Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Королев Ю.Д. и др. Физика диэлектриков.pdf
Скачиваний:
693
Добавлен:
29.05.2015
Размер:
2.56 Mб
Скачать

Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде

Другим примером ассоциативной ионизации может служить реакция CH+O CHO+ + q , протекающая в углеродно-водородном пла-

мени.

При рассмотрении термической ионизации следует учитывать также, что при высоких температурах наряду с возрастанием концентрации ионов и электронов становится значительной и их рекомбинация.

В состоянии термодинамического равновесия плотность электронов, ионов и нейтральных атомов связаны соотношением Саха, которое выводится методами статистической физики безотносительно к механизму рождения и исчезновения зарядов [3]. В электронейтральной плазме при однократной ионизации атомов ne = n+ . Если степень иони-

зации мала, т.е. при ne << N уравнение Саха имеет вид:

 

g+

1 2

 

1 2 3 4

 

I

 

 

 

 

 

 

N

 

T

exp

 

,

(1.31)

ne A

 

 

 

 

 

ga

 

 

 

 

2KT

 

где A = 4.85 1015

см-3 К-3/2;

 

 

 

g+ и ga – статистические веса иона и атома;

 

ne и n+

– концентрация электронов и ионов;

 

N – общая концентрация атомных частиц;

 

I – потенциал ионизации;

 

 

 

К – постоянная Больцмана; Т – температура, К.

Во многих реальных условиях числа электронов и высоко возбужденных атомов не успевает приходить в равновесие с полным числом атомов, но между электронами в свободном и связанном на высоких уровнях состояниях равновесие успевает установиться. В этом случае более справедливым будет соотношение, полученное комбинацией из уравнений Саха и Больцмана [3]

n n

+

 

g

+

 

 

I

n

 

 

e

=

 

AT 3 2 exp

 

.

(1.32)

 

 

ga

 

 

Nn

 

 

KT

 

Здесь In – потенциал ионизации из n-ого состояния; Nn – равновесная плотность атомов.

1.8. О возможности ионизации газа ионами

При лобовом ударе иона и атома передаваемая энергия от иона, согласно формуле (1.6), равна:

W =

2m1m2

(1 Cosθ )(W W ).

(1.33)

 

 

(m

+ m )2

1

2

 

 

 

 

 

 

1

2

 

 

 

21

Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде

При условии когда m1=m2 , а W2 = 0 (когда атом неподвижен) пе-

редаваемая энергия

W =

1

W

, т.е. передается половина энергии иона.

2

 

 

1

 

Если принять, что

W =

Wи , то, казалось бы, при W1 = 2 Wи будет

происходить ионизация атома. Однако этого не происходит. Дело в том, что ион передает энергию не валентному электрону атома, а самому атому. Чтобы происходила ионизация, скорость иона должна быть порядка 108 см/с, как при ударной ионизации электроном. При

этом энергия иона должна быть порядка 10 m / me = (103 ÷104 ) эВ. В

большинстве случаев ионы с такой энергией в газовом разряде не встречаются [3,4].

Следует отметить также, что при движении иона в собственном газе наблюдается явление резонансной перезарядки. Когда ион подходит достаточно близко к атому, электрон от атома переходит к иону. При этом ион превращается в атом со значительной энергией. За счет этого вероятность ударной ионизации ионами еще больше уменьшается. Резонансная перезарядка является эффективным механизмом отбора энергии от ионов. Практически в газовом разряде ионы не производят ударную ионизацию.

1.9. Рекомбинация заряженных частиц

Рекомбинация заключается во взаимной нейтрализации зарядов при сближении разноименно заряженных частиц. Вероятность рекомбинации зависит от концентрации заряженных частиц и скорости их относительного движения. В газе при нормальных условиях концен-

трация нейтральных частиц составляет 1.7 1019 см-3, а заряженных час-

тиц порядка 1012 см-3 [2,3]. Поэтому электрон гораздо чаще будет сталкиваться с нейтральными частицами, нежели с положительными ионами.

В газах, содержащих молекулы с высокой электроотрицательностью, может наблюдаться захват электрона этими молекулами и образование отрицательных ионов. Образуемые при этом отрицательные ионы могут рекомбинировать с положительными ионами.

Уравнение, характеризующее рекомбинацию, имеет вид

dn+

= −

dn

= Аn+n.

(1.34)

dt

dt

 

 

 

 

 

Здесь А – коэффициент рекомбинации.

