Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Радиационно-термическая активация диффузии кислорода в поликристаллических литиевых ферритах

.pdf
Скачиваний:
0
Добавлен:
07.09.2026
Размер:
1 Мб
Скачать
характер текстурированности зерен; совершенство форм зерен и межзе­ренных границ; наличие и характер распределения включений различных фаз; открытой и закрытой, межзеренной и внутризеренной пористостью.
Большинство электромагнитных свойств ферритов являются структурочувствительными, т. е. определяются не только химическим составом материала, но и содержанием дефектов микроструктуры.
1.2. Электрофизическиесвойстваферритов
Описание электропроводности ферритов представляет сложную и не до конца решенную до настоящего времени задачу. Это объясняется, во­первых, сложной кристаллохимической структурой ферритов, в результа­те чего для большинства из них отсутствуют достоверные зонные схемы. Во-вторых, большинство ферритов представляют собой керамические из­делия со сложной топографией межзеренных, межблочных и т. п Поэтому корректные уравнения, описывающие электропроводность ре­альных ферритов, теоретическим путем могут быть получены при пра­вильном выборе механизма электропереноса в монокристаллических сло­ях феррита с учетом влияния неоднородностей поликристаллического материала на характер электропереноса.
Ниже кратко рассмотрены основные механизмы электропереноса в монокристаллических ферритах, а также наиболее типичные подходы учета дефектности
поликристаллического материала.
Несмотря на ионный характер химической связи в ферритах преоб­ладает электронная проводимость, которая может быть реализована с помощью двух механизмов: зонного и «прыжкового».
«Прыжковая» модель. Электропроводность окислов переходных элементов исследовалась впервые Вагнером и его школой [7]. В своих работах они прежде всего указали на роль отклонения от стехиометри­ческого
состава и первыми высказали предположение, что проводи­мость может быть обусловлена переходом электрона между разнова­лентными ионами одного и того же элемента. К этим работам примыкают работы Вервея [8], которые наряду с другими вопросами подробно исследовали электропроводность шпинели. Феноменологиче­ское описание механизма проводимости, предложенное названными ав­торами, в последствии было уточнено и
дополнено в особенности бла-
годаря работам Хейкса и Джонстона [9], Морина [10] и др.
Все перечисленные выше работы по электропроводности основаны на одном и том же исходном предположении, которое заключается в том, что электроны, принимающие участие в образовании электриче­ского тока, локализованы главным образом в местах расположения ионов. Волновые функции таких электронов
имеют характер атомных
. границ.
11
волновых функций и существенно отличаются от используемых в зон­ной модели кристаллических волновых функций. Более глубокое теоре­тическое обоснование этого предположения можно найти в работах Ландау [11]. Экспериментальным обоснованием названных предполо­жений можно считать высокое значение удельного сопротивления и по­лупроводниковые свойства рассматриваемых окислов.
Исходя из предположения о локализованности состояний
электронов, можно представить себе возникновение электрического
3d-
тока как процесс перескока электронов от иона к иону. Таким образом, можно считать, что соответствующие валентные состояния ионов сами мигрируют по кристаллу и при достаточно большой концентрации ионов с переменной валентностью электропроводность имеет высокое значение и характеризуется низкой энергией активации. Например, электрон иона
2+
Fe
, преодолев энергетический барьер, может совершить «прыжок» к
иону Fe
3+
, в результате чего имеет место процесс: Fe2++Fe3+=Fe3++Fe2+.
Этот процесс может происходить и в отсутствии внешнего элек­трического поля. В этом случае кристалл находится в состоянии дина­мического равновесия, при котором перенос заряда является статисти­ческим без выделенного направления, так что суммарный ток через произвольное сечение равен нулю. При приложении внешнего электри­ческого тока статистическое распределение электронных перескоков изменяется, увеличивается их относительная частота в некотором опре­деленном направлении, возникает направленный дрейф электронов, так, что результирующий ток становится отличным от нуля.
