_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 21(3)

21(3) Эффект близости.

В основе электронолитографии лежит непосредственная генерация, или проекционный перенос изображения с помощью электронного луча.

Рассеяние электронов в подложке не только влияет на форму "клина проявления", но и сказывается на возможности формировать малые близкорасположенные элементы, снижая контрастность изображения (рис.6.13,а). Взаимодействие "хвостов" рассеяния, а именно сложение их интенсивностей на кривых распределения интенсивности засветки, при определенном уровне проявления может привести к формированию вместо двух рядом расположенных малых элементов одного большого к искажению топологии элементов (рис.6.13,б). Такое взаимодействие называют "эффектом близости", который существенно ограничивает .возможности электронолитографии.

б)

а)

Рис.6.13. Влияние "эффекта близости" на результаты электронолитографии при от­сутствии (а) и напичии (б) взаимодействия рассеяных электронов:

1- распределение первичного пучка электронов;

2 - уровень интенсивности излучения, необходимый для проявления;

3 - итоговое изображение;

4 - распределение интенсивности в условиях рассеяния электронов;

5 - итоговое изображеиие с учетом "эффекта близости"

Преодолеть самый большой недостаток электронолитографии, а именно эффект близости, возможно при использовании в качестве актиничного излучения не электронного пучка, а ионного. При этом большая масса ионов приводит также к уменьшению рассеяния, а более высокая эффективность поглощения ионов позволяет повысить производительность процесса.