- •В. А. Гуртов Твердотельная электроника
- •Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников 7
- •Глава 1. Необходимые сведения из физики твердого тела и физики полупроводников
- •1.1. Зонная структура полупроводников
- •1.2. Терминология и основные понятия
- •1.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
- •1.3.1. Распределение квантовых состояний в зонах
- •1.3.2. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми
- •1.4. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
- •1.5. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
- •1.6. Определение положения уровня Ферми
- •1.7. Проводимость полупроводников
- •1.8. Токи в полупроводниках
- •1.9. Неравновесные носители
- •1.10. Уравнение непрерывности
- •Глава 2. Барьеры Шоттки,p-nпереходы и гетеропереходы
- •2.1. Ток термоэлектронной эмиссии
- •2.2. Термодинамическая работа выхода в полупроводникахp‑иn‑типов
- •2.3. Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
- •2.4. Концентрация электронов и дырок в области пространственного заряда
- •2.5. Дебаевская длина экранирования
- •2.6. Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки
- •2.7. Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
- •2.8. Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
- •2.9. Вольт‑амперная характеристика барьера Шоттки
- •2.10. Образование и зонная диаграммар-nперехода
- •2.10.1. Распределение свободных носителей вp‑nпереходе
- •2.10.3. Поле и потенциал вp‑nпереходе
- •2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми вр‑nпереходе
- •2.12. Вольт‑амперная характеристикар‑nперехода
- •2.14. Гетеропереходы
- •Глава 3. Физика поверхности и мдп-структуры
- •3.1. Область пространственного заряда (опз) в равновесных условиях
- •3.1.1. Зонная диаграмма приповерхностной области полупроводника в равновесных условиях
- •3.2. Заряд в области пространственного заряда
- •3.2.1. Уравнение Пуассона для опз
- •3.2.2. Выражение для заряда в опз
- •3.2.3. Избыток свободных носителей заряда
- •3.2.4. Среднее расстояние локализации свободных носителей от поверхности полупроводника
- •3.2.5. Форма потенциального барьера на поверхности полупроводника
- •2. Обеднение и слабая инверсия в примесном полупроводнике
- •3. Область обогащения и очень сильной инверсии в примесном полупроводнике
- •3.3. Емкость области пространственного заряда
- •3.4. Влияние вырождения на характеристики опз полупроводника
- •3.5. Поверхностные состояния
- •3.5.1. Основные определения
- •3.5.2. Природа поверхностных состояний
- •3.5.3. Статистика заполнения пс
- •3.6. Вольт‑фарадные характеристики структур мдп
- •3.6.1. Устройство мдп‑структур и их энергетическая диаграмма
- •3.6.2. Уравнение электронейтральности
- •3.6.3. Емкость мдп‑структур
- •3.6.4. Экспериментальные методы измерения вольт‑фарадных характеристик
- •КвазистатическийC‑Vметод
- •Метод высокочастотныхC‑Vхарактеристик
- •3.6.5. Определение параметров мдп‑структур на основе анализаC‑V характеристик
- •3.6.6. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник – диэлектрик
- •3.7. Флуктуации поверхностного потенциала в мдп‑структурах
- •3.7.1. Виды флуктуаций поверхностного потенциала
- •3.7.2. Конденсаторная модель Гоетцбергера для флуктуаций поверхностного потенциала
- •3.7.3. Среднеквадратичная флуктуация потенциала, обусловленная системой случайных точечных зарядов
- •3.7.4. Потенциал, создаваемый зарядом, находящимся на границе двух сред с экранировкой
- •3.7.5. Потенциальный рельеф в мдп‑структуре при дискретности элементарного заряда
- •3.7.6. Функция распределения потенциала при статистических флуктуациях
- •3.7.7. Зависимость величины среднеквадратичной флуктуации от параметров мдп-структуры
- •3.7.8. Пространственный масштаб статистических флуктуаций
- •3.7.9. Сравнительный анализ зависимости среднеквадратичной флуктуацииσψи потенциала оптимальной флуктуации
- •Глава 4. Полупроводниковые диоды Введение
- •4.1. Характеристики идеального диода на основеp‑nперехода
- •4.1.1. Выпрямление в диоде
- •4.1.2. Характеристическое сопротивление
- •4.1.4. Эквивалентная схема диода