Из рассмотренного выше «прыжкового» механизма следует, что электропроводность ферритов в большой степени зависит от содержания в них разновалентных ионов. Такими ионами в ферритах чаще всего явля­ются ионы железа
, а также ионы марганца, никеля, кобальта и некоторые другие. Многочисленные экспериментальные данные качественно под­тверждают этот вывод. Например [12], у магнетита Fe структурную формулу Fe
ния имеет порядок 10
3+
[Fe2+Fe3+]O
2
Омсм, в то время как большинство других фер-
рошпинелей с малым содержанием ионов Fe более высоким удельным сопротивлением (до 10
2+
Содержание ионов Fe
в феррите, определяющее значение , зави-
24–
, значение удельного сопротивле-
2+
характеризуются намного
10
Омсм и выше) [13].
, имеющего
3O4
сит от состава исходной шихты и условий синтеза ферритов. Регулиро­вать количество ионов Fe
2+
можно путем введения в их состав малых
добавок некоторых легирующих окислов, например Mn, Co или др. Увеличение температуры спекания приводит к увеличению количества
2+
Fe
в десятки раз, а удельное электросопротивление уменьшается на
шесть порядков [14]. Энергия активации при этом уменьшается. Это
12
значит, что чем ближе расположены друг к другу ионы Fe2+, тем меньше энергетические барьеры, которые должны преодолевать электроны при переходе от одного иона к соседнему.
Идеально чистые и стехиометрические оксидные соединения, со­держащие в эквивалентных узлах решетки лишь одноименные ионы с постоянной валентностью, обладают собственной проводимостью. К та­ким соединениям относятся NiO, -Fe
, ZnFe2O4, ZnMn2O4 и др. Если
2O3
в некотором соединении, обладающем лишь собственной проводимо­стью, перенос электрического заряда происходит в результате обмена валентностями, то сначала должно возникнуть возбужденное состояние, в котором по крайней мере один из ионов меняет свою валентность. Возбужденное состояние может возникнуть, например, в результате ре-
акции Me ры (Me
3+
+Me3+Me2++Me4+. При этом образование возбужденной па-
2+
+Me4+) соответствует образованию одного отрицательного
(электрон) и одного положительного (дырка) носителя. Однако, из-за
больших потенциалов ионизации для реализации собственной проводи­мости необходима очень высокая (порядка 5 эВ) энергия активации но­сителей заряда. Поэтому в области умеренных температур собственная проводимость представляется несущественной.
Примесной проводимостью обладают ферриты и другие окислы, у которых в
эквивалентных кристаллографических позициях находятся ионы одного и того же элемента с различной валентностью. Кроме того, примесная проводимость названных веществ может быть обусловлена наличием ионизируемых примесей.
Рассмотрим примесную проводимость на примере цинкового фер­рита. Если в ZnFe валентностью (например, Ti
часть ионов Fe3+ заменить ионами с более высокой
2O4
4+
, Sn4+), то для выполнения условия элек-
тронейтральности должно быть восстановлено соответствующее число
3+
ионов Fe
, т. е. Fe3++Fe3+Ti4++Fe2+.
Изменяя количество добавляемого титана (или олова), можно опреде­ленным образом регулировать содержание ионов Fe
2+
. Примесная прово-
димость в рассмотренном случае является проводимостью n-типа, посколь­ку носителями являются локализованные на ионах Fe
2+
электроны,
компенсирующие более высокий заряд четырехвалентных катионов. Элек­троны, представляющие собой избыточный отрицательный заряд, электро­статически связаны с ионами Ti
4+
(Sn4+), которые играют роль положительно
заряженных центров. В результате обнаруживается тенденция к образова­нию локализованных пар Ti
4+
+Fe2+, которые по аналогии с гомеополярными
полупроводниками представляют собой донорные центры. По аналогии с рассмотренным примером в случае замещений в NiO некоторой части ионов Ni
2+
на ионы Li+ образуются пары Li++Ni3+, играющие роль акцеп-
13
торных центров, которые могут захватывать электроны, возбуждаемые из

решетки ионов Ni
2+
. Проводимость в этом случае является дырочной.
Примесная проводимость также будет осуществляться при нару­шении стехиометрии беспримесного феррита. При недостатке кислоро­да будут появляться катионы с избыточным содержанием электронов, и наоборот, при избытке кислорода в катионной подрешетке возникают ионы с недостатком электронов. В первом случае проводимость будет
n-типа, во втором
p-типа.
