- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •Часть I. ПРОБОЙ ГАЗОВ
- •Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
- •1.1. Законы сохранения энергии при столкновении атомных частиц
- •1.2. Интегральные характеристики столкновения
- •1.3. Энергия взаимодействия атомных частиц
- •1.4. Подвижность заряженных частиц
- •1.5. Диффузия заряженных частиц
- •1.6. Возбуждение и ионизация атомов и молекул
- •1.7. Термическая ионизация
- •1.8. О возможности ионизации газа ионами
- •1.9. Рекомбинация заряженных частиц
- •1.10. Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная эмиссия. Фотоэффект на катоде
- •1.11. Элементы кинетического уравнения для электронов
- •Глава 2. Теория пробоя Таунсенда
- •2.1. Первый коэффициент Таунсенда
- •2.2. Прилипание электронов к атомам и молекулам. Отрыв электронов от отрицательных ионов
- •2.3. Второй коэффициент Таунсенда
- •2.4. Электронная лавина
- •2.5. Условие самостоятельности разряда. Закон Пашена
- •2.6. Отступления от закона Пашена
- •2.7. Время разряда
- •Глава 3. Пробой газа в различных частотных диапазонах
- •3.1. СВЧ-пробой
- •3.2. ВЧ-пробой
- •3.3. Оптический пробой
- •Глава 4. Искровой разряд в газах
- •4.1. Наблюдения за развитием разряда в ионизационной камере
- •4.2. Схемы развития лавинно-стримерных процессов
- •4.3. Граница таунсендовского и стримерного разрядов
- •4.4. Пробой газов в наносекундном диапазоне времени
- •4.5. Длинная искра, разряд в виде молнии
- •4.6. Главный разряд
- •Глава 5. Самостоятельные разряды в газах
- •5.1. Тихий разряд
- •5.2. Тлеющий разряд
- •5.3. Дуговой разряд
- •5.4. Коронный разряд
- •5.5. Разряд по поверхности твердого диэлектрика
- •5.6. Зависимость пробивного напряжения газа от межэлектродного расстояния
- •Список литературы к разделу «Пробой газов»
- •Часть II. ПРОБОЙ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Тепловой пробой твердых диэлектриков
- •1.1. Теория теплового пробоя Вагнера
- •1.2. Другие теории теплового пробоя
- •Глава. 2. Классические теории электрического пробоя
- •2.1. Теория Роговского. Разрыв ионной кристаллической решетки
- •2.2. Разрыв твердого диэлектрика по микротрещине. Теория Горовица
- •2.3. Теория А. Ф. Иоффе
- •2.4. Теория А.А. Смурова. Теория электростатической ионизации
- •Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
- •3.1. Теория Зинера. Теория безэлектродного пробоя
- •3.2. Теория Фаулера. Пробой электродного происхождения
- •3.3. Теория Я.И. Френкеля. Теория термической ионизации
- •Глава 4. Теории пробоя твердых диэлектриков вследствие ударной ионизации электронами
- •4.1. Теории Хиппеля и Фрелиха
- •4.2. Теории пробоя, основанные на решении кинетического уравнения. Теория Чуенкова
- •4.3. Некоторые замечания по теориям пробоя, основанных на рассмотрении механизма ударной ионизации электронами
- •Глава 5. Экспериментальные данные, укладывающиеся в представления о пробое твердых диэлектриков ударной ионизацией электронами
- •5.1. Стадии пробоя твердых диэлектриков
- •5.2. Развитие разряда в однородном и неоднородном полях в твердых диэлектриках
- •5.3. Эффект полярности при пробое в неоднородном электрическом поле
- •5.4. Влияние материала электродов на пробой твердых диэлектриков
- •5.5. Зависимость времени разряда от толщины диэлектрика. Формирование многолавинно-стримерного механизма разряда
- •Глава 6. Процессы, наблюдаемые в диэлектриках в области сверхсильных электрических полей
- •6.1. Электрическое упрочнение
- •6.2. Электронные токи в микронных слоях ЩГК в сильных электрических полях
- •6.3. Свечение в микронных слоях ЩГК
- •6.4. Дислокации и трещины в ЩГК перед пробоем
- •Глава 7. Другие теории пробоя твердых диэлектриков
- •7.2. Энергетический анализ электрической прочности твердых диэлектриков по теории Ю.Н. Вершинина
