элемент — цифра, указывающая конструктивно-тех- нологическое исполнение микросхемы (полупроводниковая, гибридная);

второй элемент — две цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии микросхем (от 00 до 99);

третий элемент — две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхемы;

четвертый элемент — порядковый номер разработки микросхем по функциональному признаку в данной серии.

В зависимости от количества элементов на одном кристалле площадью в 1 мм2 микросхемы делятся на простые интегральные схемы (МИС), средней интеграции элементов (СИС), большие интегральные схемы (БИС) и сверхбольшие ИС (СБИС): МИС — число элементов до 100, СИС — до 1000, БИС — до 10 000 и СБИС — более 10 000.

330

В соответствии с ГОСТ микросхемы по функциональному назначению обозначаются следующим образом:

1.Генераторы: гармонических сигналов — ГС; прямоугольных сигналов — ГГ; линейно-изменяющихся сигналов — ГЛ; сигналов специальной формы — ГФ; прочие — ГП.

2.Детекторы: амплитудные — ДА; импульсные — ДИ; частотные —ДС; фазовые — ДФ; прочие — ДП.

3.Коммутаторы и ключи: тока — КТ; напряжения — КН; прочие — КП.

4.Логические элементы: элемент И-НЕ-ЛА; элемент ИЛИ-НЕ-ЛЕ; элемент -ЛИ; элемент ИЛИ-ЛЛ; элемент НЕ-ЛН; элемент И-ИЛИ-ЛС; элемент И-НЕ и ИЛИ-НЕ-ЛБ; элемент И-ИЛИ-НЕ-ЛР; элемент И- ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ - ЛК; элемент ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ-ЛК; расширители — ЛД; прочие —ЛП.

5.Модуляторы: амплитудные — МА; частотные — МС; фазовые — МФ; импульсные — МИ; прочие — МП.

6.Преобразователи: частоты — ПС; фазы — ПФ; длительности —ПД; напряжения — ПН; мощности — ПМ; уровня (согласователи) — ПУ; код-аналог — ПА; аналог-код — ПВ; код-код — ПР; прочие — ПП.

7.Вторичные источники питания: выпрямители — ЕВ; преобразователи — ЕМ; стабилизаторы напряжения — ЕН; стабилизаторы тока — ЕТ; прочие — ЕП.

8.Схемызадержки: пассивные— БМ; активные— БР; прочие— БП.

9.Схемы селекции и сравнения: амплитудные (уровня сигнала) — СА; временнûе — СВ; частотные — СС; фазовые — СФ; прочие — СП.

10.Триггеры: IК-типа — ТВ; R-типа — ТР; Д-типа — ТН; Т-типа — ТТ; динамические — ТД; Шмитта — ТЛ; комбинированные (типа ТД, ТР и др.) — ТК; прочие — ТП.

11.Усилители: высокой частоты — УВ; промежуточной частоты — УР; низкой частоты — УН; импульсных сигналов — УИ; повторители — УЕ; считывания и воспроизведения — УЛ; индикации — УМ; постоянного тока — УТ; операционные и дифференциальные — УД; прочие — УЛ.

12.Фильтры: верхних частот — ФВ; нижних частот — ФН; полосовые — ФЕ; режекторные — ФР; прочие — ФП.

331

13.Формирователи: импульсов прямоугольной формы — АГ; импульсной специальной формы — АФ; адресных токов — АА; разрядных токов — АР; прочие — АП.

14.Элементы запоминающих устройств — матрицы-накопите- ли: ОЗУ — РМ; ПЗУ — РВ; ОЗУ со схемами управления — РУ; ПЗУ (масочные) со схемами управления — РЕ; ПЗУ со схемами управления с однократным программированием — РТ; ПЗУ со схемами управления и с многократным программированием — РР; АЗУ со схемами управления — РА; прочие — РП.

15.Элементы арифметических и дискретных устройств: регистры — ИР; сумматоры — ИМ; полусумматоры — ИЛ; счетчики — ИЕ; шифраторы — ИВ; дешифраторы — ИД; комбинированные — ИК; прочие — ИП.

16.Многофункциональные: аналоговые — ХА; цифровые — ХЛ; комбинированные — ХК; прочие — ХП.

17.Микросборки, наборы элементов: диодов — НД; транзисторов — НТ; резисторов — НР; конденсаторов — НЕ; комбинированные — НК; прочие — НП.

Условия применения микросхем, их функциональные и энергетические характеристики, а также размеры кристаллов, методы их монтажа и защиты от внешних воздействующих факторов и используемые при этом материалы способствовали развитию широкой номенклатуры корпусов микросхем. В частности, для логических микросхем существует шесть типов корпусов. Каждый тип

взависимости от конструктивных особенностей подразделяется на несколько (от двух до пяти) подтипов; их отличия — в размерах, количестве и расположении выводов — формируют целую гамму типоразмеров корпусов. Так, корпуса второго типа (Д1Р) имеют более полусотни типоразмеров.

Условное обозначение корпусов микросхем состоит из шифра типоразмера, включающего подтип корпуса, и двухзначного числа, обозначающего порядковый номер типоразмера, а также цифрового индекса количества выводов или выводных площадок и порядкового регистрационного номера корпуса.

4. Генераторы и формирователи сигналов.....................................

186

4.1. Генераторы синусоидальных колебаний...............................

186

4.1.1. Генераторы LC-типа (LC-генераторы) ...............................

188

4.1.2. Кварцевые генераторы.........................................................

190

332