- •Кафедра «Электроснабжение железнодорожного транспорта»
- •Электроника Конспект лекций
- •Предисловие
- •Введение
- •Лекция 1. Полупроводниковые материалы, конструкция и свойстваp-nперехода
- •1.1. Полупроводниковые материалы
- •1.2. Получение односторонней проводимости
- •1.3. Виды пробояp-nперехода
- •1.4. Ёмкостиp-nперехода
- •1.5. Конструктивное исполнениеp-nперехода
- •Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. Режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •2.2. Классификация и система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.3. Режим нагрузки полупроводниковых диодов
- •Лекция 3. Применение полупроводниковых диодов. Однофазные выпрямители
- •3.1. Классификация и основные параметры выпрямителей
- •3.2. Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный мостовой выпрямитель
- •Лекция 4. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения. Работа выпрямителей на активно-ёмкостную нагрузку. Схемы с умножением напряжения
- •4.1. Пульсации выпрямленного напряжения
- •4.2. Сглаживающие фильтры
- •4.3. Работа выпрямителя на ёмкостный фильтр
- •4.4. Схемы с умножением напряжения
- •4.5. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром
- •Лекция 5. Полупроводниковые стабилитроны. Параметры, классификация, анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •5.1. Основные параметры стабилитронов
- •5.2. Классификация и система обозначения стабилитронов
- •5.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.4. Анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •Лекция 6. Транзисторы биполярные. Классификация, система обозначений, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •6.1. Биполярные транзисторы
- •6.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •6.3. Схемы включения биполярного транзистора и их основные параметры
- •6.4. Режимы работы транзистора
- •Лекция 7. Статические характеристики транзисторов
- •7.1. Статические характеристики транзистора в схеме об
- •7.2. Статические характеристики транзистора в схеме оэ
- •7.3. Статические характеристики транзистора в схеме ок
- •Лекция 8. Работа транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Классы усиления
- •8.1. Работа транзистора в режиме нагрузки
- •8.2. Схема однокаскадного транзисторного усилителя
- •8.3. Класс усиления а
- •8.4. Класс усиления в
- •8.5. Класс усиления с
- •8.6. Класс усиленияD(ключевой режим работы транзистора)
- •Лекция 9. Влияние температуры на работу транзистора в режиме нагрузки. Схемы термостабилизации
- •9.1. Схема термостабилизации с оос по току базы
- •9.2. Схема термостабилизации с оос по напряжению база-эмиттер
- •Лекция 10. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора. Частотные характеристики однокаскадных транзисторных усилителей
- •10.1. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора
- •10.2. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя оэ
- •10.3. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ок
- •10.4. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя об
- •Лекция 11. Двухкаскадные усилители
- •11.1. Двухкаскадный усилитель оэ-оэ
- •11.2. Двухкаскадный усилитель ок-оэ (схема Дарлингтона)
- •11.3. Двухкаскадный усилитель оэ-об (каскодный усилитель)
- •11.4. Дифференциальный усилитель
- •Лекция 12. Полевые транзисторы. Классификация, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •12.1. Классификация полевых транзисторов
- •12.2. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющимp-n переходом
- •12.3. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором
- •12.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •12.5. Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры
- •Лекция 13. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Влияние температуры. Частотные и шумовые характеристики
- •13.1. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки
- •13.2. Влияние температуры на работу полевого транзистора
- •13.3. Частотные характеристики полевых транзисторов
- •13.4. Шумовые характеристики полевых транзисторов
- •Лекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры
- •14.1. Устройство и принцип работы тиристора
- •14.2. Переходные процессы при открывании и закрывании тиристора
- •14.3. Влияние скорости нарастания прямого напряжения на работу тиристора
- •14.4. Классификация и система условных обозначений
- •Лекция 15. Применение динисторов и не запираемых тиристоров. Генератор пилообразного напряжения. Регулируемый выпрямитель. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •15.1. Генератор пилообразного напряжения (гпн)
- •15.2. Схема управления тиристором
- •15.3. Применение тиристоров. Управляемый выпрямитель
- •15.4. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •Лекция 16. Запираемые тиристоры. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.1. Запираемые тиристоры
- •16.2. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.3. Применение симисторов. Регулятор переменного напряжения
- •Лекция 17. Светодиоды. Фотодиоды. Оптоэлектронные устройства
- •17.1. Светодиоды
- •17.2. Фотодиоды
- •17.3. Оптроны
- •Лекция 18. Аналоговые интегральные микросхемы
- •18.1. Классификация аналоговых интегральных микросхем
- •18.2. Применение аналоговых интегральных микросхем
- •Библиографический список
8.5. Класс усиления с
В классе усиления С рабочая точка выбирается из условия , то есть напряжение на коллекторе равно напряжению источника питания, транзистор закрыт. Для перевода усилителя в класс С необходимо переключитьRсм от источника питания на общий провод (рис. 8.6).
