_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 13(3)

13(3) Рентгенолитография

Это процесс литографии высокого разрешения

Увеличение степени интеграции ИС, уменьшение размеров топологи­ческих элементов требуют перехода к актиничным излучениям с меньшими длинами волн. Это определяет интерес к использованию в качестве актиничного излучения рентгеновского, электронного или ионного пучков.

Использование мягкого рентгеновского излучения с длинами волн 0,5 - 2 нм позволяет достигать разрешения 0,2 - 0,3 мкм. Однако реали­зация технологического процесса рентгенолитографии требует:

-формирования мощного узкого пучка рентгеновского излучения с минимальной расходимостью;

-создания рентгеношаблонов;

-поиска рентгенорезистов или материалов с высокой чувствитель­ностью к рентгеновскому излучению, которые обеспечили бы высокую раз­решающую способность;

-создания систем мультипликации изображения;

-глубокого вакуума.

В качестве источников рентге­новского излучения используются электронно-лучевые, плазменные и синхротронные источники.

В плазменных источниках для возбуждения рентгеновского излучения используют частицы плазмы.

Наиболее перспективными являются синхротронные источники. Ускоренные в магнитном поле электроны при их движении по криволи­нейным траекториям испускают излучение непрерывного спектра. Это мягкое рентгеновское излучение высокой интенсивности обладает при­родной коллимацией, или малой расходимостью пучка, что дает воз­можность преодолеть проблемы, связанные с оптическими дефектами, рассмотренными выше. Синхротронное излучение характеризуется дли­нами волн диапазона 1- 5 нм.

Рентгеношаблоны до настоящего времени остаются чрезвычайно хрупкими и дорогостоящими, что определяет использование для процессов рентгенолитографии только бесконтактных и "теневых" методов переноса изображения

Основу рентгеношаблона составляет тонкая мембрана, пропус­кающая рентгеновское излучение, с нанесенной на нее металлической пленкой, поглощающей рентгеновские лучи.

Для изготовления мембран используют полиимид, кремний, карбид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия, а также многослойные структуры, например Si3N4/SiO2/Si3N4.