
- •ПРЕДИСЛОВИЕ
- •ВВЕДЕНИЕ
- •Часть I. ПРОБОЙ ГАЗОВ
- •Глава 1. Электронные и ионные процессы в газовом разряде
- •1.1. Законы сохранения энергии при столкновении атомных частиц
- •1.2. Интегральные характеристики столкновения
- •1.3. Энергия взаимодействия атомных частиц
- •1.4. Подвижность заряженных частиц
- •1.5. Диффузия заряженных частиц
- •1.6. Возбуждение и ионизация атомов и молекул
- •1.7. Термическая ионизация
- •1.8. О возможности ионизации газа ионами
- •1.9. Рекомбинация заряженных частиц
- •1.10. Термоэлектронная, автоэлектронная, взрывная эмиссия. Фотоэффект на катоде
- •1.11. Элементы кинетического уравнения для электронов
- •Глава 2. Теория пробоя Таунсенда
- •2.1. Первый коэффициент Таунсенда
- •2.2. Прилипание электронов к атомам и молекулам. Отрыв электронов от отрицательных ионов
- •2.3. Второй коэффициент Таунсенда
- •2.4. Электронная лавина
- •2.5. Условие самостоятельности разряда. Закон Пашена
- •2.6. Отступления от закона Пашена
- •2.7. Время разряда
- •Глава 3. Пробой газа в различных частотных диапазонах
- •3.1. СВЧ-пробой
- •3.2. ВЧ-пробой
- •3.3. Оптический пробой
- •Глава 4. Искровой разряд в газах
- •4.1. Наблюдения за развитием разряда в ионизационной камере
- •4.2. Схемы развития лавинно-стримерных процессов
- •4.3. Граница таунсендовского и стримерного разрядов
- •4.4. Пробой газов в наносекундном диапазоне времени
- •4.5. Длинная искра, разряд в виде молнии
- •4.6. Главный разряд
- •Глава 5. Самостоятельные разряды в газах
- •5.1. Тихий разряд
- •5.2. Тлеющий разряд
- •5.3. Дуговой разряд
- •5.4. Коронный разряд
- •5.5. Разряд по поверхности твердого диэлектрика
- •5.6. Зависимость пробивного напряжения газа от межэлектродного расстояния
- •Список литературы к разделу «Пробой газов»
- •Часть II. ПРОБОЙ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Тепловой пробой твердых диэлектриков
- •1.1. Теория теплового пробоя Вагнера
- •1.2. Другие теории теплового пробоя
- •Глава. 2. Классические теории электрического пробоя
- •2.1. Теория Роговского. Разрыв ионной кристаллической решетки
- •2.2. Разрыв твердого диэлектрика по микротрещине. Теория Горовица
- •2.3. Теория А. Ф. Иоффе
- •2.4. Теория А.А. Смурова. Теория электростатической ионизации
- •Глава 3. Квантово-механические теории электрического пробоя неударным механизмом
- •3.1. Теория Зинера. Теория безэлектродного пробоя
- •3.2. Теория Фаулера. Пробой электродного происхождения
- •3.3. Теория Я.И. Френкеля. Теория термической ионизации
- •Глава 4. Теории пробоя твердых диэлектриков вследствие ударной ионизации электронами
- •4.1. Теории Хиппеля и Фрелиха
- •4.2. Теории пробоя, основанные на решении кинетического уравнения. Теория Чуенкова
- •4.3. Некоторые замечания по теориям пробоя, основанных на рассмотрении механизма ударной ионизации электронами
- •Глава 5. Экспериментальные данные, укладывающиеся в представления о пробое твердых диэлектриков ударной ионизацией электронами
- •5.1. Стадии пробоя твердых диэлектриков
- •5.2. Развитие разряда в однородном и неоднородном полях в твердых диэлектриках
- •5.3. Эффект полярности при пробое в неоднородном электрическом поле
- •5.4. Влияние материала электродов на пробой твердых диэлектриков
- •5.5. Зависимость времени разряда от толщины диэлектрика. Формирование многолавинно-стримерного механизма разряда
- •Глава 6. Процессы, наблюдаемые в диэлектриках в области сверхсильных электрических полей
- •6.1. Электрическое упрочнение
- •6.2. Электронные токи в микронных слоях ЩГК в сильных электрических полях
- •6.3. Свечение в микронных слоях ЩГК
- •6.4. Дислокации и трещины в ЩГК перед пробоем
- •Глава 7. Другие теории пробоя твердых диэлектриков
- •7.2. Энергетический анализ электрической прочности твердых диэлектриков по теории Ю.Н. Вершинина
- •7.4. Термофлуктуационная теория разрушения твердых диэлектриков электрическим полем В.С. Дмитревского
- •7.5. Особенности пробоя полимерных диэлектриков. Теория электрического пробоя Артбауэра
- •7.6. Теория электромеханического пробоя Старка и Гартона
- •Глава 8. Некоторые особенности и закономерности электрического пробоя твердых диэлектриков
- •8.1. Статистический характер пробоя твердых диэлектриков
- •8.2. Минимальное пробивное напряжение
- •8.3. Неполный пробой и последовательный пробой
- •8.4. Кристаллографические эффекты при пробое кристаллов
- •8.5. Зависимость электрической прочности от температуры
- •8.6. Зависимость электрической прочности от времени воздействия напряжения
- •8.7. Пробой диэлектрических пленок
- •8.8. Формованные системы металл–диэлектрик–металл (МДМ)
- •8.9. Заключение по механизму электрического пробоя твердых диэлектриков