Рис. 8.6. Схема усилителя ОЭ, работающего в классе С
Усиление происходит с отсечкой тока, угол отсечки составляет = 600. Форма выходного сигнала представляет собой одну треть периода синусоиды входного сигнала. Проведём анализ работы усилителя (рис. 8.7).
Выберем рабочую точку ОС, в которойВ,IК00 мА. Рабочая точка на входной характеристике расположена в точке начала координатВ, IБ00 мА.
Проведём построения синусоид входного и выходного сигнала. В результате построений получим Um.вх= 0,63 В,Um.вых= 11 В, амплитуды токов на входеIm.вх= 0,68 мА и на выходеIm.вх= 38 мА.
Рис. 8.7. Графический анализ работы усилителя в классе усиления С
Рассчитаем коэффициенты передачи усилителя:
по напряжению; по току;
по мощности КР=КUКI= 17,556 = 978.
Коэффициент полезного действия усилителя класса С достигает 97%, однако выходной сигнал сильно искажён. Класс С применяется для усиления сигналов высокой частоты, когда нагрузкой коллекторной цепи служит колебательный контур.
8.6. Класс усиленияD(ключевой режим работы транзистора)
Схема усилителя ОЭ, работающего в классе усиления D, представлена на рис. 8.8, а, временная диаграмма работы – на рис. 8.8, б.
Транзистор при работе в классе Dможно представить как ключ, коммутирующий цепь нагрузки под воздействием импульсов входного сигнала. Когда входного сигнала нет (UВХ=UБЭ= 0), транзистор закрыт (находится в режиме отсечки). При появлении входного сигнала (для транзистора структурыp-n-pимпульс отрицательной полярности) сначала открывается переход база-эмиттер, начинается инжекция дырок из эмиттера в базу, и только через некоторое время дырки достигают коллектора. Поэтому ток коллектора появляется с запаздыванием на времяtз– время задержки, которое определяется временем пролёта носителей зарядов через область базы. Затем за время нарастанияtнток коллектора увеличивается до установившегося значения. Полное время включения транзисторного ключа – переход от режима отсечки в режим насыщения – составляетtвкл=tз+tн. Для уменьшения времени включения токIб.вклвыбирают больше необходимого для насыщения транзистораIб.нас.
а) |
б) |
Рис. 8.8. Усилитель ОЭ, работающий в классе усиления D:
а – схема; б – временная диаграмма работы
При выключении надо перевести транзистор из режима насыщения в отсечку. Для этого на вход подают противоположную полярность входного напряжения. В течение времени tрасспроисходит рассасывание избыточного заряда не основных носителей в области базы. Транзистор при этом остаётся открытым. Затем за время спаданияtспток коллектора уменьшается до нуля из-за разряда динамической ёмкости насыщенного коллекторного перехода. Полное время выключения транзисторного ключа составляетtвыкл=tрасс+tсп. Чем больше будет ток базыIб.выкл, тем быстрее можно закрыть транзистор. Однако увеличивать токиIб.вклиIб.выклслишком сильно нельзя, так как это может привести к перегреву базы и выходу транзистора из строя.
Контрольные вопросы
1. Чем отличаются режимы усиления тока, напряжения и мощности при работе транзистора в режиме нагрузки? Нарисуйте схему однокаскадного транзисторного усилителя и поясните назначение элементов схемы.
2. Как устанавливается рабочая точка класса А? Перечислите преимущества и недостатки усилителя, работающего в классе А.
3. Перечислите преимущества и недостатки усилителя, работающего в классе В. Как получить в нагрузке синусоидальный сигнал?
4. Сравните параметры усилителей, работающих в разных классах усиления. Чем объяснить изменение коэффициентов передачи по току, напряжению и мощности?