_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 12(3)

12(3). Способы повышения разрешающей способности

Фотолитография - это в общем случае процесс формирования в актиночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложки, изо­бражения, соответствующего топологии элементов ИС, с последующим переносом его на нижележащие слои.

Процесс литографии предполагает два этапа:

формирование изображения в актиночувствительном слое;

перенос изображения на нижележащие слои.

В результате основными характеристиками фоторезистивных пле­нок становятся:

1) светочувствительность

2) разрешающая способность 3) кислотоустойчивость 4) адгезия 5) технологичность

Разрешающая способность - число линий равной ширины, разде­ленных промежутками такой же ширины, воспроизводимых на одном миллиметре. Величина, обратная разрешающей способности, называет­ся разрешением и соответствует минимальному размеру, воспроизводимому в данном процессе.

Различают разрешающую способность фоторезиста и разрешаю­щую способность фотолитографического процесса. Последняя обычно ниже, что связано с влиянием на эту величину толщины фоторезиста, а также особенностей процесса травления. При толщинах фоторезиста, составляющих доли микрометра, в современных процессах фотолитогра­фии удается достигать разрешающей способности до 2000 линий на мм;

Одним из факторов, ограничивающих разрешающую способность литографии, является дифракция актиничного излучения

В условиях освещения подложки параллель­ным пучком света при зазоре между подложкой и шаблоном z мини­мальный размер определяется как

bmin=

где λ - длина волны актиничного излучения; z - зазор; h - толщина плен­ки фоторезиста

Так, при толщине пленки фоторезиста 1 мкм и зазоре z=o (условия жесткого контакта) для длины волны λ = 0,4 мкм (для кото­рой характерна максимальная чувствительность фоторезиста) получаем bmin= 0,7 мкм. Уменьшив толщину фоторезистивной пленки можно еще увеличить ее разрешающую способность. Однако в реальных условиях зазор z отличен от нуля, что сказывается на разрешающей способности не лучшим образом. Более того, размер переносимого топологического элемента также существенно влияет на дифракционное перераспределение.