
_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 12(3)
.doc12(3). Способы повышения разрешающей способности
Фотолитография - это в общем случае процесс формирования в актиночувствительном слое, нанесенном на поверхность подложки, изображения, соответствующего топологии элементов ИС, с последующим переносом его на нижележащие слои.
Процесс литографии предполагает два этапа:
формирование изображения в актиночувствительном слое;
перенос изображения на нижележащие слои.
В результате основными характеристиками фоторезистивных пленок становятся:
1) светочувствительность
2) разрешающая способность 3) кислотоустойчивость 4) адгезия 5) технологичность
Разрешающая способность - число линий равной ширины, разделенных промежутками такой же ширины, воспроизводимых на одном миллиметре. Величина, обратная разрешающей способности, называется разрешением и соответствует минимальному размеру, воспроизводимому в данном процессе.
Различают разрешающую способность фоторезиста и разрешающую способность фотолитографического процесса. Последняя обычно ниже, что связано с влиянием на эту величину толщины фоторезиста, а также особенностей процесса травления. При толщинах фоторезиста, составляющих доли микрометра, в современных процессах фотолитографии удается достигать разрешающей способности до 2000 линий на мм;
Одним из факторов, ограничивающих разрешающую способность литографии, является дифракция актиничного излучения
В условиях освещения подложки параллельным пучком света при зазоре между подложкой и шаблоном z минимальный размер определяется как
bmin=
где λ - длина волны актиничного излучения; z - зазор; h - толщина пленки фоторезиста
Так, при толщине пленки фоторезиста 1 мкм и зазоре z=o (условия жесткого контакта) для длины волны λ = 0,4 мкм (для которой характерна максимальная чувствительность фоторезиста) получаем bmin= 0,7 мкм. Уменьшив толщину фоторезистивной пленки можно еще увеличить ее разрешающую способность. Однако в реальных условиях зазор z отличен от нуля, что сказывается на разрешающей способности не лучшим образом. Более того, размер переносимого топологического элемента также существенно влияет на дифракционное перераспределение.