
- •Міністерство освіти і науки україни
- •1 Понятие о строении твёрдых тел
- •1.1 Строение кристаллических твёрдых тел
- •1.2 Типы конденсированных систем
- •1.3 Описание структуры кристаллов
- •1.4 Кристаллографические индексы (индексы миллера)
- •1.5 Рентгеновский анализ
- •1.5.1 Оценка расстояния между атомами и требования к методу измерения
- •1 Моль Cu;
- •1.5.2 Получение рентгеновского излучения
- •1.5.3 Закон Вульфа-Брэггов
- •1.5.4 Идентификация кристаллических веществ
- •1.5.5 Атомные факторы рассеивания рентгеновского излучения
- •1.5.6 Структурная амплитуда и структурный фактор рассеивания
- •1.5.7 Индицирование рентгенограмм и определение параметров решёток
- •2 Несовершенства в кристаллах
- •2.1 Термодинамика образования точечных дефектов
- •2.2 Взаимодействие точечных дефектов
- •2.3 Дислокации
- •2.4 Свойства дислокаций
- •2.5 Наблюдение дислокаций
- •3 Механические свойства твердых тел
- •3.1 Упругая деформация. Закон гука
- •3.2 Пластическое течение кристаллов
- •3.3 Теоретическая прочность хрупких тел
- •3.4 Реальная прочность хрупких тел
- •3.5 Пути упрочнения хрупких материалов
- •3.6. Теоретическая плотность пластичных тел
- •3.7 Ползучесть керамики
- •3.8 Твёрдость керамики
- •3.9 Временная прочность твердых тел
- •4 Электронное состояние в твердых телах
- •4.1 Понятие об энергетической зоне
- •4.2 Энергия ферми
- •4.3 Плотность электронных состояний
- •4.4 Фотопроводимость
- •4.5 Оптические свойства (с точки зрения зонной теории)
- •5 Свойства диэлектриков
- •5.1 Поляризация
- •5.2 Высокочастотные изолирующие свойства
- •5.3 Сегнтоэлектрики
- •5.4 Понятие о пьезо- и пироэлектриках
- •6 Тепловые свойства твердых тел
- •6.1 Классическая теория теплоемкости. Закон дюлонга-пти
- •6.2 Теория теплоемкости эйнштейна
- •6.3 Теория теплоемкости дебая
- •6.4 Способы определения теплоемкости
- •2. Экспериментальное определение теплоемкости
- •6.5 Тепловодность, температуропроводность
- •6.6 Влияние пор на теплопроводность
- •6.7 Теплоемкость дисперсных сред
- •6.8 Тепловое расширение
- •7 Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом
- •7.1 Законы поглощения
- •7.2 Люминесценция
- •7.3 Фотохимические превращения
- •7.4 Сенсибилизированные реакции
- •8 Магнитные свойства твердых тел
- •8.1 Магнитное поле в магнетиках
- •8.2 Природа диамагнетизма
- •8.3 Природа парамагнетизма
- •8.4 Парамагнитные тела
- •8.5 Ферромагнетизм
- •8.6 Доменная структура фeрромагнетиков
- •8.7 Кривая намагничевания ферромагнетиков
- •8.8 Ферриты
- •9 Кристаллизация
- •9.1 Образование зародышей
- •9.2 Самопроизвольный рост зародышей
- •Кинетика кристаллизации
1.5.3 Закон Вульфа-Брэггов
В 1913 году русский физик Вульф и английские физики отец и сын Брэгги открыли закон отражения рентгеновского излучения при прохождении его через кристалл.
Закон:
Рассеивание (отражение) рентгеновского излучения от атомов вещества эквивалентно отражению света от системы полупрозрачных атомных плоскостей.
AO+OB – разность хода двух волн
Было
предположено, что усиление отражённого
рентгеновского излучения будет
наблюдаться в том случае, когда в точке
и точкеB
волна рентгеновского излучения будет
находиться в одной фазе. Для этого
необходимо, чтобы на разности хода волн
укладывалось целое число длин волн.
Поскольку
величина
является постоянной и зависит от
рентгеновской трубки, а величин
в кристалле множество,
существует множество углов
,
при которых выполняется закон
Вульфа-Брэггов.
Закон
Вульфа-Брэггов будет выполняться для
веществ с периодическим строением (то
есть кристаллических веществ). Ни тип
кристаллической решётки, ни химическое
строение вещества не влияют на выполнимость
данного закона,
с помощью рентгеновского анализа можно
отличать кристаллические вещества от
аморфных.
1.5.4 Идентификация кристаллических веществ
Рентгеновский анализ подразделяется:
1) на рентгенофазовый анализ, с помощью которого идентифицируют твёрдые фазы;
2) на рентгеноструктурный анализ, по данным которого рассчитывают параметры кристаллической решётки, устанавливают структуру молекул и определяют сингонию кристаллов.
А. Рентгенофазовый анализ (РФА).
Он
в значительной степени является
качественным и в основном используется
для определения веществ.
Схема РФА
Количество
пиков (рефлексов) и их положение зависит
от сингонии кристаллов и химического
строения вещества (состава). Для веществ
одной сингонии количество пиков будет
одинаково, но их положение будет разным.
Для веществ разной сингонии, как положение
пиков, так и их количество будут разными
рентгенограмма,
по сути, является паспортом вещества.
Сравнивая рентгенограммы неизвестного
вещества с табличными рентгенограммами
(картотека ASTM),
можно установить исследуемое вещество.
Если рентгенограммы получены с
использованием различных рентгеновских
трубок, необходимо сравнивать не значения
,
а межплоскостные расстояния, которые
необходимо посчитать по соотношению
Применение РФА.
1. Можно отличить кристаллическое вещество от аморфных и стёкол: на рентгенограммах стёкол и аморфных веществ нет ярко выраженных пиков.
2. С помощью ASTM можно идентифицировать вещество.
3. Можно отличить химическое соединение от механической смеси того же состава, можно следить за степенью превращения в твёрдофазных реакциях.
4.
Отличать кристаллические модификации
одного вещества:
,
,
,
5. И другие применения.
Б. Рентгеноструктурный анализ (РСА).
С
помощью рентгеноструктурного анализа
определяется параметр решётки
;
определяется рентгеновская плотность
материала; структура молекулы.
1.5.5 Атомные факторы рассеивания рентгеновского излучения
где
– плотность электронного облака;
–порядковый
номер элемента;
если
то
Чем
больше
,
тем больше фактор рассеивания.
Более
тяжёлые атомы лучше отражают рентгеновское
излучение,
интенсивность пиков на рентгенограмме
будет максимальной. Таким образом,
атомный фактор
зависит от химической природы вещества.