- •Кафедра «Электроснабжение железнодорожного транспорта»
- •Электроника Конспект лекций
- •Предисловие
- •Введение
- •Лекция 1. Полупроводниковые материалы, конструкция и свойстваp-nперехода
- •1.1. Полупроводниковые материалы
- •1.2. Получение односторонней проводимости
- •1.3. Виды пробояp-nперехода
- •1.4. Ёмкостиp-nперехода
- •1.5. Конструктивное исполнениеp-nперехода
- •Лекция 2. Полупроводниковые диоды, основные параметры и классификация. Режим нагрузки полупроводниковых диодов. Графический и аналитический методы расчёта схем
- •2.1. Полупроводниковые диоды
- •2.2. Классификация и система обозначения полупроводниковых диодов
- •2.3. Режим нагрузки полупроводниковых диодов
- •Лекция 3. Применение полупроводниковых диодов. Однофазные выпрямители
- •3.1. Классификация и основные параметры выпрямителей
- •3.2. Однофазный однополупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный двухполупериодный выпрямитель
- •3.3. Однофазный мостовой выпрямитель
- •Лекция 4. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения. Работа выпрямителей на активно-ёмкостную нагрузку. Схемы с умножением напряжения
- •4.1. Пульсации выпрямленного напряжения
- •4.2. Сглаживающие фильтры
- •4.3. Работа выпрямителя на ёмкостный фильтр
- •4.4. Схемы с умножением напряжения
- •4.5. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром
- •Лекция 5. Полупроводниковые стабилитроны. Параметры, классификация, анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •5.1. Основные параметры стабилитронов
- •5.2. Классификация и система обозначения стабилитронов
- •5.3. Параметрический стабилизатор напряжения
- •5.4. Анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
- •Лекция 6. Транзисторы биполярные. Классификация, система обозначений, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •6.1. Биполярные транзисторы
- •6.2. Принцип действия биполярного транзистора
- •6.3. Схемы включения биполярного транзистора и их основные параметры
- •6.4. Режимы работы транзистора
- •Лекция 7. Статические характеристики транзисторов
- •7.1. Статические характеристики транзистора в схеме об
- •7.2. Статические характеристики транзистора в схеме оэ
- •7.3. Статические характеристики транзистора в схеме ок
- •Лекция 8. Работа транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Классы усиления
- •8.1. Работа транзистора в режиме нагрузки
- •8.2. Схема однокаскадного транзисторного усилителя
- •8.3. Класс усиления а
- •8.4. Класс усиления в
- •8.5. Класс усиления с
- •8.6. Класс усиленияD(ключевой режим работы транзистора)
- •Лекция 9. Влияние температуры на работу транзистора в режиме нагрузки. Схемы термостабилизации
- •9.1. Схема термостабилизации с оос по току базы
- •9.2. Схема термостабилизации с оос по напряжению база-эмиттер
- •Лекция 10. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора. Частотные характеристики однокаскадных транзисторных усилителей
- •10.1. Влияние частоты усиливаемого сигнала на работу транзистора
- •10.2. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя оэ
- •10.3. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя ок
- •10.4. Схема и амплитудно-частотная характеристика усилителя об
- •Лекция 11. Двухкаскадные усилители
- •11.1. Двухкаскадный усилитель оэ-оэ
- •11.2. Двухкаскадный усилитель ок-оэ (схема Дарлингтона)
- •11.3. Двухкаскадный усилитель оэ-об (каскодный усилитель)
- •11.4. Дифференциальный усилитель
- •Лекция 12. Полевые транзисторы. Классификация, принцип действия, основные параметры, схемы включения и режимы работы
- •12.1. Классификация полевых транзисторов
- •12.2. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющимp-n переходом
- •12.3. Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором
- •12.4. Основные параметры полевых транзисторов
- •12.5. Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры
- •Лекция 13. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки. Схема однокаскадного усилителя. Влияние температуры. Частотные и шумовые характеристики
- •13.1. Работа полевого транзистора в режиме нагрузки
- •13.2. Влияние температуры на работу полевого транзистора
- •13.3. Частотные характеристики полевых транзисторов
- •13.4. Шумовые характеристики полевых транзисторов
- •Лекция 14. Тиристоры, принцип работы, классификация и основные параметры
- •14.1. Устройство и принцип работы тиристора
- •14.2. Переходные процессы при открывании и закрывании тиристора
- •14.3. Влияние скорости нарастания прямого напряжения на работу тиристора
- •14.4. Классификация и система условных обозначений
- •Лекция 15. Применение динисторов и не запираемых тиристоров. Генератор пилообразного напряжения. Регулируемый выпрямитель. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •15.1. Генератор пилообразного напряжения (гпн)
- •15.2. Схема управления тиристором
- •15.3. Применение тиристоров. Управляемый выпрямитель
- •15.4. Закрывание тиристора в цепи постоянного тока
- •Лекция 16. Запираемые тиристоры. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.1. Запираемые тиристоры
- •16.2. Симметричные тиристоры – симисторы
- •16.3. Применение симисторов. Регулятор переменного напряжения
- •Лекция 17. Светодиоды. Фотодиоды. Оптоэлектронные устройства
- •17.1. Светодиоды
- •17.2. Фотодиоды
- •17.3. Оптроны
- •Лекция 18. Аналоговые интегральные микросхемы
- •18.1. Классификация аналоговых интегральных микросхем
- •18.2. Применение аналоговых интегральных микросхем
- •Библиографический список
4.5. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром
Главным недостатком выпрямителя с ёмкостным фильтром является сильная зависимость выходного напряжения от тока нагрузки. Внешняя характеристика выпрямителя определяется уравнениями
;,
или в относительных единицах
. (4.10)
Выражение (4.10) представляет собой обобщенную внешнюю характеристику выпрямителя, изображенную графически на рис. 4.6.