Известно [15], что электропроводность для одного типа носите­лей равна
μσ
ne
, (1.3)
где: е, n, – соответственно заряд, концентрация и подвижность носи­телей тока.
Математически «прыжковая» проводимость описывается выраже- нием [16]:
22
eR
σνexp( / )
en E kT
 
kT
μ
, (1.4)
где Rдлина прыжка, которая обычно принимается равной 0,3 нм
12 с–1
расстоянию между октаэдрическими позициями; = 5 10 теристическая частота; Е
– энергия активации подвижности.
– харак-
Примесная «прыжковая» проводимость, по-видимому, является ос­новным механизмом электропереноса в большинстве ферритов. Ее ха­рактерная особенность заключается в температурной независимости концентрации носителей тока, которая следует из слабого температур-
ного изменения коэффициента термоЭДС .
Зонная модель. Согласно общей модели зонного механизма элек- тропереноса, проводимость осуществляется дрейфом в
электрическом поле свободных носителей заряда, генерируемых в зону проводимости либо с валентной зоны (собственная проводимость), либо с донорных уровней (примесная проводимость).
В случае зонного механизма температурная зависимость проводимо-
сти определяется температурными зависимостями концентрации носителей заряда n и подвижности . Соответственно, изменение энергии активации процесса электропроводимости может быть связано как с изменением
энер-
гии активации носителей, так и их подвижности с ростом температуры.
Оценка величины E
для чистых окислов показывает, что собствен-
g
ная проводимость в ферритах практически не может наблюдаться. Кон­центрация собственных носителей ничтожно мала по сравнению с кон­центрацией примесных носителей при любой практически допустимой
14
степени чистоты окислов, так что измеренная электропроводность в

большинстве случаев соответствует примесной проводимости и удель­ная проводимость определяется как [17]:
где Nконцентрация донорных центров, например [Fe
)/exp(μσ kTENe
n
, (1.5)
2+
]; Еn – энергия
их активации.
Аппроксимация экспериментальных кривых зависимостью (1.5)
-4
позволила авторам оценить подвижность носителей тока (=10
см2/Вс [18]) и концентрацию донорных уровней. Оказалось, что концентрация донорных уровней совпадает с концентрацией ионов двухвалентного
20
железа (~10
1/см3), определенной по данным химического анализа [18]. Эффективная масса электрона, оцененная из измерений термоЭДС [19], составляет (10-15)m
, что хорошо согласуется с теоретическими
0
оценками этого параметра в случае проводимости по узкой d – зоне [15].
Сравнивая (1.4) и (1.5), можно видеть, что независимо от механизма
электропереноса, температурная зависимость проводимости имеет вид:
)/exp(σσ
kTE
0
. (1.6)
Если проследить за температурной зависимостью электропровод­ности окислов переходных элементов в более широком интервале тем­ператур, то часто (но не всегда) наблюдаются отклонения от экспонен­циального закона (1.6). Отклонения проявляются в виде излома
–1
линейной зависимости lnот Т
и соответствуют, следовательно, изме-
нению энергии активации. Наличие изломов иногда, в особенности в области температур Кюри, можно связать с изменением магнитного со­стояния. В других случаях, эту аномалию следует скорее приписать су­ществованию различных конкурирующих друг с другом механизмов проводимости. Если температурный интервал очень велик, становится
заметной температурная зависимость коэффициента
0; в этом случае
зависимость от Т описывается соотношением [3]:
1
)/exp(σ
kTEAT
. (1.7)
Существенно, что величина проводимости ферритов во всех случаях определяется примесным содержанием и отклонением от стехиометрии материала. В силу этого для решения многих прикладных задач можно использовать измерения температурной зависимости, используя аппроксимацию этой зависимости выражением (1.6).
