- •В.Н. Игумнов физические основы микроэлектроники практикум
- •Оглавление
- •Глава 1 7
- •Глава 2 36
- •Глава 3 163
- •Указания по технике безопасности
- •Предисловие
- •Глава 1 Обработка результатов измерений
- •1.1. Основные понятия и определения метрологии
- •1.2. Погрешности прямых измерений
- •1.2.1. Поправки
- •1.2.2. Случайные погрешности
- •Коэффициенты Стьюдента
- •Обратный ток через p-n-переход
- •1.2.3. Погрешность прибора
- •1.2.4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения
- •Э.Д.С. Датчика Холла
- •1.3. Погрешность косвенных измерений
- •1.3.1. Вычисление абсолютной и относительной погрешности
- •Результаты наблюдений
- •1.3.2 Схемы и формулы расчета погрешностей
- •1.3.3. Планирование эксперимента и оценка погрешности
- •1.4. Приближенные вычисления
- •1.5. Единицы измерения физических величин
- •1.6. Оформление результатов измерений
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 2 Лабораторные работы
- •2.1. Исследование характеристических параметров полупроводников
- •Зонная структура полупроводников
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла
- •Основные сведения из теории
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора
- •Поверхностные состояния
- •Порядок выполнения работы
- •Величина тока стока
- •Величина тока стока
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоэдс
- •Основные сведения из теории
- •Задание и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом
- •Основные сведения из теории
- •Применение эффекта Пельтье для охлаждения радиоаппаратуры
- •Описание установки и порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.6. Контакт металл – полупроводник
- •Основные сведения из теории
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.7. Изучение электрофизических процессов вp-nпереходе
- •Основные сведения из теории
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
- •Основные сведения из теории
- •Плазменно-электролитическое анодирование
- •Состояние теории образования оксидных пленок
- •Свойства оксидных пленок
- •Описание установки и анодирование
- •Измерение динамики роста и свойств оксидной пленки
- •Задания и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе
- •Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •Процессы захвата, заряда, прилипания и рекомбинации носителей заряда
- •Время жизни носителей заряда. Квантовый выход
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.10. Полупроводники в сильных электрических полях
- •Теоретическая часть
- •Эффект Ганна
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.11. Свойства тонких проводящих пленок
- •Свойства тонких пленок
- •Контроль толщины тонких пленок
- •Порядок выполнения работы:
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 3 Решение задач
- •3.1. Структура твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.2. Энергетические состояния микрочастиц Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.3. Электрические свойства твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.4. Свойстваp-nперехода Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова,17
Измерение динамики роста и свойств оксидной пленки
Тщательно промытые в проточной воде и высушенные образцы зажимаются в тиски таким образом, чтобы анодированная поверхность была свободной и располагалась сбоку от тисков. С помощью ножовки от каждого образца отпиливается шайба толщиной около 2 мм вместе с анодированной поверхностью. У полученных шайб сошлифовываются края до появления четкой границы между пленкой и металлом.
Измерение толщины пленки осуществляется на микроскопе с помощью окуляр-микрометра. До этого шайба зажимается в специальный держатель и устанавливается в вертикальном положении на столик микроскопа. Увеличение микроскопа подбирается таким образом, чтобы шкала окуляра совпадала с делениями микрометра. Микрометр связан с перекрестием, позволяющим точно устанавливать начало и конец отсчета. Для проверки шкалы окуляра и микрометра используется объект – микрометр, который представляет собой шкалу длиной 1 мм, разделенную на сто делений. После измерения толщины можно определить скорость нарастания пленки на каждом участке кривой, связать ее со скоростью изменения тока и сделать соответствующие выводы.
Задания и отчетность
Основательно ознакомиться с теоретическими сведениями к данной работе.
Подготовить пять-шесть образцов по методике, указанной в описании.
Включить источник питания в сеть и после двухминутного прогрева подать напряжение на аноды выходных ламп источника питания.
Установить электроды в держатели и поставить крышку на ванну.
Установить требуемое расстояние между рабочими поверхностями анода и катода в электролите.
Включить секундомер в момент подключения ячейки к источнику питания. Заметить показания приборов через одну минуту и записать в таблицу после отключения ячейки.
Проделать п.п. 4, 5, 6 с остальными образцами и результаты записать в таблицу. Построить графики I= f(t).
Измерить толщину “h” оксидных пленок всех образцов и записать в таблицу.
По данным таблицы построить график: I=f(h) и нанести на него скорость образования оксидной пленки в соответствующем масштабе.
После просушки образцов, с помощью высоковольтного источника найти прочность пленок.
Определить погрешности полученных измерений.
Таблица 2.11
t, мин. |
1 |
2 |
5 |
10 |
20 |
I, мА |
|
|
|
|
|
h, мкм |
|
|
|
|
|
Контрольные вопросы
Каковы разновидности методов анодирования металлов?
В чем заключаются основные положения теории образования оксидной пленки?
Какие свойства оксидных пленок используются для практического применения в приборостроении?
Каковы строение и фазовый состав оксидных пленок пористого типа?
Как определит толщину оксидной пленки?
Как определить микротвердость оксидной пленки?
Как определить пробивное напряжение оксидной пленки?
Как определяется коррозионная стойкость оксидной пленки?
Каковы причины убывания тока в процессе образования оксидной пленки при потенциостатическом анодировании металлов?
Какова причина возрастания тока в начальный период анодирования при постоянном напряжении на электролитической ячейке?
Литература: [12] 9.1 – 9.8.