- •7.4. Термофлуктуационная теория разрушения твердых диэлектриков электрическим полем В.С. Дмитревского
- •7.5. Особенности пробоя полимерных диэлектриков. Теория электрического пробоя Артбауэра
- •7.6. Теория электромеханического пробоя Старка и Гартона
- •Глава 8. Некоторые особенности и закономерности электрического пробоя твердых диэлектриков
- •8.1. Статистический характер пробоя твердых диэлектриков
- •8.2. Минимальное пробивное напряжение
- •8.3. Неполный пробой и последовательный пробой
- •8.4. Кристаллографические эффекты при пробое кристаллов
- •8.5. Зависимость электрической прочности от температуры
- •8.6. Зависимость электрической прочности от времени воздействия напряжения
- •8.7. Пробой диэлектрических пленок
- •8.8. Формованные системы металл–диэлектрик–металл (МДМ)
- •8.9. Заключение по механизму электрического пробоя твердых диэлектриков
- •Глава 9. Электрохимический пробой
- •9.1. Электрическое старение органической изоляции
- •9.2. Кратковременное пробивное напряжение
- •9.3. Старение бумажной изоляции
- •9.4. Старение неорганических диэлектриков
- •Список литературы к разделу «Пробой твердых диэлектриков»
- •Часть III. ПРОБОЙ ЖИДКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Пробой жидкостей высокой степени очистки
- •1.1. Проводимость жидких диэлектриков
- •1.2. Пробой жидкостей вследствие ударной ионизации электронами
- •1.3. Пробой жидкостей неударным механизмом
- •Глава 2. Пробой жидких диэлектриков технической очистки
- •2.1. Влияние влаги
- •2.2. Влияние механических загрязнений
- •2.3. Влияние газовых пузырьков
- •2.4. Теории теплового пробоя жидких диэлектриков
- •2.5. Вольтолизационная теория пробоя жидких диэлектриков
- •2.6. Влияние формы и размеров электродов, их материала, состояния поверхности и расстояния между ними на пробой жидкостей
- •2.7. Развитие разряда и импульсный пробой в жидкостях
- •2.8. Влияние ультразвука на электрическую прочность
- •2.9. Внедрение разряда в твердый диэлектрик, погруженный в изолирующую жидкость
- •Список литературы к разделу «Пробой жидких диэлектриков»
- •ОГЛАВЛЕНИЕ
Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
Другим примером ассоциативной ионизации может служить реакция CH+O → CHO+ + q , протекающая в углеродно-водородном пла-
мени.
При рассмотрении термической ионизации следует учитывать также, что при высоких температурах наряду с возрастанием концентрации ионов и электронов становится значительной и их рекомбинация.
В состоянии термодинамического равновесия плотность электронов, ионов и нейтральных атомов связаны соотношением Саха, которое выводится методами статистической физики безотносительно к механизму рождения и исчезновения зарядов [3]. В электронейтральной плазме при однократной ионизации атомов ne = n+ . Если степень иони-
зации мала, т.е. при ne << N уравнение Саха имеет вид:
|
g+ |
1 2 |
|
1 2 3 4 |
|
I |
|
||
|
|
|
|
||||||
|
N |
|
T |
exp − |
|
, |
(1.31) |
||
ne ≈ A |
|
|
|
|
|||||
|
ga |
|
|
|
|
2KT |
|
||
где A = 4.85 1015 |
см-3 К-3/2; |
|
|
|
|||||
g+ и ga – статистические веса иона и атома; |
|
||||||||
ne и n+ |
– концентрация электронов и ионов; |
|
|||||||
N – общая концентрация атомных частиц; |
|
||||||||
I – потенциал ионизации; |
|
|
|
К – постоянная Больцмана; Т – температура, К.
Во многих реальных условиях числа электронов и высоко возбужденных атомов не успевает приходить в равновесие с полным числом атомов, но между электронами в свободном и связанном на высоких уровнях состояниях равновесие успевает установиться. В этом случае более справедливым будет соотношение, полученное комбинацией из уравнений Саха и Больцмана [3]
n n |
+ |
|
g |
+ |
|
|
I |
n |
|
|
e |
= |
|
AT 3 2 exp |
− |
|
. |
(1.32) |
|||
|
|
ga |
|
|
||||||
Nn |
|
|
KT |
|
Здесь In – потенциал ионизации из n-ого состояния; Nn – равновесная плотность атомов.
