- •1. Элементарная ячейка
- •2. Основные типы кристаллических решеток
- •3. Кристаллографические плоскости и направления
- •4. Индексы Миллера
- •5. Решетка Бравэ
- •6. Кристаллические системы (сингонии)
- •7. Точечные дефекты. Равновесная концентрация вакансий
- •8. Краевые и винтовые дислокации
- •9. Зависимость плотности дислокаций от степени деформации
- •10. Вектор Бюргерса
- •11. Источники Франка-Рида
- •12. Границы зерен (наклона, кручения, специальные)
- •13. Методы определения разориентировок
- •14. Особенности спектра разориентирок в умз материалах
- •15. Объемные дефекты
- •16. Природа рентгеновских лучей (открытие рентгеновских лучей, возможности рса)
- •17. Формула Вульфа-Брэгга
- •18. Свойства рентгеновского излучения (длина волны и энергия рентгеновского излучения)
- •19. Спектр рентгеновского излучения
- •20. Закон Мозли
- •21. Получение рентгеновского излучения (рентгеновские трубки)
- •22. Метод Лауэ
- •23. Метод вращающегося кристалла
- •24. Метод Дебая-Шерера
- •25. Различия в рентгенограммах нанокристаллического и крупнозернистого образцов
- •26. Анализ уширения рентгеновских пиков
- •27. Различие в размере кристаллитов определяемом методами рса и пэм
- •28. Типичные значения окр, микроискажений кристаллической решетки и плотности дислокаций в никеле подвергнутом ипдк и ркуп
- •29. Взаимодействие электронов с веществом
- •30. Длина волны электронов для ускоряющих напряжений 100кВ, 200кВ
- •31. Устройство электромагнитной линзы, количество линз в современных пэм.
- •32. Функции линз в просвечивающем электронном микроскопе.
- •33. Закон Ричардсона
- •34. Устройство электронной пушки (из 33 взять начало)
- •35. Типы катодов применяемых в электронных микроскопах
- •36. Сферическая аберрация
- •37. Хроматическая аберрация
- •38. Астигматизм
- •39. Критерий Рэлея
- •40. Разрешающая способность электронного микроскопа
- •41. Виды изображений в электронном микроскопе
- •42. Толщинные контура экстинкции. Определение толщины фольги.
- •43. Изгибные контура экстинкции
- •44. Муаровы узоры
- •45. Кикучи-линии
- •46. Контраст на изображении дислокаций
- •47. Определение межплоскостных расстояний по электронограмме
- •48. Какую информацию можно извлечь из анализа дифракционных картин
22. Метод Лауэ
В методе Лауэ (для исследования монокристаллов) пучок рентгеновских лучей, имеющий непрерывный спектр, направляют на неподвижный монокристалл. Лучи прошедшие через кристалл, в результате интерференции отклоняются от центрального пятна, образуя дифракционную картину в виде серии пятен на установленной за образцом пленке. Расположение дифракционных пятен на лауэграммах зависит от симметрии кристалла и его ориентации относительно падающего луча.
Метод Лауэ позволяет определить кристаллографическое направление в кристалле, установить его симметрию и выявить дефекты кристаллической структуры. При этом, однако, утрачивается информация о межплоскостных расстояниях. Поэтому этот метод используют в основном для проверки качества монокристаллов при выборе образца для его более полного структурного исследования.
Схема съемки рентгенограмм по методу Лауэ: 1- направление падения рентгеновских лучей; 2 – коллиматор; 3 – монокристаллический образец; 4 – дифрагированные лучи; 5 – плоская фотоплёнка.
23. Метод вращающегося кристалла
В методе вращающегося кристалла используют монохроматическое рентгеновское излучение и вращающийся образец. Вращение образца необходимо, чтобы выполнялось условие отражения Вульфа-Брэгга, так как при неподвижном кристалле монохроматический луч может не составить требуемого угла. Вращение производится вокруг оси, совпадающей с кристаллографическим направлением, вдоль которого исследуют межплоскостные расстояния.
Метод вращающего монокристалла используют для определения формы и размера элементарной ячейки. В частности, он позволяет, установить параметры а, b, с элементарной ячейки кристалла.
Схема съемки рентгенограммы по методу вращения: 1 – направление падения рентгеновских лучей; 2 – вращающийся образец; 3 – фотоплёнка цилиндрической формы;
4 – дифрагированные лучи.
24. Метод Дебая-Шерера
Метод Дебая-Шерера предназначен для исследования поликристаллических материалов. В этом методе используют монохроматическое излучение, поскольку в поликристаллическом образце всегда присутствуют многочисленные мелкие кристаллиты случайной ориентации, которые удовлетворяют условию Вульфа-Брэгга.
Для съемки обычно используется узкая полоска рентгеновской пленки в цилиндрической кассете, а рентгеновские лучи распространяются по диаметру через отверстия в пленке.
Схема съемки рентгенограммы по методу Дебая-Шерера: 1- направление падения рентгеновских лучей образец, 2 – порошковый образец, 3 – фотопленка,
4 - дифрагированные лучи, 5 – линии на фотопленке.
Рентгенограмма поликристаллов полученная методом Дебая-Шерера представляет собой несколько линий соответствующих различным межплоскостным расстояниям. Рентгенограммы различных веществ имеют индивидуальный характер и широко используются для идентификации фазового состава, определения размеров кристаллитов, внутренних напряжений и кристаллографической текстуры.
25. Различия в рентгенограммах нанокристаллического и крупнозернистого образцов
Основные различия в рентгенограммах наноструктурного и крупнокристаллического образа проявляются, прежде всего:
- в изменении интегральной интенсивности фона,
- в изменении ширины и интенсивности рентгеновских пиков,
- в появлении кристаллографической текстуры.
Фон на рентгенограмме является результатом диффузного рассеяния рентгеновских лучей. Причинами появления фона в чистых металлах могут быть тепловое диффузное рассеяние, а также отсутствие дальнего и (или) ближнего порядка в расположении атомов.
Поскольку в наноструктурных материалов значительный объем принадлежит границам зерен, то смещение атомов в границах зерен из равновесных положений в кристаллической решетке, должно существенно влиять на интенсивность диффузного рассеяния рентгеновских лучей.
Результаты расчетов показали, что интегральная интенсивность фона на рентгенограмме наноструктурных образцов Cu, полученных ИПДК и РКУП, превышает соответствующее значение для крупнокристаллической Cu на величины 6±3 % и 6,1±2,7 %, соответственно.
Повышение интегральной интенсивности диффузного фона указывает на повышенную концентрацию дефектов кристаллического строения и возможно увеличенные амплитуды тепловых колебаний в наноструктурной меди.