9.1 Образование зародышей

F₂ – системы с зародышами:

(1)

где S – поверхность зародыша;

σ – поверхностная энергия.

(2)

q – удельная теплота плавления.

∆Т = Т₀ – Т,

где ∆Т – переохлаждение системы.

(1) – (2):

где V – объем зародыша.

где r_кр – критическая величина.

Если r–зародыша превышает критический размер, то в системе начинается спонтанное образование кристаллов. Если r меньше, чем r_кр, то зародыш растворяется.

9.2 Самопроизвольный рост зародышей

где А – вероятность.

Если зародыш образовался на поверхности стенки или примеси, то на вероятность его образования оказывает влияния состояние поверхности и возможность смачивания, зародышей стенки или примеси.

Ө - угол смачивания.

Ө → π Ө → 0

где W – энергия образов зародыша.

Кинетика кристаллизации