1.8. О возможности ионизации газа ионами
При лобовом ударе иона и атома передаваемая энергия от иона, согласно формуле (1.6), равна:
W = |
2m1m2 |
(1 −Cosθ )(W −W ). |
(1.33) |
||
|
|||||
|
(m |
+ m )2 |
1 |
2 |
|
|
|
|
|
||
|
1 |
2 |
|
|
|
21
Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
При условии когда m1=m2 , а W2 = 0 (когда атом неподвижен) пе-
редаваемая энергия |
W = |
1 |
W |
, т.е. передается половина энергии иона. |
|
2 |
|||||
|
|
1 |
|
||
Если принять, что |
W = |
Wи , то, казалось бы, при W1 = 2 Wи будет |
происходить ионизация атома. Однако этого не происходит. Дело в том, что ион передает энергию не валентному электрону атома, а самому атому. Чтобы происходила ионизация, скорость иона должна быть порядка 108 см/с, как при ударной ионизации электроном. При
этом энергия иона должна быть порядка 10 m / me = (103 ÷104 ) эВ. В
большинстве случаев ионы с такой энергией в газовом разряде не встречаются [3,4].
Следует отметить также, что при движении иона в собственном газе наблюдается явление резонансной перезарядки. Когда ион подходит достаточно близко к атому, электрон от атома переходит к иону. При этом ион превращается в атом со значительной энергией. За счет этого вероятность ударной ионизации ионами еще больше уменьшается. Резонансная перезарядка является эффективным механизмом отбора энергии от ионов. Практически в газовом разряде ионы не производят ударную ионизацию.
1.9. Рекомбинация заряженных частиц
Рекомбинация заключается во взаимной нейтрализации зарядов при сближении разноименно заряженных частиц. Вероятность рекомбинации зависит от концентрации заряженных частиц и скорости их относительного движения. В газе при нормальных условиях концен-
трация нейтральных частиц составляет 1.7 1019 см-3, а заряженных час-
тиц порядка 1012 см-3 [2,3]. Поэтому электрон гораздо чаще будет сталкиваться с нейтральными частицами, нежели с положительными ионами.
В газах, содержащих молекулы с высокой электроотрицательностью, может наблюдаться захват электрона этими молекулами и образование отрицательных ионов. Образуемые при этом отрицательные ионы могут рекомбинировать с положительными ионами.
Уравнение, характеризующее рекомбинацию, имеет вид
− |
dn+ |
= − |
dn− |
= Аn+n− . |
(1.34) |
||
dt |
dt |
||||||
|
|
|
|
|
|||
Здесь А – коэффициент рекомбинации. |
|||||||
Если n+ ≈ n− |
= n , то − |
dn |
= Аn2 . После разделения переменных: |
||||
dt |
|||||||
|
|
|
|
|
|
22
Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
− |
dn |
= Аdt . |
(1.35) |
||||
|
|
|
|||||
|
n2 |
|
|||||
После интегрирования получаем |
|
||||||
n = |
|
|
no |
|
|||
|
|
. |
(1.36) |
||||
1 + Аnot |
|||||||
Здесь no – концентрация частиц. |
|
||||||
При условии 1 << Аnot , количество рекомбинирующих частиц |
|||||||
n = |
1 |
. |
(1.37) |
||||
|
|||||||
|
|
|
Аt |
|
|||
Простое выражение для рекомбинации электрона |
и иона |
er + M + = M является достаточно грубым и не соответствует истинному протеканию процессов, т.к. не удовлетворяет условиям закона сохранения энергии и импульса. Для выполнения этих условий требуется третья частица [3]. Можно указать 4 выражения, которые удовлетворяют условиям выполнения указанных законов:
er + M + = M + er, |
(1.38) |
er + M + + L+ = M + L+ , |
(1.39) |
er + M + + L = M + L , |
(1.40) |
er + M + = M + hω . |
(1.41) |
Для выбора эффективных процессов из указанных четырех выражений нужно применять принцип детального равновесия, который применительно к данному случаю формулируется так: вероятность прямых процессов (левая часть уравнений 1.38–1.41) должна соответствовать вероятности обратных процессов (правая часть уравнений
1.38–1.41).
