- •В.Н. Игумнов физические основы микроэлектроники практикум
- •Оглавление
- •Глава 1 7
- •Глава 2 36
- •Глава 3 163
- •Указания по технике безопасности
- •Предисловие
- •Глава 1 Обработка результатов измерений
- •1.1. Основные понятия и определения метрологии
- •1.2. Погрешности прямых измерений
- •1.2.1. Поправки
- •1.2.2. Случайные погрешности
- •Коэффициенты Стьюдента
- •Обратный ток через p-n-переход
- •1.2.3. Погрешность прибора
- •1.2.4. Погрешность округления. Полная погрешность прямого измерения
- •Э.Д.С. Датчика Холла
- •1.3. Погрешность косвенных измерений
- •1.3.1. Вычисление абсолютной и относительной погрешности
- •Результаты наблюдений
- •1.3.2 Схемы и формулы расчета погрешностей
- •1.3.3. Планирование эксперимента и оценка погрешности
- •1.4. Приближенные вычисления
- •1.5. Единицы измерения физических величин
- •1.6. Оформление результатов измерений
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 2 Лабораторные работы
- •2.1. Исследование характеристических параметров полупроводников
- •Зонная структура полупроводников
- •Температурная зависимость электропроводности
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.2. Исследование полупроводников с помощью эффекта Холла
- •Основные сведения из теории
- •Измерительная установка и методика измерений
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.3. Исследование эффекта поля в полупроводниках на базе полевого транзистора
- •Поверхностные состояния
- •Порядок выполнения работы
- •Величина тока стока
- •Величина тока стока
- •Контрольные вопросы
- •2.4. Определение потенциала Ферми в полупроводниках с помощью коэффициента термоэдс
- •Основные сведения из теории
- •Задание и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.5. Определение коэффициента Пельтье компенсационным методом
- •Основные сведения из теории
- •Применение эффекта Пельтье для охлаждения радиоаппаратуры
- •Описание установки и порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.6. Контакт металл – полупроводник
- •Основные сведения из теории
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.7. Изучение электрофизических процессов вp-nпереходе
- •Основные сведения из теории
- •Описание лабораторной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
- •Основные сведения из теории
- •Плазменно-электролитическое анодирование
- •Состояние теории образования оксидных пленок
- •Свойства оксидных пленок
- •Описание установки и анодирование
- •Измерение динамики роста и свойств оксидной пленки
- •Задания и отчетность
- •Контрольные вопросы
- •2.9. Исследование процессов в полупроводниковом фоторезисторе
- •Фотопроводимость и поглощение света полупроводниками
- •Процессы захвата, заряда, прилипания и рекомбинации носителей заряда
- •Время жизни носителей заряда. Квантовый выход
- •Теория метода и описание установки
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.10. Полупроводники в сильных электрических полях
- •Теоретическая часть
- •Эффект Ганна
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •2.11. Свойства тонких проводящих пленок
- •Свойства тонких пленок
- •Контроль толщины тонких пленок
- •Порядок выполнения работы:
- •Контрольные вопросы:
- •Глава 3 Решение задач
- •3.1. Структура твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.2. Энергетические состояния микрочастиц Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.3. Электрические свойства твердых тел Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •3.4. Свойстваp-nперехода Основные справочные формулы
- •Примеры решения задач
- •Приложения п.1. Фундаментальные физические постоянные
- •П.2. Свойства полупроводников
- •П.3. Некоторые единицы системы си Основные единицы
- •Некоторые производные механические единицы
- •Некоторые производные единицы электрических величин
- •Некоторые производные единицы магнитных величин
- •П.4. Внесистемные единицы, допускаемые к применению
- •П.5. Плотность некоторых твердых тел
- •Библиографический список
- •424000 Йошкар-Ола, пл. Ленина,3
- •424006 Йошкар-Ола, ул. Панфилова,17
Контрольные вопросы
1. Какова структура р-nперехода?
2. От чего зависит толщина запорного слоя?
3. Чем определяется высота потенциального барьера р-nперехода?
4. Каково уравнение вольт-амперной характеристики полупроводникового диода?
5. Что такое коэффициент выпрямления?
6. Каков принцип работы туннельного диода?
7. В чем заключаются основные преимущества туннельного диода?
8. Каковы особенности вольт-амперной характеристики ТД?
Литература: [4] 2.1,61; [6] 8.4 – 8.6, 8.8.
2.8. Исследование кинетики формовки оксидных пленок при электрохимическом окислении металлов
Цель работы:ознакомление с процессом получения анодных оксидных пленок на металлах и сплавах, а также изучение зависимости основных свойств пленок от условий их получения.
Оборудование: установка для анодирования, оптический микроскоп с окуляр-микрометром.
Основные сведения из теории
Первые сообщения о свойствах оксидных пленок появились более ста лет назад, когда профессор Казанского университета Н.П. Слугинов доложил результаты электролиза слабого раствора серной кислоты с использованием в качестве анода алюминиевой пластинки . Отмечалась большая твердость полученного слоя на поверхности пластинки, а также его стойкость к воздействию кислот и щелочей. В связи с этим была указана и первая область применения оксидных пленок –предохранение металлических поверхностей от дальнейшего окисления.
По мере изучения свойств анодных оксидов различных металлов и сплавов открывались все новые области их применения, но способ получения самих пленок оставался прежним. Длительное время все усилия исследователей были направлены на разработку наилучших технологических процессов анодирования в водных растворах электролитов при глубоком погружении обрабатываемых деталей. Обширный экспериментальный и теоретический материал, накопленный многими зарубежными и отечественными учеными, требовал обобщения и критического анализа. В связи с этим появились монографии, в которых сделаны попытки разобраться во всем множестве иногда противоречивых сведений о тех или иных закономерностях формирования анодных оксидов.
Первой книгой, в которой дается подробный обзор методов исследования кинетики формовки, физических, электрических свойств и структуры анодных оксидных пленок на вентильных металлах, следует считать монографию Л. Юнга, вышедшую в 1961 году и переведенную на русский язык в 1967 году. В ней рассматриваются оксидные пленки на тантале, алюминии, ниобии, титане и других металлах. Приводится критический обзор теорий формовки и указываются свойства анодных оксидных пленок рассмотренных металлов.
Дальнейшее исследование было направлено на создание смешанных электролитов, позволяющих получать наиболее толстые и прочные оксидные пленки. Большое внимание уделялось изучению электролитов на основе органических кислот в смеси с серной кислотой. В результате многолетних трудов появилась монография большого коллектива авторов под общей редакцией академика И.Н. Францевича, в которой изложены современные представления о механизме анодного окисления металлов. На основании критического рассмотрения литературных данных и по собственным исследованиям авторов описано строение и механизм формирования анодных пленок на алюминии и его сплавах. Во всех перечисленных монографиях рассматривались свойства оксидных пленок, полученных одним и тем же методом – анодированием в растворах электролитов при глубоком погружении образца. Отличались режимы анодирования, в основном, составом электролита, его температурой и длительностью формовки. Оказалось, что анодирование можно проводить и не погружая деталь в электролит, а лишь касаясь ею поверхности электролита. Так возник метод анодирования, который широко применяется в радиоэлектронике для анодирования плоских подложек при изготовлении гибридных интегральных микросхем.
Анодирование плоских деталей можно проводить при неглубоком их расположении в электролите, когда катод находится над поверхностью электролита. Применение повышенных электрических режимов при указанном расположении электродов привело к созданию метода анодирования, получившего название плазменно-электролитического.