- •В. А. Гуртов Твердотельная электроника
- •Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников 7
- •Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников
- •1.1. Зонная структура полупроводников
- •1.2. Терминология и основные понятия
- •1.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •1.3.1. Распределение квантовых состояний в зонах
- •1.3.2. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми
- •1.4. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •1.5. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- •1.6. Определение положения уровня Ферми
- •1.7. Проводимость полупроводников
- •1.8. Токи в полупроводниках
- •1.9. Неравновесные носители
- •1.10. Уравнение непрерывности
- •Глава 2. Барьеры Шоттки,p-nпереходы и гетеропереходы
- •2.1. Ток термоэлектронной эмиссии
- •2.2. Термодинамическая работа выхода в полупроводникахp‑иn‑типов
- •2.3. Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
- •2.4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда
- •2.5. Дебаевская длина экранирования
- •2.6. Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки
- •2.7. Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
- •2.8. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
- •2.9. Вольт‑амперная характеристика барьера Шоттки
- •2.10. Образование и зонная диаграммар-nперехода
- •2.10.1. Распределение свободных носителей вp‑nпереходе
- •2.10.3. Поле и потенциал вp‑nпереходе
- •2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми вр‑nпереходе
- •2.12. Вольт‑амперная характеристикар‑nперехода
- •2.14. Гетеропереходы
- •Глава 3. Физика поверхности и мдп-структуры
- •3.1. Область пространственного заряда (опз) в равновесных условиях
- •3.1.1. Зонная диаграмма приповерхностной области полупроводника в равновесных условиях
- •3.2. Заряд в области пространственного заряда
- •3.2.1. Уравнение Пуассона для опз
- •3.2.2. Выражение для заряда в опз
- •3.2.3. Избыток свободных носителей заряда
- •3.2.4. Среднее расстояние локализации свободных носителей от поверхности полупроводника
- •3.2.5. Форма потенциального барьера на поверхности полупроводника
- •2. Обеднение и слабая инверсия в примесном полупроводнике
- •3. Область обогащения и очень сильной инверсии в примесном полупроводнике
- •3.3. Емкость области пространственного заряда
- •3.4. Влияние вырождения на характеристики опз полупроводника
- •3.5. Поверхностные состояния
- •3.5.1. Основные определения
- •3.5.2. Природа поверхностных состояний
- •3.5.3. Статистика заполнения пс
- •3.6. Вольт‑фарадные характеристики структур мдп
- •3.6.1. Устройство мдп‑структур и их энергетическая диаграмма
- •3.6.2. Уравнение электронейтральности
- •3.6.3. Емкость мдп‑структур
- •3.6.4. Экспериментальные методы измерения вольт‑фарадных характеристик
- •КвазистатическийC‑Vметод
- •Метод высокочастотныхC‑Vхарактеристик
- •3.6.5. Определение параметров мдп‑структур на основе анализаC‑V характеристик
- •3.6.6. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик
- •3.7. Флуктуации поверхностного потенциала в мдп‑структурах
- •3.7.1. Виды флуктуаций поверхностного потенциала
- •3.7.2. Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций поверхностного потенциала
- •3.7.3. Среднеквадратичная флуктуация потенциала, обусловленная системой случайных точечных зарядов
- •3.7.4. Потенциал, создаваемый зарядом, находящимся на границе двух сред с экранировкой
- •3.7.5. Потенциальный рельеф в мдп‑структуре при дискретности элементарного заряда
- •3.7.6. Функция распределения потенциала при статистических флуктуациях
- •3.7.7. Зависимость величины среднеквадратичной флуктуации от параметров мдп-структуры
- •3.7.8. Пространственный масштаб статистических флуктуаций
- •3.7.9. Сравнительный анализ зависимости среднеквадратичной флуктуацииσψи потенциала оптимальной флуктуации
- •Глава 4. Полупроводниковые диоды Введение
- •4.1. Характеристики идеального диода на основеp‑nперехода
- •4.1.1. Выпрямление в диоде
- •4.1.2. Характеристическое сопротивление
- •4.1.4. Эквивалентная схема диода
- •4.2. Варикапы
- •4.3. Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов
