_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 15(3)

15(3) .Структура рентгеношаблона

Основу рентгеношаблона составляет тонкая мембрана, пропус­кающая рентгеновское излучение, с нанесенной на нее металлической пленкой, поглощающей рентгеновские лучи. Толщина такой пленки, например золота, определяется длиной волны рентгеновского излучения, ко­эффициентами поглощения материала и необходимой величиной контраста. Для изготовления мембран используют полиимид, кремний, карбид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия, а также многослойные структуры, например Si3N4/SiO2/Si3N4.

Рентгеношаблон, изображенный на рис.6.10, представляет собой мно­гослойную структуру из нитрида бора, полиимида и пленки золота толщи­ной 0,6 мкм, в которой сформирован топологический рисунок. Изготовление такого шаблона начинают с осаж­дения пленки нитрида бора толщиной 6 мкм на кремниевую подложку. Затем наносят пленку полиимида также тол­щиной 6 мкм, осаждают слой Та, затем Au (толщиной 0,6мкм) и вновь Та. Структура маскируется пленкой электронорезиста, и методами электронолитографии формируется топологическийрисунок схемы. В последующих процeccax травления этот рисунок с пленки электронорезиста переносится на слои Ta, Au, Ta, а резистивную пленку удаляют. Структуру защищают пленкой полиимида и закрепляют на кольце пирекса, после чего проводят травление кремния (исходной подложки) до образования мембраны.

В качестве рентгенорезистов в настоящее время используют известные электронорезисты, т.е. материалы, чувствительные к воздействию электронного пучка. Процесс взаимодействия материала с рентгенов­ским излучением приводит к эмиссии электронов и может быть представлен как испускание вторичных электронов, которые собственно и обеспечивают экспонирование. В отличие от электронного луча рент­геновское излучение с длинами волн 0,1 - 5 нм характеризуется незначи­тельным рассеянием при прохождении через материал резиста.