_Разное / TKЭT(ШПОРЫ) / 1 / 20(3)

20(3). Клин проявления в электронолитографии

В основе электронолитографии лежит непосредственная генерация, или проекционный перенос изображения с помощью электронного луча.

Явлением рассеяния электронов в слое резиста и нижележащих слоях определяется форма "клина проявления", который зависит от энергии элек­тронов, типа злектронорезиста, его толщины и характера нижележащего ма­териала (рис.6.12). Если пучок электронов не успевает рассеяться в тонкой пленке электронорезиста и рассеивается главным образом в нижележащих слоях, то в слое резиста формируются топологические элементы с верти­кальными стенками (рис.6. 12,а). При рассеянии электронов в слое резиста, например при большой толщине резистивной пленки (рис.6.12,б) и незначи­тельной энергии пучка электронов (рис.6.12,в), возникает "клин проявле­ния", искажающий геометрические размеры элементов, что сказывается на разрешающей способности процесса литографии в целом.

б)

в)

Рис.6.12. Возникновение "клина проявления" в процессе электронолитографии при использовании тонкого позитивного (а), толс­того позитивного (б) и толстого негативного (в) слоя фоторезиста:

1 - пучок электронов;

2 - электронорезист;

3 - подложка;

4 - об­ласть рассеяния и поглощения электронов;

5 - "клин проявления"