_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 17(3)

17(3). Электронолитография. Особенности процесса

В основе электронолитографии лежит непосредственная генерация, или проекционный перенос изображения с помощью электронного луча.

Электронный пучок, ускоренный электрическим полем при разности потен­циалов U(B), характеризуется длиной волны актиничного излучения

λ=0.1*

электронный луч проникает в подложку на глубину, сущест­венно превышающую толщину пленки элек­тронорезиста (0,3 - 1 мкм) и рассеивается в нижележащих слоях.

Явлением рассеяния электронов в слое резиста и нижележащих слоях определяется форма "клина проявления", который зависит от энергии элек­тронов, типа злектронорезиста, его толщины и характера нижележащего ма­териала.

Рассеяние электронов в подложке не только влияет на форму "кли­на проявления", но и сказывается на возможности формировать малые близкорасположенные элементы, снижая контрастность изображения.

Существует несколько способов сканирования луча по поверхности: растровое, векторное и комбинированное.

Схема установки для электронолитографии.

1 - термокатод

2,3 - система диафрагм

4,6 - магнитные линзы

5 - система отклонения луча

7 - подложка

8 - столик-держатель

Основными преимуществами элект­ронолитографии, наряду с высокой разрешающей способностью, являются воз­можности управления пучком электронов, фокусирования его до очень тонкого луча а также возможность бесшаблонной печати, или непосредственной генерации изображения топологических элементов на поверхности подложки с высокой точностью совмещения.

К недостаткам электронолитографического процесса следует отнести высокую стоимость экспонирования и не­высокую производительность процесса, которая оказывается тем ниже, чем меньше размер формируемых топологических элементов. Так, если образец с топологическим размером 1 мкм формируется за 1 час, то изготовление структуры с размерами 0.1 мкм потребует 20-30 часов