- •4.2. Варикапы
- •4.3. Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов
- •4.3.1. Влияние генерации неравновесных носителей в опЗp-nперехода на обратный ток диода
- •4.3.2. Влияние рекомбинации неравновесных носителей в опЗp‑n перехода на прямой ток диода
- •4.3.3. Влияние объемного сопротивления базы диода на прямые характеристики
- •4.3.4. Влияние температуры на характеристики диодов
- •4.4. Стабилитроны
- •4.5. Туннельный и обращенный диоды
- •4.6. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- •Глава 5. Биполярные транзисторы
- •5.1. Общие сведения. История вопроса
- •5.2. Основные физические процессы в биполярных транзисторах
- •5.2.1. Биполярный транзистор в схеме с общей базой. Зонная диаграмма и токи
- •5.3. Формулы Молла – Эберса
- •5.4. Вольт‑амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме
- •5.5. Дифференциальные параметры биполярных транзисторов в схеме с общей базой
- •5.6. Коэффициент инжекции
- •5.7. Коэффициент переноса. Фундаментальное уравнение теории транзисторов
- •5.8. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода
- •5.9. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода
- •5.10. Коэффициент обратной связи
- •5.11. Объемное сопротивление базы
- •5.12. Тепловой ток коллектора
- •5.13. Биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером
- •5.14. Эквивалентная схема биполярного транзистора
- •5.15. Составные транзисторы. Схема Дарлингтона
- •5.16. Дрейфовые транзисторы
- •5.17. Параметры транзистора как четырехполюсника.
- •5.18. Частотные и импульсные свойства транзисторов
- •Глава 6. Полевые транзисторы
- •6.1. Характеристики моп пт в области плавного канала
- •6.2. Характеристики моп пт в области отсечки
- •6.3. Эффект смещения подложки
- •6.4. Малосигнальные параметры
- •6.5. Эквивалентная схема и быстродействие мдп‑транзистора
- •6.6. Методы определения параметров моп пт из характеристик
- •6.7. Подпороговые характеристики мдп‑транзистора
- •6.8. Учет диффузионного тока в канале
- •6.9. Неравновесное уравнение Пуассона
- •6.10. Уравнение электронейтральности в неравновесных условиях
- •6.11. Вольт-амперная характеристика мдп‑транзистора в области сильной и слабой инверсии
- •6.12. Мдп‑транзистор как элемент памяти
- •6.13. Мноп‑транзистор
- •6.14. Моп пт с плавающим затвором
- •6.15. Приборы с зарядовой связью
- •6.16. Полевой транзистор с затвором в видер‑nперехода
- •6.17. Микроминиатюризация мдп‑приборов
- •6.18. Физические явления, ограничивающие микроминиатюризацию
- •6.19. Размерные эффекты в мдп‑транзисторах
- •Глава 7. Тиристоры
- •7.1. Общие сведения
- •7.2. Вольт‑амперная характеристика тиристора
- •7.3. Феноменологическое описание вах динистора
- •7.4. Зонная диаграмма и токи диодного тиристора в открытом состоянии
- •7.5. Зависимость коэффициента передачиαот тока эмиттера
- •7.6. Зависимость коэффициентаМот напряженияVg. Умножение в коллекторном переходе
- •7.7. Тринистор
- •7.8. Феноменологическое описание вах тринистора
- •Глава 8. Диоды Ганна
- •8.1. Общие сведения
- •8.2. Требования к зонной структуре полупроводников
- •8.3. Статическая вах арсенида галлия
- •8.4. Зарядовые неустойчивости в приборах с отрицательным дифференциальным сопротивлением
- •8.5. Генерация свч‑колебаний в диодах Ганна
- •Глава 9. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов
- •9.1. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов
- •9.2. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов
- •9.3. Графические обозначения и стандарты
- •9.4. Условные обозначения электрических параметров и сравнительные справочные данные полупроводниковых приборов
- •Основные обозначения
- •Обозначения приборных параметров
- •Приложение
- •1. Физические параметры важнейших полупроводников
- •2. Работа выхода из металлов (эВ)
- •3. Свойства диэлектриков
- •Список рекомендованной литературы
- •185640, Петрозаводск, пр. Ленина, 33
2.11. Компоненты тока и квазиуровни Ферми вр‑nпереходе
Рассмотрим токи в электронно‑дырочном переходе в равновесном (рис. 2.11) и неравновесном (при наличии внешнего напряжения, рис. 2.12) состоянии.