- •Глава 9. Электрохимический пробой
- •9.1. Электрическое старение органической изоляции
- •9.2. Кратковременное пробивное напряжение
- •9.3. Старение бумажной изоляции
- •9.4. Старение неорганических диэлектриков
- •Список литературы к разделу «Пробой твердых диэлектриков»
- •Часть III. ПРОБОЙ ЖИДКИХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
- •Глава 1. Пробой жидкостей высокой степени очистки
- •1.1. Проводимость жидких диэлектриков
- •1.2. Пробой жидкостей вследствие ударной ионизации электронами
- •1.3. Пробой жидкостей неударным механизмом
- •Глава 2. Пробой жидких диэлектриков технической очистки
- •2.1. Влияние влаги
- •2.2. Влияние механических загрязнений
- •2.3. Влияние газовых пузырьков
- •2.4. Теории теплового пробоя жидких диэлектриков
- •2.5. Вольтолизационная теория пробоя жидких диэлектриков
- •2.6. Влияние формы и размеров электродов, их материала, состояния поверхности и расстояния между ними на пробой жидкостей
- •2.7. Развитие разряда и импульсный пробой в жидкостях
- •2.8. Влияние ультразвука на электрическую прочность
- •2.9. Внедрение разряда в твердый диэлектрик, погруженный в изолирующую жидкость
- •Список литературы к разделу «Пробой жидких диэлектриков»
- •ОГЛАВЛЕНИЕ

Часть II. Глава 6. Процессы, наблюдаемые в диэлектриках в области сверхсильных электрических полей
минесценции в 6 эВ. Если есть такие электроны, то они могут ускориться полем и дальше и произвести ударную ионизацию, что и подтверждается энергетическими спектрами электронов, эмитированных через полупрозрачный металлический анодный электрод в вакуум. Было показано, что яркость свечения с увеличением концентрации активатора изменяется по нарастающей кривой с максимумом. Снижение квантового выхода свечения при росте концентрации активатора объясняется уменьшением энергии электронов за счет дополнительного рассеяния на активаторных центрах. Все эти экспериментальные факты также подтверждают наличие «горячих» электронов в ЩГК в сверхсильных электрических полях и протекание процессов ударного возбуждения и ионизации электронами.
6.4. Дислокации и трещины в ЩГК перед пробоем
При воздействии электрического поля в диэлектрике возникают механические напряжения. Некоторые ученые пытались определить появление дислокаций перед пробоем. Однако определенных результатов первоначально получено не было. Только с появлением технологии приготовления микронных слоев диэлектрика в ЩГК перед пробоем было обнаружено появление дислокаций. На рис. 6.9, б показаны микрофотографии ямок травления поверхности слоя NaCl. Видно, что после воздействия электрического поля появляются дополнительные дислокации.
Исследования изменения плотности дислокаций под действием электрического поля показали (рис. 6.8), что на изменение плотности дислокаций влияет не только время нахождения образца в электрическом поле, но и изменение направления поля. При периодическом изменении направления электрического поля (переполюсовка) интенсивность дефектообразования меньше, чем в измерениях с одной полярностью напряжения. Кроме того, было установлено, что с понижением температуры начало интенсивной генерации дислокаций смещается в область более сильных полей.
143

Часть II. Глава 6. Процессы, наблюдаемые в диэлектриках в области сверхсильных электрических полей
Анализ полученных результатов (смещение начала интенсивной генерации дислокаций в область более сильных полей с уменьшением времени воздействия поля и снижением температуры, а также при подаче на образец поочередно импульсов напряжения прямой и обратной полярности) позволяет сделать вывод, что генерация дислокаций в сильном электрическом поле обусловлена их движением под действием кулоновских сил (полевой механизм), т.е. под действием пондермоторной силы
Рис. 6.9. Микрофотография поверхности тонкого слоя NaCl после трав-
ления: а – до приложения электрического поля к слою; б – при напряженно-
сти электрического поля Е = 3.2.108 В/м; в – при напряженности поля Е = 3.6.108 В/м.
Длительность воздействия электрического поля τ = 100 мкс. Новым дислокациям соответствуют маленькие ямки травления
F = |
εE |
2 |
. |
(6.1) |
2 |
|
|||
|
|
|
|
|
С.Г. Еханин |
проанализировал более подробно механизм образо- |
вания дислокаций в сверхсильном электрическом поле и показал, что образуются не только краевые, но и винтовые дислокации. Если исходить из представления о том, что любые дислокации вызывают разрыхление кристалла в каком-то направлении, то происходило бы расширение пробивного канала. Однако это не наблюдалось. Вместе с тем в кристаллах в сверхсильных полях было обнаружено развитие трещин, что, по-видимому, связано со слиянием дислокаций.
144