Обозначения приборных параметров

Ниже приводятся обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами, а также наиболее часто используемые в международной документации и других изданиях.

Для обозначения амплитудных значений добавляют индекс m. Например:I_em– амплитудный ток эмиттера.

Для обозначения максимально (минимально) допустимых значений добавляют индексы max,min.

Диод выпрямительный

C– емкость диода

C_Б– барьерная емкость

C_D– диффузионная емкость

C_пC_d– емкость перехода диода

C_дC_tot– общая емкость диода

I_экрI_утI_D– ток утечки

I_прI_F– постоянный прямой ток

I_обрI_R– постоянный обратный ток

I_f– прямой ток

I_fsm– прямой ток перегрузки

I_r- постоянный обратный ток

К– коэффициент выпрямления

P_максP_max– максимально допустимая мощность

r_дифR_dr– дифференциальное сопротивление

r_D– дифференциальное характеристическое сопротивление диода

R_D– дифференциальное сопротивление диода по постоянному току

U_прU_F– постоянное прямое напряжение

U_обрU_R– постоянное обратное напряжение

U_r– обратное напряжение

U_f– постоянное прямое напряжение

U_открU_остU_T– остаточное напряжение

Диод импульсный

I_f– прямой ток

I_fm– импульсный прямой ток

P_и.максP_{имп.макс}P_{M макс}– максимально допустимая импульсная мощность

T_rr– время обратного восстановления

U_r– обратное напряжение

U_f– прямое напряжение

Варикап

C_tot– общая емкость

К_с– коэффициент перекрытия по емкости

Q– добротность варикапа

U_r– обратное напряжение

Тиристор

U_вкл– напряжение включения

U_перекл– напряжение переключения

α– суммарный коэффициент передачи тока первого и второго транзисторов

Тринистор

I_упр– управляющий ток базы

Стабилитрон

I_стI_Z– ток стабилизации

Р– рассеиваемая мощность

R_диф– дифференциальное сопротивление

r_стr_Z– дифференциальное сопротивление стабилитрона

U_стабU_стU_zU_Z– напряжение стабилизации

Туннельный диод

E_пр– напряженность электрического поля пробоя

Диод Ганна

E_пор– пороговая напряженность электрического поля

P– генерируемая мощность

W– длина образца

Транзистор

P– мощность, рассеиваемая в приборе

P_выхP_out– выходная мощность

U_вхU_in,U_BE– входное напряжение

Биполярный транзистор

E_кE_C– напряжение источника питания коллекторной цепи

h₁₁– входное сопротивление при коротком замыкании на выходе

h₂₂– выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи

h₁₂– коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи

h₂₁– коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе

I_КI_кI_C– ток коллектора

I_БI_бI_B– ток базы

I_ЭI_эI_E– ток эмиттера

I_КБ0I_к0I_CB0– обратный ток коллектора

I_ЭБ0I_э0I_EB0– обратный ток эмиттера

–ширина обедненной области биполярного транзистора

R_бR_B– сопротивление в цепи базы

r_б– объемное сопротивление базы

r_бr_bb– сопротивление базы

r_э– сопротивление эмиттерного перехода

r_к– сопротивление коллекторного перехода

U_кбU_CB– напряжение между коллектором и базой

U_кэU_CE– напряжение между коллектором и эмиттером

U_эбU_EB– напряжение между эмиттером и базой

W– ширина базы биполярного транзистора

y₁₁,y₂₂– входная и выходная проводимости

y₁₂,y₂₁– проводимости обратной и прямой передач

z₁₁,z₂₂– входное и выходное сопротивления

z₁₂,z₂₁– сопротивления обратной и прямой передач

α– коэффициент передачи тока эмиттера

β– коэффициент усиления

μ_эк– коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор

γ– коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера

χ- коэффициент переноса

η– коэффициент неоднородности базы

Полевой транзистор

С_ox– удельная емкость подзатворного диэлектрика

I_с I_D– ток стока

I_зI_G– ток затвора

I_DS– ток канала исток-сток

R₀– омическое сопротивление

R_i– внутреннее сопротивление

S– крутизна характеристики

U_зиU_GS– напряжение затвор‑исток

U_сиU_DS– напряжение исток – сток

U_зсU_DG– напряжение сток – затвор

U_{ЗИ пор}U_порU_{GS (th)}V_T– пороговое напряжение

U_{ЗИ отс}U_отсU_{GS (off)}– напряжение отсечки

V_ox– падение напряжения на окисном слое

V_Т- пороговое напряжение

V_SS– напряжение, приложенное к подложке

 – коэффициент усиления

Тепловые параметры

R_thja– общее тепловое сопротивление диода или транзистора

R_thjc– тепловое сопротивление переход – корпус транзистора

R_thca– тепловое сопротивление корпус – окружающая среда

КНИ K_f– коэффициент нелинейных искажений