Рис. 4.6. Внешняя характеристика выпрямителя с ёмкостным фильтром в относительных единицах
Как следует из рис. 4.6, внешняя характеристика выпрямителя круто падающая, поэтому не рекомендуется использовать такой выпрямитель для питания потребителей с переменной нагрузкой, так как напряжение на выходе выпрямителя будет изменяться по величине. Однако этот недостаток можно устранить, применив стабилизатор напряжения в нагрузке. Полупроводниковый прибор, позволяющий построить схему стабилизатора напряжения, будет рассмотрен в следующей лекции.
Контрольные вопросы
1. Как определяется величина пульсаций выпрямленного напряжения?
2. Какие элементы применяют для сглаживания пульсаций выпрямленного напряжения? Как определяется коэффициент сглаживания фильтра?
3. В чём преимущество ёмкостного сглаживающего фильтра?
4. Нарисуйте схему мостового однофазного выпрямителя с активно-ёмкостной нагрузкой и его временную диаграмму работы.
Лекция 5. Полупроводниковые стабилитроны. Параметры, классификация, анализ работы схемы параметрического стабилизатора напряжения
5.1. Основные параметры стабилитронов
Полупроводниковым стабилитроном называют кремниевый диод, способный длительно работать в области лавинного пробоя p-nперехода при приложении обратного напряжения [13, 21].
Прямая ветвь ВАХ стабилитрона ничем не отличается от ВАХ обычного кремниевого диода, а обратная ветвь из-за специальной конструкции и малой концентрации примесей в p-nпереходе обладает «жесткой» формой в зоне электрического (лавинного) пробоя. Вид ВАХ стабилитрона представлен на рис. 5.1.
Рис. 5.1. Вольтамперная характеристика стабилитрона
В зоне лавинного пробоя на рабочем участке характеристики напряжение на стабилитроне меняется весьма мало. Границы рабочего участка определяются с одной стороны минимальным током стабилизации Iст.мин, при котором возникает устойчивый лавинный пробой, а с другой стороны максимальным током стабилизацииIст.мах, при которомp-nпереход нагревается до предельно допустимой температуры.
Основными параметрами стабилитронов являются:
- номинальное напряжение стабилизации Uст.ном;
- номинальный ток стабилизации Iст.ном;
- допустимая мощность рассеяния Рст;
- динамическое сопротивление rст;
- температурный коэффициент стабилизации напряжения (ТКСН).
Номинальное напряжение стабилизации Uст.номзависит от температурыp-nперехода и определяется при заданных условиях охлаждения и номинальном токеIст.ном.
Допустимая мощность рассеяния Рст=UстIст.макс.устанавливается для длительного режима работы. Она зависит от интенсивности охлаждения, и может быть увеличена установкой стабилитрона на радиатор (если это предусмотрено конструкцией корпуса стабилитрона).
Динамическое сопротивление определяет качество стабилитрона. Чем меньше динамическое сопротивление, тем меньше изменяется напряжение на рабочем участке ВАХ стабилитрона, и тем точнее поддерживается стабилизированное напряжение.
Температурный коэффициент стабилизации напряжения (ТКСН) определяется по формуле:
;, (5.1)
где t=tмакс–tмин– разность температур окружающей среды, при которых эксплуатируется стабилитрон.
Высоковольтные стабилитроны обладают положительным ТКСН, а низковольтные – отрицательным. Это объясняется различием в механизмах лавинного пробоя «широких» высоковольтных и «узких» низковольтных p-nпереходов.