- •Кафедра «Электроснабжение железнодорожного транспорта»
- •Электроника Конспект лекций
- •Предисловие
- •Введение
- •Лекция 1. Полупроводниковые материалы, конструкция и свойстваp-nперехода
- •1.1. Полупроводниковые материалы
- •1.2. Получение односторонней проводимости
- •1.3. Виды пробояp-nперехода
- •1.4. Ёмкостиp-nперехода
- •1.5. Конструктивное исполнениеp-nперехода
- •Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. Режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •2.2. Классификация и система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.3. Режим нагрузки полупроводниковых диодов
- •Лекция 3. Применение полупроводниковых диодов. Однофазные выпрямители
- •3.1. Классификация и основные параметры выпрямителей
- •3.2. Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный мостовой выпрямитель
- •Лекция 4. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения. Работа выпрямителей на активно-ёмкостную нагрузку. Схемы с умножением напряжения
- •4.1. Пульсации выпрямленного напряжения
- •4.2. Сглаживающие фильтры
- •4.3. Работа выпрямителя на ёмкостный фильтр
- •4.4. Схемы с умножением напряжения
- •4.5. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром
- •Лекция 5. Полупроводниковые стабилитроны. Параметры, классификация, анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •5.1. Основные параметры стабилитронов
- •5.2. Классификация и система обозначения стабилитронов
- •5.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.4. Анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •Лекция 6. Транзисторы биполярные. Классификация, система обозначений, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •6.1. Биполярные транзисторы
- •6.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •6.3. Схемы включения биполярного транзистора и их основные параметры
- •6.4. Режимы работы транзистора
- •Лекция 7. Статические характеристики транзисторов
- •7.1. Статические характеристики транзистора в схеме об
- •7.2. Статические характеристики транзистора в схеме оэ
- •7.3. Статические характеристики транзистора в схеме ок
- •Лекция 8. Работа транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Классы усиления
- •8.1. Работа транзистора в режиме нагрузки
- •8.2. Схема однокаскадного транзисторного усилителя
- •8.3. Класс усиления а
- •8.4. Класс усиления в
- •8.5. Класс усиления с
- •8.6. Класс усиленияD(ключевой режим работы транзистора)
- •Лекция 9. Влияние температуры на работу транзистора в режиме нагрузки. Схемы термостабилизации
- •9.1. Схема термостабилизации с оос по току базы
- •9.2. Схема термостабилизации с оос по напряжению база-эмиттер
- •Лекция 10. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора. Частотные характеристики однокаскадных транзисторных усилителей
- •10.1. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора
- •10.2. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя оэ
- •10.3. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ок
- •10.4. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя об
- •Лекция 11. Двухкаскадные усилители
- •11.1. Двухкаскадный усилитель оэ-оэ
- •11.2. Двухкаскадный усилитель ок-оэ (схема Дарлингтона)
- •11.3. Двухкаскадный усилитель оэ-об (каскодный усилитель)
- •11.4. Дифференциальный усилитель
- •Лекция 12. Полевые транзисторы. Классификация, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •12.1. Классификация полевых транзисторов
- •12.2. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющимp-n переходом
- •12.3. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором
- •12.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •12.5. Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры
- •Лекция 13. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Влияние температуры. Частотные и шумовые характеристики
- •13.1. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки
- •13.2. Влияние температуры на работу полевого транзистора
- •13.3. Частотные характеристики полевых транзисторов
- •13.4. Шумовые характеристики полевых транзисторов
- •Лекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры
- •14.1. Устройство и принцип работы тиристора
- •14.2. Переходные процессы при открывании и закрывании тиристора
- •14.3. Влияние скорости нарастания прямого напряжения на работу тиристора
- •14.4. Классификация и система условных обозначений
- •Лекция 15. Применение динисторов и не запираемых тиристоров. Генератор пилообразного напряжения. Регулируемый выпрямитель. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •15.1. Генератор пилообразного напряжения (гпн)
- •15.2. Схема управления тиристором
- •15.3. Применение тиристоров. Управляемый выпрямитель
- •15.4. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •Лекция 16. Запираемые тиристоры. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.1. Запираемые тиристоры
- •16.2. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.3. Применение симисторов. Регулятор переменного напряжения
- •Лекция 17. Светодиоды. Фотодиоды. Оптоэлектронные устройства
- •17.1. Светодиоды
- •17.2. Фотодиоды
- •17.3. Оптроны
- •Лекция 18. Аналоговые интегральные микросхемы
- •18.1. Классификация аналоговых интегральных микросхем
- •18.2. Применение аналоговых интегральных микросхем
- •Библиографический список
13.3. Частотные характеристики полевых транзисторов
Частотные свойства полевого транзистора в схеме усилителя сигналов переменного тока принято оценивать коэффициентом широкополосности
. (13.2)
Чем больше ёмкость стока, тем быстрее будет уменьшаться коэффициент передачи с ростом частоты. Поэтому высокочастотные транзисторы изготавливают с наименьшей возможной ёмкостью стока относительно истока, а подложку соединяют с истоком (см. рис. 12.4).