Рис. 2.11. Зонная диаграмма p‑nперехода, иллюстрирующая баланс токов в равновесном состоянии
В равновесном состоянии в p‑nпереходе существуют четыре компоненты тока – две диффузионные и две дрейфовые. Диффузионные компоненты тока обусловлены основными носителями, дрейфовые – неосновными. В условиях термодинамического равновесия (VG = 0) суммарный ток вp‑nпереходе равен нулю, при этом диффузионные и дрейфовые компоненты попарно уравновешивают друг друга:
.
При неравновесном состоянии если приложено прямое внешнее напряжение, то доминируют диффузионные компоненты, если приложено обратное напряжение, то доминируют дрейфовые компоненты.
Рис. 2.12. Зонная диаграмма p‑nперехода, иллюстрирующая дисбаланс токов в неравновесном состоянии:
а) прямое смещение;б) обратное смещение
В неравновесных условиях область пространственного заряда p‑nперехода описывается двумя квазиуровнями Ферми – отдельно квазиуровнем Ферми для электроновFnи отдельно для дырокFp. При приложении внешнего напряжения расщепление квазиуровней ФермиFn иFpравно приложенному напряжениюVG[4, 3]. Пространственно область расщепления квазиуровней находится на расстоянии порядка диффузионной длины от металлургическогоp‑nперехода (рис. 2.13).
Рис. 2.13. Зонная диаграмма, иллюстрирующая расщепление квазиуровней Ферми Fn иFpпри приложении внешнего напряженияVG > 0
Распределение концентрации неравновесных носителей в ОПЗ p‑nперехода и в квазинейтральном объеме будет отличаться от равновесного. На границе области пространственного заряда, гдеFp - Fn = qVG, выражение для концентрацииnn,pnбудет:
.
В условиях низкого уровня инжекции концентрация основных носителей не меняется. Поэтому
. (2.56)
На рисунке 2.14 показано распределение основных и неосновных носителей в p‑nпереходе в неравновесных условиях при прямом и обратном смещении.
Закон изменения неосновных неравновесных носителей, инжектированных в квазинейтральный объем, будет обсуждаться в следующем разделе. Здесь же обращаем внимание на то, что на границе с квазинейтральным объемом полупроводника концентрация неосновных носителей меняется в соответствии с уравнением (2.56), т.е. увеличивается при прямом смещении и уменьшается при обратном смещении.
Рис. 2.14. Распределение основных и неосновных носителей в p‑n переходе в равновесном (сплошная линия) и неравновесном (пунктирная линия) состояниях
а) прямое смещение (VG= +0,25 В); б) обратное смещение (VG= -0,25 В)
2.12. Вольт‑амперная характеристикар‑nперехода
Получим вольт-амперную характеристику p‑nперехода. Для этого запишем уравнение непрерывности в общем виде:
.
Будем рассматривать стационарный случай .
Рассмотрим ток в квазинейтральном объеме полупроводника n-типа справа от обедненной областиp‑nперехода (x > 0). Темп генерацииGв квазинейтральном объеме равен нулю:G = 0. Электрическое полеEтоже равно нулю:E = 0. Дрейфовая компонента тока также равна нулю:IE = 0, следовательно, ток диффузионный. Темп рекомбинацииRпри малом уровне инжекции описывается соотношением:
. (2.57)
Воспользуемся следующим соотношением, связывающим коэффициент диффузии, длину диффузии и время жизни неосновных носителей: D = Lp2.
С учетом отмеченных выше допущений уравнение непрерывности имеет вид:
. (2.58)
Граничные условия для диффузионного уравнения в p-nпереходе имеют вид:
при x = 0, ; приx → ∞, . (*)
Решение дифференциального уравнения (2.58) с граничными условиями (*) имеет вид:
. (2.59)
Соотношение (2.59) описывает закон распределения инжектированных дырок в квазинейтральном объеме полупроводника n‑типа для электронно-дырочного перехода (рис. 2.15). В токеp‑nперехода принимают участие все носители, пересекшие границу ОПЗ с квазинейтральным объемомp‑nперехода. Поскольку весь ток диффузионный, подставляя (2.59) в выражение для тока, получаем (рис. 2.16):
. (2.60)
Соотношение (2.60) описывает диффузионную компоненту дырочного тока p‑nперехода, возникающую при инжекции неосновных носителей при прямом смещении. Для электронной компоненты токаp‑nперехода аналогично получаем:
.