Как уже отмечалось, ударная ионизация ионами и атомами в слабоионизованной плазме маловероятна. Поэтому рекомбинация по схеме уравнений (1.39) и (1.40) характеризует маловероятную рекомбинацию. И наоборот, ударная ионизация электронами и фотоионизация по схеме уравнений (1.38) и (1.41) весьма эффективна.
Рекомбинация по схеме (1.38) называется ударной рекомбинацией. Рекомбинация по схеме (1.41) называется радиационной рекомбинаци-
ей. |
|
|
|
|
|
|
Коэффициент ударной рекомбинации |
|
|||||
Ауд = |
10−13 |
|
n |
, |
(1.42) |
|
Т 12 |
T e |
|||||
|
|
|
где T e – температура электронов, эВ; п – концентрация электронов в см3.
23
Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
Коэффициент радиационной рекомбинации |
|
|
|
|
||||||
Арад = |
10 |
−13 |
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
. |
|
|
|
|
(1.43) |
||
|
Т |
12 |
|
|
|
|
||||
Видно, что с увеличением температуры электронов растет Арад |
и, |
|||||||||
наоборот, уменьшается Ауд. |
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
|
Наряду с рассмотренными, различают |
|||||
|
|
|
|
|
также другие виды рекомбинаций. К ним |
|||||
|
|
|
|
|
относится диссоциативная рекомбинация, |
|||||
|
|
|
|
|
которая протекает по схеме |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
er +( ML )+ M + L , |
|
|
|
||
|
|
|
|
|
а |
также |
рекомбинация |
|
в |
|
|
|
|
|
|
электроотрицательных газах (О2, пары воды и |
|||||
Рис. 1.4. Схема потен- |
др.). |
|
|
|
|
|
||||
циальной ямы для ва- |
Столкновение электронов с молекулами |
|||||||||
лентных электронов в |
электроотрицательных |
газов |
ведет |
к |
||||||
металле |
|
|
|
|
образованию электроотрицательных |
ионов. |
||||
рекомбинации: |
Можно |
указать 3 |
схемы |
указанной |
||||||
|
|
|
|
|
|
|||||
1. er + M − → M + + hω , |
|
|
|
(1.45) |
||||||
2. er + M + L = M − + L , |
|
|
|
(1.46) |
||||||
3. er + ML → M − + L+. |
|
|
|
(1.47) |
Третий процесс наиболее вероятен, т.к. не требуется третья частица. Все три процесса характеризуют прилипание электронов, механизм которого рассматривается ниже. При этом образуются следующие от-
рицательные ионы: О− ,О2− ,NO2− ,NO−. Особенно интенсивно образу-
ются отрицательные ионы кислорода. В инертных газах отрицательные ионы не образуются. В общем, интенсивность рекомбинации растет с увеличением концентрации электронов. Таким образом, рекомбинация приводит к уменьшению концентрации электронов в газоразрядной плазме.
1.10.Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная эмиссия. Фотоэффект на катоде
Важную роль в поддержании газового разряда и образовании первичных электронов, обусловливающих развитие ударной ионизации в газе, играют процессы термоэлектронной, автоэлектронной эмиссии и фотоэффект с катода [3,6]. Известно, что валентные электроны металла можно рассматривать как электронный газ. В нормальных условиях электроны проводимости в металле связаны в поле положительных ио-
24
Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
нов. Каждый из этих электронов взаимодействует с ионным остатком металла и с другими электронами. Эти электроны, которые можно считать свободными внутри металла, образуют энергетические уровни (рис. 1.4). Согласно принципу Паули, на каждом уровне находятся два
|
|
электрона |
с |
противоположными |
||
|
|
спинами. При температуре абсолютного |
||||
|
|
нуля энергетические |
уровни |
плотно |
||
|
|
сжаты. Валентные электроны, если им не |
||||
|
|
сообщить дополнительную энергию, не |
||||
|
|
могут покинуть металл, т.е. находятся |
||||
Рис. 1.5. Функция распре- |
как бы в потенциальной яме. |
|
||||
Для выхода электрона в вакуум ему |
||||||
деления электронного газа |
нужно |
сообщить |
|
дополнительную |
||
при Т = 0 К |
(сплошная |
энергию, называемую работой выхода |
||||
кривая) и при воздействии |
||||||
температуры |
(штриховая |
Wв . В табл.1.5 приведены данные для |
||||
кривая) |
|
работы |
выхода |
Wв |
и |
значения |
коэффициента А1, полученные по результатам измерения многих авторов для различных металлов [3,17].