При обсуждении электрофизических свойств феррошпинелей при­влекают как зонный, так и «прыжковый» механизмы проводимости. Так
основании сравнения результатов исследования кинетических явле-
на ний, выполненных на поли- и монокристаллах Mn-Zn ферритов в [19, 20]
15
сделан вывод о зонном характере проводимости в этих магнитных полу­проводниках. В то же время температурные зависимости статической электропроводности и термоЭДС поликристаллических Mn-Zn [21], Mg-Mn и Li [22] ферритов соответствуют «прыжковой» модели Вервея: электропроводность растет по активационному закону при практически неизменной термоЭДС. Такой характер изменения электрофизических параметров можно объяснить в рамках модели неоднородной проводя­щей
среды [23], которой являются поликристаллические ферриты. Сле­довательно, при изучении электрофизических свойств феррошпинелей необходимо принимать во внимание не только содержание разновалент­ных ионов железа в составе образца, но и микроструктуру феррита [20].
В физике ферритов наиболее известной является модель низкоом­ных зерен и высокоомных прослоек, впервые рассмотренная в работах Вагнера, Купса и др
. В модели Купса [24] предполагается, что поликри­сталлический феррит состоит из больших сравнительно хорошо прово­дящих областей, которые разделены тонкими слоями относительно плохо проводящего вещества, т. е. из низкоомных зерен и высокоомных про­слоек. Возникновение таких слоев может быть связано с поверхностным восстановлением или окислением кристаллитов в результате их непо­средственного
контакта с атмосферой, в которой производился отжиг.
В работах Орешкина [25, 26] предложена барьерная модель ферри­тов, которую в отличие от модели зерен-прослоек можно назвать обоб­щенной барьерной моделью. Согласно этой модели прослойки иной проводимости возникают как на границах зерен, так и других неодно­родностей, например на границах доменов, дислокаций и т
. д. В соот­ветствии с теорией выпрямления полупроводников на указанных грани­цах возникают запорные слои. При определенной полярности внешнего поля барьерные слои с различных сторон доменов и других неоднород­ностей включаются в прямом и в запорном направлении.
В целом, по изложенному материалу можно заключить, что во всех
случаях электропроводность неоднородных
кристаллических материа-
лов в постоянном электрическом поле описывается выражением:
=
Параметры
и Е можно считать не зависящими от температуры, а са-
0
exp (–Е / kT). (1.8)
0
ма величина этих параметров определяется видом используемой модели описания электропереноса. В рамках барьерных теорий (теория эффективной среды и т. д.) энергия активации включает в себя как величину барьеров про­водящей фазы, так и дополнительный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов. Таким
образом, если какое-либо воздействие на по­ликристаллический материал изменяет только состояние межзеренного ве­щества, то в выражении (1.8) основное изменение будет наблюдаться в вели-
16
чине Е. Поэтому изменение энергии активации электропереноса в поликри­сталлических материалах при каких-либо воздействиях может служить ко­личественной характеристикой изменения состояния границ.
1.3. Влияниеионизирующегоизлучениянасвойстваферритов
Взаимодействие излучения с веществом представляет собой слож­ный процесс, в результате которого меняются как свойства излучения, так и свойства вещества. Поэтому, для эффективного применения иони­зирующего излучения в технологических целях требуется достаточно ясное понимание процессов, происходящих при облучении материалов.
Свойства ферритов могут изменяться под воздействием различных видов излучения, в результате которых ты, причем на изменение физических свойств ферритов влияет не толь­ко полное число вызванных облучением дефектов, но и их распределе­ние в кристаллической решетке.
Данные по влиянию облучения на свойства ферритов немногочис­ленны. Результаты воздействия нейтронного и -облучения на электриче­ские свойства ферритов показали,
только при достаточно низкой температуре и зависит от исходного элек­тросопротивления образца и интенсивности облучения. Установлено, что влияние облучения на электропроводность тем сильнее, чем больше удельное сопротивление феррита. Так в работах [27-31] исследовали вли-
образуются те или иные дефек-
что влияние облучения проявляется
яние излучения на электропроводность () и тангенс угла диэлектриче- ских потерь (tg) Ni-Zn–ферритов. При
-облучении радиационная про-
водимость в данном феррите быстро растет, достигая максимума, и затем медленно спадает до равновесного значения [28, 29]. Время достижения равновесного значения достигает десятки минут, а время возрастания – секунды. После прекращения облучения проводимость снижается (за де­сятки минут) до исходного значения. В работе [30] указывается, что об­лучение высокоомного Ni-Zn–феррита
17
нов 10
см–2 и -квантами (106 Гр) при 300 К приводит к увеличению
флюенсом (Ф) быстрых нейтро-
примерно в 5 раз, которая через две недели после облучения восстанав-
60
ливается до исходного значения. В [31] отмечено, что -облучение
Со
Ni-Zn–ферритов не приводит к изменению диэлектрических потерь в диапазоне частот от 100 Гц до 10 МГц. Однако tgво время облучения возрастает. Потери возрастают с понижением температуры и мощности до-
зы облучения и с уменьшением частоты измерения. После облучения ради­ационные изменения tg отжигаются уже при комнатной температуры.