При VG = 0 дрейфовые и диффузионные компоненты уравновешивают друг друга. Следовательно,.
Полный ток p‑nперехода является суммой всех четырех компонент токаp‑nперехода:
. (2.61)
Выражение в скобках имеет физический смысл обратного тока p‑nперехода. Действительно, при отрицательных напряженияхVG < 0 ток дрейфовый и обусловлен неосновными носителями. Все эти носители уходят из цилиндра длинойLnсо скоростьюLn/p. Тогда для дрейфовой компоненты тока получаем:
.
Рис. 2.15. Распределение неравновесных инжектированных из эмиттера носителей по квазинейтральному объему базыp‑nперехода
Нетрудно видеть, что это соотношение эквивалентно полученному ранее при анализе уравнения непрерывности.
Если требуется реализовать условие односторонней инжекции (например, только инжекции дырок), то из соотношения (2.61) следует, что нужно выбрать малое значение концентрации неосновных носителей np0вp‑области. Отсюда следует, что полупроводникp‑типа должен быть сильно легирован по сравнению с полупроводникомn‑типа:NA >> ND.В этом случае в токеp‑nперехода будет доминировать дырочная компонента (рис. 2.16).
Рис. 2.16. Токи в несимметричном p‑nnереходе при прямом смещении
Таким образом, ВАХ p‑nперехода имеет вид:
. (2.62)
Плотность тока насыщения Jsравна:
. (2.63)
ВАХ p‑nперехода, описываемая соотношением (2.62), приведена на рисунке 2.17.
Рис. 2.17. Вольт‑амперная характеристика идеального p‑nперехода
Как следует из соотношения (2.16) и рисунка 2.17, вольт‑амперная характеристика идеального p‑nперехода имеет ярко выраженный несимметричный вид. В области прямых напряжений токp‑nперехода диффузионный и экспоненциально возрастает с ростом приложенного напряжения. В области отрицательных напряжений токp‑nперехода – дрейфовый и не зависит от приложенного напряжения.
Емкость p‑n перехода
Любая система, в которой при изменении потенциала меняется электрический зарядQ, обладает емкостью. Величина емкостиСопределяется соотношением:.
Для p‑nперехода можно выделить два типа зарядов: заряд в области пространственного заряда ионизованных доноров и акцепторовQBи заряд инжектированных носителей в базу из эмиттераQp. При различных смещениях наp‑nпереходе при расчете емкости будет доминировать тот или иной заряд. В связи с этим для емкостиp‑nперехода выделяют барьерную емкостьCBи диффузионную емкостьCD.
Барьерная емкостьCB– это емкостьp‑nперехода при обратном смещенииVG < 0, обусловленная изменением заряда ионизованных доноров в области пространственного заряда.
. (2.64)
Величина заряда ионизованных доноров и акцепторов QBна единицу площади для несимметричногоp‑nперехода равна:
. (2.65)
Дифференцируя выражение (2.65), получаем:
. (2.66)
Из уравнения (2.66) следует, что барьерная емкость CBпредставляет собой емкость плоского конденсатора, расстояние между обкладками которого равно ширине области пространственного зарядаW. Поскольку ширина ОПЗ зависит от приложенного напряженияVG, то и барьерная емкость также зависит от приложенного напряжения. Численные оценки величины барьерной емкости показывают, что ее значение составляет десятки или сотни пикофарад.
Диффузионная емкостьCD– это емкостьp‑nперехода при прямом смещенииVG > 0, обусловленная изменением зарядаQpинжектированных носителей в базу из эмиттераQp.
,
,
.
Зависимость барьерной емкости СBот приложенного обратного напряженияVGиспользуется для приборной реализации. Полупроводниковый диод, реализующий эту зависимость, называетсяварикапом. Максимальное значение емкости варикап имеет при нулевом напряженииVG. При увеличении обратного смещения емкость варикапа уменьшается. Функциональная зависимость емкости варикапа от напряжения определяется профилем легирования базы варикапа. В случае однородного легирования емкость обратно пропорциональна корню из приложенного напряженияVG. Задавая профиль легирования в базе варикапаND(x), можно получить различные зависимости емкости варикапа от напряженияC(VG) – линейно убывающие, экспоненциально убывающие.