Таблица 1.5
Металл |
Cs |
Al |
Fe |
Ni |
Cu |
Mo |
Ba |
W |
Pt |
Wв, эВ |
1.87 |
4.25 |
4.31 |
4.5 |
4.39 |
4.43 |
2.4 |
4.53 |
5.32 |
А1, А/см2 К 2 |
30÷ |
– |
60÷ |
30÷ |
60÷ |
60÷ |
60 |
40÷ |
10÷ |
|
170 |
|
700 |
50 |
100 |
150 |
|
100 |
170 |
Как видно из табл. 1.5, наибольшей величиной Wв обладает платина – 5.32 эВ, а наименьшей Wв обладает цезий – 1.87 эВ, который используется в электронно-лучевых приборах.
1.10.1. Термоэлектронная эмиссия
Термоэлектронная эмиссия наблюдается при нагреве металла до высоких температур порядка 1000 оС и выше. Из рис.1.5 видно, что при повышении температуры относительно нуля край функции распределения энергетических уровней электронов размывается на величину
КТ.
В этом случае часть электронов, приобретая дополнительную энергию за счет теплового колебательного движения, может преодолеть притяжение ионов металла и покинуть металл. Для термоэлектронной эмиссии справедливо уравнение Ричардсона
j = А1T 2e−WКTв ,
где А1 – постоянная, определяемая видом металла (табл. 1.5).
25
Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
1.10.2. Автоэлектронная эмиссия
Автоэлектронная эмиссия проявляется в очень сильных электрических полях. Под действием электрического поля происходит искажение (наклон) энергетических уровней и электрон может непосредственно без изменения собственной энергии выйти за пределы металла путем туннелирования. При этом чем сильнее поле, тем меньше ширина потенциального барьера qEx (рис. 1.6) и тем больше число электро-
нов может просачиваться через этот барьер.
Плотность тока автоэлектронной эмиссии может быть вычислена по уравнению, предложенному в 1928 г. Фаулером и Нордгеймом:
|
q2 |
|
W 1 / 2 E 2 |
|
8π(2n |
о |
)1 / 2W 3 / 2 |
|
|||||
j = |
|
|
|
o |
|
exp |
|
|
в |
|
|
, |
|
2πh |
[W |
|
]W 1 / 2 |
|
3hE |
|
|
||||||
|
|
пот |
|
|
|
|
|
|
|||||
|
|
|
|
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
где Wпот – потенциальная энергия; |
no |
– количество электронов; E – |
напряженность приложенного электрического поля.
Как показывают расчеты, для большинства металлов значительная плотность тока автоэлектронной эмиссии достигается при напряжен-
ностях поля порядка Е =109 В/м, тогда как пробой газов при атмосфер-
ном давлении происходит при напряженностях поля порядка 106 В/м, а при большом давлении и в случае вакуума величина Епр газов состав-
ляет 108 В/м.
1.10.3. Взрывная эмиссия |
|
|
||
|
|
При выше указанных условиях (вакуум, |
||
|
|
высокое давление газа) важную роль, по- |
||
|
|
видимому, играют неровности (микроострия) |
||
|
|
на поверхности катода, вызывающие |
||
|
|
возрастание |
напряженности |
поля до |
|
|
величины 109 В/м. При этом в микроострие |
||
|
|
выделяется большая энергия, и острие может |
||
|
|
испаряться в виде взрыва, образуя сгусток |
||
|
|
плазмы – катодный факел. Такое явление |
||
|
|
взрывной эмиссии было открыто в 1966 г. |
||
Рис. 1.6. Потенциальная |
Г.А. Месяцем и его сотрудниками [14]. На |
|||
энергия электрона при |
месте |
разрушенного |
микроострия |
|
наложении |
на металл |
образуются новые заострения и происходят |
||
внешнего |
электриче- |
новые взрывы. При каждом взрыве из обра- |
||
ского поля |
|
зующейся |
плазмы эмитируется большое |
|
|
|
количество |
электронов. Ток, |
возникающий |
при каждом взрыве микроострия, в 10÷103 раз превышает ток, который
26