Если n+ n

= n , то

dn

= Аn2 . После разделения переменных:

dt

 

 

 

 

 

 

22

Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде

dn

= Аdt .

(1.35)

 

 

 

 

n2

 

После интегрирования получаем

 

n =

 

 

no

 

 

 

.

(1.36)

1 + Аnot

Здесь no – концентрация частиц.

 

При условии 1 << Аnot , количество рекомбинирующих частиц

n =

1

.

(1.37)

 

 

 

 

Аt

 

Простое выражение для рекомбинации электрона

и иона

er + M + = M является достаточно грубым и не соответствует истинному протеканию процессов, т.к. не удовлетворяет условиям закона сохранения энергии и импульса. Для выполнения этих условий требуется третья частица [3]. Можно указать 4 выражения, которые удовлетворяют условиям выполнения указанных законов:

er + M + = M + er,

(1.38)

er + M + + L+ = M + L+ ,

(1.39)

er + M + + L = M + L ,

(1.40)

er + M + = M + hω .

(1.41)

Для выбора эффективных процессов из указанных четырех выражений нужно применять принцип детального равновесия, который применительно к данному случаю формулируется так: вероятность прямых процессов (левая часть уравнений 1.38–1.41) должна соответствовать вероятности обратных процессов (правая часть уравнений

1.38–1.41).

Как уже отмечалось, ударная ионизация ионами и атомами в слабоионизованной плазме маловероятна. Поэтому рекомбинация по схеме уравнений (1.39) и (1.40) характеризует маловероятную рекомбинацию. И наоборот, ударная ионизация электронами и фотоионизация по схеме уравнений (1.38) и (1.41) весьма эффективна.

Рекомбинация по схеме (1.38) называется ударной рекомбинацией. Рекомбинация по схеме (1.41) называется радиационной рекомбинаци-

ей.

 

 

 

 

 

Коэффициент ударной рекомбинации

 

Ауд =

1013

 

n

,

(1.42)

Т 12

T e

 

 

 

где T e – температура электронов, эВ; п – концентрация электронов в см3.

23

Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде

Коэффициент радиационной рекомбинации

 

 

 

 

Арад =

10

13

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.

 

 

 

 

(1.43)

 

Т

12

 

 

 

 

Видно, что с увеличением температуры электронов растет Арад

и,

наоборот, уменьшается Ауд.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Наряду с рассмотренными, различают

 

 

 

 

 

также другие виды рекомбинаций. К ним

 

 

 

 

 

относится диссоциативная рекомбинация,

 

 

 

 

 

которая протекает по схеме

 

 

 

 

 

 

 

 

er +( ML )+ M + L ,

 

 

 

 

 

 

 

 

а

также

рекомбинация

 

в

 

 

 

 

 

электроотрицательных газах (О2, пары воды и

Рис. 1.4. Схема потен-

др.).

 

 

 

 

 

циальной ямы для ва-

Столкновение электронов с молекулами

лентных электронов в

электроотрицательных

газов

ведет

к

металле

 

 

 

 

образованию электроотрицательных

ионов.

рекомбинации:

Можно

указать 3

схемы

указанной

 

 

 

 

 

 

1. er + M M + + hω ,

 

 

 

(1.45)

2. er + M + L = M + L ,

 

 

 

(1.46)

3. er + ML M + L+.

 

 

 

(1.47)

Третий процесс наиболее вероятен, т.к. не требуется третья частица. Все три процесса характеризуют прилипание электронов, механизм которого рассматривается ниже. При этом образуются следующие от-

рицательные ионы: О2,NO2,NO. Особенно интенсивно образу-

ются отрицательные ионы кислорода. В инертных газах отрицательные ионы не образуются. В общем, интенсивность рекомбинации растет с увеличением концентрации электронов. Таким образом, рекомбинация приводит к уменьшению концентрации электронов в газоразрядной плазме.

1.10.Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная эмиссия. Фотоэффект на катоде

Важную роль в поддержании газового разряда и образовании первичных электронов, обусловливающих развитие ударной ионизации в газе, играют процессы термоэлектронной, автоэлектронной эмиссии и фотоэффект с катода [3,6]. Известно, что валентные электроны металла можно рассматривать как электронный газ. В нормальных условиях электроны проводимости в металле связаны в поле положительных ио-

24

Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде

нов. Каждый из этих электронов взаимодействует с ионным остатком металла и с другими электронами. Эти электроны, которые можно считать свободными внутри металла, образуют энергетические уровни (рис. 1.4). Согласно принципу Паули, на каждом уровне находятся два

 

 

электрона

с

противоположными

 

 

спинами. При температуре абсолютного

 

 

нуля энергетические

уровни

плотно

 

 

сжаты. Валентные электроны, если им не

 

 

сообщить дополнительную энергию, не

 

 

могут покинуть металл, т.е. находятся

Рис. 1.5. Функция распре-

как бы в потенциальной яме.

