- •1. Элементарная ячейка
- •2. Основные типы кристаллических решеток
- •3. Кристаллографические плоскости и направления
- •4. Индексы Миллера
- •5. Решетка Бравэ
- •6. Кристаллические системы (сингонии)
- •7. Точечные дефекты. Равновесная концентрация вакансий
- •8. Краевые и винтовые дислокации
- •9. Зависимость плотности дислокаций от степени деформации
- •10. Вектор Бюргерса
- •11. Источники Франка-Рида
- •12. Границы зерен (наклона, кручения, специальные)
- •13. Методы определения разориентировок
- •14. Особенности спектра разориентирок в умз материалах
- •15. Объемные дефекты
- •16. Природа рентгеновских лучей (открытие рентгеновских лучей, возможности рса)
- •17. Формула Вульфа-Брэгга
- •18. Свойства рентгеновского излучения (длина волны и энергия рентгеновского излучения)
- •19. Спектр рентгеновского излучения
- •20. Закон Мозли
- •21. Получение рентгеновского излучения (рентгеновские трубки)
- •22. Метод Лауэ
- •23. Метод вращающегося кристалла
- •24. Метод Дебая-Шерера
- •25. Различия в рентгенограммах нанокристаллического и крупнозернистого образцов
- •26. Анализ уширения рентгеновских пиков
- •27. Различие в размере кристаллитов определяемом методами рса и пэм
- •28. Типичные значения окр, микроискажений кристаллической решетки и плотности дислокаций в никеле подвергнутом ипдк и ркуп
- •29. Взаимодействие электронов с веществом
- •30. Длина волны электронов для ускоряющих напряжений 100кВ, 200кВ
- •31. Устройство электромагнитной линзы, количество линз в современных пэм.
- •32. Функции линз в просвечивающем электронном микроскопе.
- •33. Закон Ричардсона
- •34. Устройство электронной пушки (из 33 взять начало)
- •35. Типы катодов применяемых в электронных микроскопах
- •36. Сферическая аберрация
- •37. Хроматическая аберрация
- •38. Астигматизм
- •39. Критерий Рэлея
- •40. Разрешающая способность электронного микроскопа
- •41. Виды изображений в электронном микроскопе
- •42. Толщинные контура экстинкции. Определение толщины фольги.
- •43. Изгибные контура экстинкции
- •44. Муаровы узоры
- •45. Кикучи-линии
- •46. Контраст на изображении дислокаций
- •47. Определение межплоскостных расстояний по электронограмме
- •48. Какую информацию можно извлечь из анализа дифракционных картин
3. Кристаллографические плоскости и направления
В кристаллической решетке атомы имеют различную плотность упаковки в разных направлениях, вследствие которого появляется зависимость свойств кристалла от направления. Такое явление, когда свойства вещества зависят от направления, называется анизотропией. Для описания явления анизотропии, обычно используют понятия кристаллографической плоскости и кристаллографического направления.
Плоскости, проведенные через узлы (атомы) кристаллической решетки называются
кристаллографическими плоскостями.
Для обозначения кристаллографических плоскостей и направлений обычно используют индексы Миллера. Они представляют собой целые числа h, k, l, которые обратно пропорциональны длинам отрезков, отсекаемых кристаллографической плоскостью на осях координат. Индексы Миллера можно представить следующим образом:
где a, b, c - длины отрезков отсекаемых плоскостью на координатных осях X, Y, Z. Индексы Миллера принято обозначать в скобках (hkl). Например Миллера для плоскости, пересекающей оси координат в точках х= 1, у= ¥, z= ¥, индексы Миллера будут(100).
Прямые, проведенные через узлы решетки, называются кристаллографическими направлениями.
Для индицирования кристаллографических направлений используют аналогичные обозначения, но при этом применяют квадратные, а не круглые скобки.
4. Индексы Миллера
Плоскости, проведенные через узлы (атомы) кристаллической решетки называются кристаллографическими плоскостями.
Для обозначения кристаллографических плоскостей и направлений обычно используют индексы Миллера. Они представляют собой целые числа h, k, l, которые обратно пропорциональны длинам отрезков, отсекаемых кристаллографической плоскостью на осях координат. Другими словами индексы Миллера можно представить следующим образом:
где a, b, c - длины отрезков отсекаемых плоскостью на координатных осях X, Y, Z.
Для того чтобы наглядно представить индексы Миллера, элементарную ячейку кристалла изображают на фоне пространственной системы координат. За единицу измерения вдоль каждой оси принимается период решетки, т. е. длина ребер элементарной ячейки. Индексы Миллера принято обозначать в скобках (hkl). Например Миллера для плоскости, пересекающей оси координат в точках х= 1, у= ¥, z= ¥, индексы Миллера будут(100).
Прямые, проведенные через узлы решетки, называются кристаллографическими направлениями.
Для индицирования кристаллографических направлений используют аналогичные обозначения, но при этом применяют квадратные, а не круглые скобки. Так, например, пространственная диагональ простой кубической решетки имеет направление [111]. Кристаллографические плоскости, имеющие одинаковое атомное строение, например, (001) и (100) или (110) и (011) являются эквивалентными в силу симметрии кристалла. В совокупности их обозначают как плоскости {100} и {110}, соответственно. В общем случае для обозначения плоскостей (hkl) и эквивалентных им в силу симметрии кристалла используют символ {hkl}. Аналогичное правило применяют в отношении кристаллографических направлений. Например, эквивалентные направления [100], [010], [001] в кубическом кристалле обозначают как направление á100ñ.