Рентгенографические и нейтронографические шпинелей, облученных нейтронами с Ф = 10
18
см-2, протонами (60 МэВ,
исследования ферро-
17
108 см-2) и -излучением 60Со показали, что параметр решетки практически
не меняется [32–35]. В гексагональных ферритах параметр решетки также не меняется после облучения электронами (2 МэВ, 10
14
см–2) и -излучением 60Со (3106 Гр) [36]. Такая исключительная стой-
10
16
см–2 и 10 МэВ,
кость параметра решетки к облучению связывается с большим числом не­занятых окта- и тетраузлов в феррошпинелях [37].
18
В работе [38] показано, что облучение нейтронами с Ф = 310
см–2
не изменяет магнитную структуру Ni-Zn феррита. Радиационные изме-
19
нения Mn-Zn ферритов, облученных нейтронами до Ф = 4,310
см–2,
исчезают после трехчасового отжига при 973 К.
В литературе [39, 40] приведены результаты воздействия реактор­ного излучения на параметры петли гистерезиса и кривой намагничива­ния Mn-Zn и Ni-Zn-ферритов при температуре облучения 161 К и
флюенсе быстрых нейтронов (Е
0,5 МэВ) до Ф = 3,91018 см-2. Наблю-
n
дались изменения формы петли гистерезиса, уменьшение проницаемо­сти и остаточной индукции, рост коэрцитивной силы и величины маг­нитного поля, при котором проницаемость имеет максимальное значение. Влияние облучения сильнее всего проявляется при более низ­ких температурах (77, 148 К).
Флюенс быстрых нейтронов до 10 гией 10 МэВ [41] не влияет на температуру Кюри Т ния Т
видны только при флюенсах больших 1018 см–2 [35]. Изучение
с
17
см–2 [36] и электронов с энер-
. Заметные измене-
с
влияния излучения на магнитную проницаемость ферритов различных марок показало, что изменения наблюдались при флюенсах нейтронов
17
выше 10
см–2 [37]. Магнитные потери возрастают при нейтронном,
протонном и -облучениях [42].
Из анализа экспериментальных данных по воздействию облучения на магнитные, электрические, сверхвысокочастотные и другие свойства
18
ферритов следует, что до флюенса быстрых нейтронов 10
см–2 фер-
риты мало меняют свои свойства. В этом случае для наблюдения радиа­ционных эффектов необходимы низкая температура и другие специфи­ческие условия. Более существенные изменения свойств ферритов отмечаются при флюенсах быстрых нейтронов выше (10
18
–1019) см–2.
Низкотемпературные радиационные эффекты наблюдаются и при облуче­нии ферритов -квантами и электронами. При повышении температуры наблюдается тенденция к отжигу любых радиационных нарушений, суще-
ствующих в виде неустойчивых конфигураций. Практически все исследо­вания радиационного дефектообразования ограничиваются 500 К. При бо­лее высоких температурах накладываются механизмы теплового
18
дефектообразования, времена жизни дефектов уменьшаются, возрастает круг возможных механизмов образования и трансформации дефектов [43].
1.4. Действиерадиационно‐термическогонагреванапротекание
твердофазныхреакцийвоксидах
Диффузионно-контролируемые твердофазовые реакции составляют основу многих технологий. Практически все отрасли промышленности используют или производят материалы или изделия этого класса хими­ческих реакций. Вместе с тем, взаимодействия в твердой фазе относятся к одним из самых медленных, так как лимитирующая стадия реакций в большинстве случаев связана с диффузионным массопереносом компо­нентов через ционных барьеров, разделяющих фазы гетерогенных систем.