 

Для выхода электрона в вакуум ему

деления электронного газа

нужно

сообщить

 

дополнительную

при Т = 0 К

(сплошная

энергию, называемую работой выхода

кривая) и при воздействии

температуры

(штриховая

Wв . В табл.1.5 приведены данные для

кривая)

 

работы

выхода

Wв

и

значения

коэффициента А1, полученные по результатам измерения многих авторов для различных металлов [3,17].

Таблица 1.5

Металл

Cs

Al

Fe

Ni

Cu

Mo

Ba

W

Pt

Wв, эВ

1.87

4.25

4.31

4.5

4.39

4.43

2.4

4.53

5.32

А1, А/см2 К 2

30÷

60÷

30÷

60÷

60÷

60

40÷

10÷

 

170

 

700

50

100

150

 

100

170

Как видно из табл. 1.5, наибольшей величиной Wв обладает платина – 5.32 эВ, а наименьшей Wв обладает цезий – 1.87 эВ, который используется в электронно-лучевых приборах.

1.10.1. Термоэлектронная эмиссия

Термоэлектронная эмиссия наблюдается при нагреве металла до высоких температур порядка 1000 оС и выше. Из рис.1.5 видно, что при повышении температуры относительно нуля край функции распределения энергетических уровней электронов размывается на величину

КТ.

В этом случае часть электронов, приобретая дополнительную энергию за счет теплового колебательного движения, может преодолеть притяжение ионов металла и покинуть металл. Для термоэлектронной эмиссии справедливо уравнение Ричардсона

j = А1T 2eWКTв ,

где А1 постоянная, определяемая видом металла (табл. 1.5).

25

Часть I. Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде

1.10.2. Автоэлектронная эмиссия

Автоэлектронная эмиссия проявляется в очень сильных электрических полях. Под действием электрического поля происходит искажение (наклон) энергетических уровней и электрон может непосредственно без изменения собственной энергии выйти за пределы металла путем туннелирования. При этом чем сильнее поле, тем меньше ширина потенциального барьера qEx (рис. 1.6) и тем больше число электро-

нов может просачиваться через этот барьер.

Плотность тока автоэлектронной эмиссии может быть вычислена по уравнению, предложенному в 1928 г. Фаулером и Нордгеймом:

 

q2

 

W 1 / 2 E 2

 

8π(2n

о

)1 / 2W 3 / 2

 

j =

 

 

 

o

 

exp

 

 

в

 

 

,

2πh

[W

 

]W 1 / 2

 

3hE

 

 

 

 

пот

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

в

 

 

 

 

 

 

 

 

где Wпот – потенциальная энергия;

no

– количество электронов; E

напряженность приложенного электрического поля.

Как показывают расчеты, для большинства металлов значительная плотность тока автоэлектронной эмиссии достигается при напряжен-

ностях поля порядка Е =109 В/м, тогда как пробой газов при атмосфер-

ном давлении происходит при напряженностях поля порядка 106 В/м, а при большом давлении и в случае вакуума величина Епр газов состав-

ляет 108 В/м.

1.10.3. Взрывная эмиссия

 

 

 

 

При выше указанных условиях (вакуум,

 

 

высокое давление газа) важную роль, по-

 

 

видимому, играют неровности (микроострия)

 

 

на поверхности катода, вызывающие

 

 

возрастание

напряженности

поля до

 

 

величины 109 В/м. При этом в микроострие

 

 

выделяется большая энергия, и острие может

 

 

испаряться в виде взрыва, образуя сгусток

 

 

плазмы – катодный факел. Такое явление

 

 

взрывной эмиссии было открыто в 1966 г.

Рис. 1.6. Потенциальная

Г.А. Месяцем и его сотрудниками [14]. На

энергия электрона при

месте

разрушенного

микроострия

наложении

на металл

образуются новые заострения и происходят

внешнего

электриче-

новые взрывы. При каждом взрыве из обра-

ского поля

 

зующейся

плазмы эмитируется большое

 

 

количество

электронов. Ток,

возникающий

при каждом взрыве микроострия, в 10÷103 раз превышает ток, который

26