- •4.3.1. Влияние генерации неравновесных носителей в опЗp-nперехода на обратный ток диода
- •4.3.2. Влияние рекомбинации неравновесных носителей в опЗp‑n перехода на прямой ток диода
- •4.3.3. Влияние объемного сопротивления базы диода на прямые характеристики
- •4.3.4. Влияние температуры на характеристики диодов
- •4.4. Стабилитроны
- •4.5. Туннельный и обращенный диоды
- •4.6. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- •Глава 5. Биполярные транзисторы
- •5.1. Общие сведения. История вопроса
- •5.2. Основные физические процессы в биполярных транзисторах
- •5.2.1. Биполярный транзистор в схеме с общей базой. Зонная диаграмма и токи
- •5.3. Формулы Молла – Эберса
- •5.4. Вольт‑амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме
- •5.5. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой
- •5.6. Коэффициент инжекции
- •5.7. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов
- •5.8. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
- •5.9. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
- •5.10. Коэффициент обратной связи
- •5.11. Объемное сопротивление базы
- •5.12. Тепловой ток коллектора
- •5.13. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
- •5.14. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •5.15. Составные транзисторы. Схема Дарлингтона
- •5.16. Дрейфовые транзисторы
- •5.17. Параметры транзистора как четырехполюсника.
- •5.18. Частотные и импульсные свойства транзисторов
- •Глава 6. Полевые транзисторы
- •6.1. Характеристики моп пт в области плавного канала
- •6.2. Характеристики моп пт в области отсечки
- •6.3. Эффект смещения подложки
- •6.4. Малосигнальные параметры
- •6.5. Эквивалентная схема и быстродействие мдп‑транзистора
- •6.6. Методы определения параметров моп пт из характеристик
- •6.7. Подпороговые характеристики мдп‑транзистора
- •6.8. Учет диффузионного тока в канале
- •6.9. Неравновесное уравнение Пуассона
- •6.10. Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях
- •6.11. Вольт-амперная характеристика мдп‑транзистора в области сильной и слабой инверсии
- •6.12. Мдп‑транзистор как элемент памяти
- •6.13. Мноп‑транзистор
- •6.14. Моп пт с плавающим затвором
- •6.15. Приборы с зарядовой связью
- •6.16. Полевой транзистор с затвором в видер‑nперехода
- •6.17. Микроминиатюризация мдп‑приборов
- •6.18. Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию
- •6.19. Размерные эффекты в мдп‑транзисторах
- •Глава 7. Тиристоры
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Вольт‑амперная характеристика тиристора
- •7.3. Феноменологическое описание вах динистора
- •7.4. Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии
- •7.5. Зависимость коэффициента передачиαот тока эмиттера
- •7.6. Зависимость коэффициентаМот напряженияVg. Умножение в коллекторном переходе
- •7.7. Тринистор
- •7.8. Феноменологическое описание вах тринистора
- •Глава 8. Диоды Ганна
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Требования к зонной структуре полупроводников
- •8.3. Статическая вах арсенида галлия
- •8.4. Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением
- •8.5. Генерация свч‑колебаний в диодах Ганна
- •Глава 9. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
- •9.1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •9.2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •9.3. Графические обозначения и стандарты
- •9.4. Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов
- •Основные обозначения
- •Обозначения приборных параметров
- •Приложение
- •1. Физические параметры важнейших полупроводников
- •2. Работа выхода из металлов (эВ)
- •3. Свойства диэлектриков
- •Список рекомендованной литературы
- •185640, Петрозаводск, пр. Ленина, 33
2.14. Гетеропереходы
Гетеропереходомназывают контакт двух полупроводников различного вида и разного типа проводимости, например,pGe –nGaAs. Отличие гетеропереходов от обычногоp‑nперехода заключается в том, что в обычныхp‑nпереходах используется один и тот же вид полупроводника, например,pSi –nSi. Поскольку в гетеропереходах используются разные материалы, необходимо, чтобы у этих материалов с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения (ТКР) и постоянная решетки [18, 16, 19].