Классические способы ускорения твердофазовых реакций, связанные с повышением температуры, имеют естественный предел, обусловленный термической стабильностью материалов. Поэтому разработка методов дальнейшего повышения эффективности твердофазовых реакций неиз­бежно связана с привлечением нетрадиционных способов подвода энергии к реагирующим активации твердофазовых процессов следует отнести воздействие мощ­ных потоков ионизирующих излучений. Преимущества данного метода заключены в избирательности локального перегрева фазовых границ, бе­зинерционности нагрева, в действии ионизирующего фактора, в повыше­нии диффузионной проницаемости среды за счет образования дефектов.
Из всего многообразия ионизирующих излучений в материаловедении наиболее широко используются потоки ускоренных электронов [44, 45]. Это связано, во-первых, с бурным прогрессом уско­рительной техники, созданием сравнительно небольших, но мощных электронных ускорителей типа ЭЛВ, ИЛУ и т. д. [46–49]. Во-вторых, электронные пучки имеют удобные геометрические характеристики, ши­рокие возможности регулирования режима облучения, не создают наве­денной радиоактивности, другими источниками ионизирующего излучения, обладают высоким КПД преобразования электроэнергии в энергию электронного пучка.
Радиационно-термический (РТ) нагрев относится к наиболее со­временному направлению использования электронных пучков в техно­логических целях. Основной особенностью РТ обработок является од­новременное воздействие на обрабатываемый материал как высоких температур
слой продуктов реакций, а так же с преодолением актива-
системам. К наиболее перспективным из таких способов
радиационном
имеют более низкую стоимость по сравнению с
, так и мощных потоков электронов.
19
К настоящему времени при помощи высокотемпературного элек­тронного облучения осуществлен ряд твердофазовых превращений в неорганических материалах, отличительной чертой которых является повышение скорости реакций, улучшение качества продукции, пониже­ние температуры процессов [50–53]. Наиболее подробно были изучены РТ процессы синтеза минерального сырья и ферритов [54–63]. Радиаци­онная интенсификация процессов была обнаружена при синтезе барие­вых
, Mg-Ni-Sr- и литиевых ферритов [55–61], некоторых модельных ок-
сидных соединений [62], ВТСП [63].
Активацию массопереноса под действием электронных пучков наблюдали также при спекании порошковых ферритовых прессовок [64–66]. В данном случае РТ-эффект характеризовался повышенной ско­ростью уплотнения прессовок, особенно на ранних стадиях спекания. В [67–69] проведено экспериментальное исследование влияния техноло­гических режимов и условий РТ-спекания
на свойства компактирован­ных порошков литиевых ферритов. РТ спекание позволило сократить длительность процесса в десятки раз и получить необходимое сочетание свойств поликристаллических ферритов.
Также установлена радиацион-
ная интенсификация формирования магнитных параметров ферритов как по времени, так и по предельно достигаемым значениям [70].
При интерпретации результатов наблюдается большой разброс мнений о механизмах радиационной активации процессов. В частности, активацию синтеза связывают со стимулируемой излучением переза­рядкой диффундирующих ионов [58], каналированием катионов при упругом рассеивании электронов [56], перегревом фазовых границ
и ра­диационным снижением активационного барьера тепловой энергии де­фектов по Френкелю [66]. Такие расхождения предложенных моделей свидетельствуют о недостаточности экспериментального материала по данному вопросу.
В целом, представленный материал позволяет сделать вывод о су­ществовании ряда физических явлений, к которым относятся – явление многократного ускорения диффузионного массопереноса в кристалли­ческих и керамических
материалах в условиях возбуждения мощными пучками заряженных частиц; гомогенизация гетерогенных структур в радиационных полях. Однозначно установлено явление радиационной интенсификации процесса спекания ферритовых порошковых систем при совместном действии высоких температур и интенсивных потоков ускоренных электронов.
Наиболее распространенной точкой зрения на механизм радиаци­онного ускорения твердофазового синтеза является предположение о радиационно-стимулированном увеличении
диффундирующих частиц.
20
Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]