Также на работу полевого транзистора оказывает влияние время пролёта основных носителей заряда через канал
, (13.3)
где V– дрейфовая скорость носителей,- подвижность зарядов.
Когда время пролёта tпрстановится сравнимым с периодом усиливаемого сигнала, транзистор практически перестаёт усиливать.
Амплитудно-частотная характеристика усилителя ОИ, выполненного на полевом транзисторе с управляющим p-n – переходомпредставлена на рис. 13.6.
Рис. 13.6. Амплитудно-частотная характеристика усилителя ОИ
Характеристика очень похожа на АЧХ усилителя ОЭ на биполярном транзисторе, только коэффициент передачи KUзависит от крутизны характеристики и может даже оказаться меньше. Особенных преимуществ перед биполярными транзисторами по частотным свойствам низкочастотные и среднечастотные полевые транзисторы не имеют.
13.4. Шумовые характеристики полевых транзисторов
Шумы транзистора определяются тепловым, избыточным и дробовым шумами.
Тепловойшум вызывается хаотическим движением носителей зарядов в полупроводнике. На средней частоте усиливаемого сигнала этот шум является основным.
Избыточныйшум проявляется на низких частотах. Его второе название-шум. Источник – хаотические изменения электрических свойств и поверхностных состояний канала и выводов. Зависит от качества полупроводниковых материалов и технологии изготовления и принципиально неустраним.
Дробовойшум возникает из-за тока утечки затвора, и для полевых транзисторов очень мал (практически не учитывается), в отличие от такого шума у биполярных транзисторов.
В электронике собственные шумы принято оценивать коэффициентом шума, выраженного в логарифмических единицах
. (13.4)
Этот коэффициент характеризует уменьшение соотношения сигнал/шум на выходе электронного прибора (или усилителя) относительно соотношения сигнал/шум на входе за счёт внутренних шумов прибора. Коэффициент шума зависит от сопротивления источника входного сигнала, и становится минимальным (около 1 dB) при сопротивлении чуть более 1 МОм.
| |
а) |
б) |
Рис. 13.7. Типовые зависимости спектральной плотности шумовых напряжений от частоты (а) и зависимость коэффициента шума полевого транзистора от внутреннего сопротивления источника сигнала (б): 1 – для полевого транзистора с управляющим p-n-переходом; 2 – для полевого транзистора с изолированным затвором; 3 – для биполярного транзистора
Более подробные сведения о полевых транзисторах и их применении в электронных схемах приведены в литературе [2, 10, 16].
Контрольные вопросы
1. Нарисуйте схему усилителя ОИ. Как выбирается рабочая точка при работе в классе А?
2. Как работает цепь автоматического смещения при питании усилителя ОИ на полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом?
3. Почему для транзистора с изолированным затвором (индуцированный канал) цепи смещения выглядят так же, как и для биполярного транзистора?
4. Как влияет изменение температуры на параметры полевого транзистора?
5. Что такое термостабильная рабочая точка?
6. Нарисуйте схему генератора тока на полевом транзисторе управляющим p-n-переходом. Как устанавливается рабочая точка схемы?
7. Расшифруйте обозначение КП302А, КП904Б.
8. Какие явления определяют зависимость коэффициента KUот частоты?
9. От чего зависит шум полевого транзистора? Какие преимущества имеет полевой транзистор перед биполярным по уровню шума?