С учетом сказанного количество материалов для гетеропереходов ограничено. Наиболее распространенными из них являются германий Ge, арсенид галлияGaAs, фосфид индияInP, четырехкомпонентный растворInGaAsP.
В зависимости от ширины запрещенной зоны Eg, электронного сродстваи типа легирования узкозонной и широкозонной областей гетероперехода возможны различные комбинацииEgи. На рисунке 2.18 показаны эти комбинации при условии равенства термодинамических работ выхода.
Рис. 2.18. Зонные диаграммы гетеропереходов при различных комбинациях Egив случае равенства термодинамических работ выходаФ1 = Ф2[18]
Для построения зонных диаграмм, детального анализа распределения электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода, а также величины и компонент электрического тока для гетеропереходов необходимо учитывать, что у различных полупроводников будут отличаться значения электронного сродства , ширины запрещенной зоныЕgи диэлектрической проницаемостиs.
С учетом этих факторов построим зонную диаграмму гетероперехода германий – арсенид галлия (pGe –nGaAs). Значения параметров полупроводниковых материалов, выбранных для расчета зонной диаграммы, приведены в таблице 1.
Приведем в контакт германий pGeи арсенид галлияnGaAs.
При построении зонной диаграммы гетероперехода учтем следующие факторы:
Уровень вакуума Е = 0 непрерывен.
Электронное сродство в пределах одного сорта полупроводника GeиGaAsпостоянно.
Ширина запрещенной зоны Egв пределах одного сорта полупроводника остается постоянной.
Таблица 1. Параметры выбранных для расчета полупроводниковых материалов
Параметры материала |
Обозначение |
Германий (pGe) |
Арсенид галлия (nGaAs) |
Постоянная решетки, Å |
a |
5,654 |
5,658 |
Коэффициент линейного температурного расширения, 10-6К-1 |
ТКР |
5,9 |
6,0 |
Легирующая концентрация, см-3 |
NA,D |
31016 |
1016 |
Расстояние от уровня Ферми до зоны разрешенных энергий, эВ |
W0 |
0,14 |
0,17 |
Расстояние от уровня Ферми до середины запрещенной зоны, эВ |
0 |
0,21 |
0,55 |
Электронное сродство, В |
|
4,05 |
4,07 |
С учетом этого в процессе построения зонной диаграммы гетероперехода при сращивании дна зоны проводимости ECэтих полупроводников на металлургической границе перехода на зонной диаграмме образуется “пичок”. Величина “пичка”ECравна:
.
При сшивании вершины валентной зоны ЕVв области металлургического перехода получается разрывEV.Величина “разрыва” равна:
.
Из приведенных соотношений следует, что суммарная величина “пичка” ECи “разрыва”EVсоставляет.
На рисунке 2.19 приведена построенная таким образом зонная диаграмма гетероперехода pGe –nGaAs.
Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода из этих же материалов (германия и арсенида галлия), но с другим типом проводимости – pGaAs –nGe(рис. 2.20). Используем те же самые принципы при построении этой зонной диаграммы. Получаем, что в этом случае “разрыв” наблюдается в энергетическом положении дна зоны проводимости и величина этого “разрыва”EC равна:.
“Пичок” наблюдается в области металлургического перехода для энергии вершины валентной зоны EV. Величина “пичка”EVравна:
.
Рис. 2.19. Зонная диаграмма гетеропереходаpGe –nGaAsв равновесных условиях
Рис. 2.20. Зонная диаграмма гетеропереходаnGe –pGaAsв равновесных условиях
Аналогичным образом можно построить зонные диаграммы для гетеропереходов при любых комбинациях уровней легирования, ширины запрещенной зоны и электронного сродства. На рисунке 2.21 приведены соответствующие зонные диаграммы для различных типов гетеропереходов. Обращает на себя внимание тот факт, что “пичок” и “разрыв” для энергетических уровней EV,ECв области металлургического перехода могут наблюдаться в различных комбинациях [20, 17].
