12.4. Основные параметры полевых транзисторов

Параметры полевого транзистора отражают следующие зависимости.

1. Крутизна сток - затворной характеристики

. (12.1)

Физический смысл крутизны характеристики – она показывает, на сколько миллиампер изменяется ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В при неизменном напряжении на стоке. Вычислить Sможно по сток - затворной характеристике, непосредственно измеривI_CиU_ЗИ. У маломощных полевых транзисторовS= 0,1…20 мА/В, у мощных достигает единиц А/В.

2. Внутреннее сопротивление

. (12.2)

Внутреннее сопротивление определяется по выходной характеристике транзистора на участке от U_СИ.НАСдоU_{СИ.макс}по приращению тока стока и может составлять от нескольких десятков до сотен кОм.

3. Статический коэффициент усиления по напряжению

. (12.3)

При определении этого параметра берутся взаимно компенсирующие друг друга по действию на ток стока приращения напряжений U_СИиU_ЗИ. Поскольку эти приращения противоположны по величине, вычисляется их отношение по модулю. Статический коэффициент усиления по напряжению показывает, во сколько раз изменение напряжения на затворе эффективнее воздействует на ток стока, чем изменение напряжения на стоке. Учитывая выражения (12.1) и (12.2) можно записать

. (12.4)

Этот коэффициент определяет потенциальные возможности полевого транзистора как усилителя напряжения, и может иметь значение до нескольких сотен.

4. Входное дифференциальное сопротивление при I_C= 0

. (12.5)

Входное сопротивление может иметь значение от нескольких сотен кОм до нескольких МОм.

5. Дифференциальное сопротивление сток - затвор

. (12.5)

Этот параметр учитывает влияние напряжения стока на цепь затвора, и может иметь значение от нескольких сотен кОм до нескольких МОм.

В качестве предельных параметров полевых транзисторов выделяют следующие:

- максимально допустимое напряжение затвор-исток U_{ЗИ.макс};

- максимально допустимое напряжение сток-исток U_{СИ.макс};

- максимально допустимый ток стока I_C.макс;

- максимально допустимая рассеиваемая мощность Р_макс.

12.5. Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры

По аналогии с биполярным транзистором для полевого транзистора существуют схемы включения с общим затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ) и общим стоком (ОС). Рассмотрим эти схемы для транзистора с управляющим p-nпереходом и каналомnтипа.

В зависимости от схемы включения полевого транзистора изменяются его параметры: коэффициент передачи по напряжению в режиме нагрузки K_U, входноеr_вхи выходноеr_выхсопротивление, сдвиг фазы усиливаемого сигнала. В таблице 12.1 представлены схемы включения транзистора и их основные параметры.

Таблица 12.1

Схемы включения полевого транзистора и их основные параметры

Параметр	Схема ОЗ	Схема ОИ	Схема ОС
KU	10…100	10…100	1
rвх	10…1000 Ом	105…106 Ом	1051010 Ом
rвых	107108 Ом	104106 Ом	10…1000
	0	180	0

Контрольные вопросы

1. Чем отличаются полевые и биполярные транзисторы?

2. По каким параметрам классифицируются полевые транзисторы?

3. Расшифруйте обозначение КП302А, КП904Б.

4. Нарисуйте схемы включения ОЗ и ОИ полевого транзистора с управляющим p‑n переходом и каналом n-типа, работающего в нормальном активном режиме. Укажите полярность питающих напряжений и направление токов.