Рис. 2.21. Зонные диаграммы для различных типов гетеропереходов при условии, что термодинамическая работа выхода первого слоя меньше, чем второго (Ф1 <Ф2), и при различных комбинациях для электронного сродства (пояснения на рисунках)
Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда для гетероперехода будет как и в случае p‑nперехода, но с различными значениями диэлектрических постоянныхsдля левой и правой частей. Решение уравнения Пуассона в этом случае дает следующие выражения для электрического поляE, потенциалаи ширины обедненной областиW1nиW2pпри наличии внешнего напряжения:
, (2.67)
, (2.68)
. (2.69)
Полная ширина области пространственного заряда гетероперехода W, равнаяW = W1n + W2p, будет описываться следующим уравнением:
. (2.70)
Высота потенциального барьера в гетеропереходе Δφ0будет определяться суммой потенциалов для каждой из областей гетероперехода:
. (2.71)
Функциональная зависимость электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода от координаты будет соответственно линейной и квадратичной, как и в случае p‑nперехода. Скачок электрического поля в гетеропереходе на металлургической границе обусловлен различными значениями диэлектрических постоянных1и2. В этом случае, согласно теореме Гаусса,
. (2.72)
На рисунке 2.22 показаны распределения электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетероперехода.
Рис. 2.22. Распределение электрического поля и потенциала в области пространственного заряда гетеропереходаnGe –pGaAs
Рассмотрим зонную диаграмму гетероперехода при приложении внешнего напряжения V. Как и в случаеp‑nперехода, знак напряжения будет определяться знаком приложенного напряжения наp‑область гетероперехода. На рисунке 2.23 приведены зонные диаграммы при положительном и отрицательном напряжениях на гетеропереходеnGe –pGaAs. Пунктиром на этих же зонных диаграммах изображены энергетические уровни в равновесных условияхV = 0.
Рис. 2.23. Зонные диаграммы гетероперехода nGe –pGaAsпри положительномV > 0 и отрицательномV < 0 напряжениях. Пунктиром изображены энергетические уровни в равновесных условияхV = 0
Расчет вольт‑амперных характеристик гетероперехода проводится исходя из баланса токов термоэлектронной эмиссии. Это рассмотрение было подробно проведено в разделе “Вольт‑амперные характеристики для барьеров Шоттки”. Используя тот же самый подход, для вольт‑амперной характеристики гетероперехода получаем следующую зависимость:
. (2.73)
Для различных типов гетеропереходов экспоненциальная зависимость тока от напряжения в виде (2.73) сохраняется, выражение для тока Jsмодифицируется.
Для гетеропереходов типа pGe –nGaAsлегко реализовать одностороннюю инжекцию, даже в случае одинакового уровня легирования в эмиттереpGeи базеnGaAsгетероперехода. Действительно, при прямом смещении отношение дырочнойJpи электроннойJnкомпонент инжекционного тока будет определяться отношением концентрации неосновных носителей:
. (2.74)
Поскольку арсенид галлия – более широкозонный полупроводник, чем германий, то собственная концентрация в арсениде галлия (ni2) будет много меньше, чем в германии (ni1), следовательно, дырочная компонентаJpинжекционного тока будет много меньше, чем электронная компонентаJn. Весь инжекционный ток в гетеропереходеpGe –nGaAsбудет определяться электронной компонентой.
На зонной диаграмме гетеропереходов видно, что в области “пичка” для электронов или дырок реализуется потенциальная яма. Расчеты электрического поля в этой области показывают, что его значение достигает величины E ~ 106 В/см. В этом случае электронный газ локализован в узкой пространственной области вблизи металлургической границы гетероперехода. Для описания такого состояния используют представление о двумерном электронном газе [21, 2, 20]. Решение уравнения Шредингера свидетельствует о наличии энергетических уровней, существенно отстоящих друг от друга (рис. 2.24).
Рис. 2.24. Зонная диаграмма гетероперехода, иллюстрирующая двумерное квантование
Физические свойства двумерного электронного газа существенно отличаются от свойств трехмерного электронного газа. Для двумерного электронного газа меняется плотность квантовых состояний в разрешенных зонах, спектр акустических и оптических фононов, а следовательно кинетические явления в двумерных системах (подвижность носителей, магнетосопротивление и эффект Холла). Экспериментальные исследования двумерного квантования вблизи металлургической границы гетероперехода позволили изучить и объяснить эти явления.