- •1. Элементарная ячейка
- •2. Основные типы кристаллических решеток
- •3. Кристаллографические плоскости и направления
- •4. Индексы Миллера
- •5. Решетка Бравэ
- •6. Кристаллические системы (сингонии)
- •7. Точечные дефекты. Равновесная концентрация вакансий
- •8. Краевые и винтовые дислокации
- •9. Зависимость плотности дислокаций от степени деформации
- •10. Вектор Бюргерса
- •11. Источники Франка-Рида
- •12. Границы зерен (наклона, кручения, специальные)
- •13. Методы определения разориентировок
- •14. Особенности спектра разориентирок в умз материалах
- •15. Объемные дефекты
- •16. Природа рентгеновских лучей (открытие рентгеновских лучей, возможности рса)
- •17. Формула Вульфа-Брэгга
- •18. Свойства рентгеновского излучения (длина волны и энергия рентгеновского излучения)
- •19. Спектр рентгеновского излучения
- •20. Закон Мозли
- •21. Получение рентгеновского излучения (рентгеновские трубки)
- •22. Метод Лауэ
- •23. Метод вращающегося кристалла
- •24. Метод Дебая-Шерера
- •25. Различия в рентгенограммах нанокристаллического и крупнозернистого образцов
- •26. Анализ уширения рентгеновских пиков
- •27. Различие в размере кристаллитов определяемом методами рса и пэм
- •28. Типичные значения окр, микроискажений кристаллической решетки и плотности дислокаций в никеле подвергнутом ипдк и ркуп
- •29. Взаимодействие электронов с веществом
- •30. Длина волны электронов для ускоряющих напряжений 100кВ, 200кВ
- •31. Устройство электромагнитной линзы, количество линз в современных пэм.
- •32. Функции линз в просвечивающем электронном микроскопе.
- •33. Закон Ричардсона
- •34. Устройство электронной пушки (из 33 взять начало)
- •35. Типы катодов применяемых в электронных микроскопах
- •36. Сферическая аберрация
- •37. Хроматическая аберрация
- •38. Астигматизм
- •39. Критерий Рэлея
- •40. Разрешающая способность электронного микроскопа
- •41. Виды изображений в электронном микроскопе
- •42. Толщинные контура экстинкции. Определение толщины фольги.
- •43. Изгибные контура экстинкции
- •44. Муаровы узоры
- •45. Кикучи-линии
- •46. Контраст на изображении дислокаций
- •47. Определение межплоскостных расстояний по электронограмме
- •48. Какую информацию можно извлечь из анализа дифракционных картин
42. Толщинные контура экстинкции. Определение толщины фольги.
Согласно теории дифракционного контраста, толщинные контура экстинкции на наклонных границах зерен являются контурами одинаковой глубины зерен в тонкой фольге и появляются на электронномикроскопическом изображении, когда некоторое семейство плоскостей данного зерна находится в брэгговских условиях отражения. В этом случае, толщинные контура экстинкции выглядят в виде чередующихся темно-светлых полос, а их интенсивность определяется выражением:
sin2 (pts)
I » -------------
(ps)2
где: t - толщина кристалла, s - величина отклонения отражающей плоскости от точного брэгговского положения.
Экстинкционная длина имеет разное значение для различных отражений и материалов с разной кристаллической решеткой. Например, экстинкционная длина для меди, имеющей ГЦК решетку, для отражений (111) и (222) составляет 24,2 нм и 53,5 нм, соответственно. В железе, имеющем ОЦК решетку, для отражений (110) и (220) она равна 27,0 нм и 60,6 нм, соответственно. Для материалов с ГПУ решеткой экстинкционная длина имеет гораздо большие значения. Например, в магнии для отражений 110 и 220 она составляет 150,9 нм и 334,8 нм, соответственно.
Вследствие этого в различных материалах при одной и той же толщине фольги может встречаться различное количество толщинных контуров экстинкции.
Общее выражение для зависимости между толщиной t кристалла, количеством толщинных контуров экстинкции N и экстинкционной длиной xg имеет следующий вид:
t = Nx(1 + s2x2)-1/2
В случае, когда отражающие плоскости находятся в точном брэгговском положении, то есть при параметре s = 0 эта формула превращается в выражение:
t = Nx
Зная количество толщинных контуров экстинкции, а также экстинкционную длину для соответствующей отражающей плоскости, последнюю формулу можно использовать для определения толщины фольги или зерна на месте наклонной границы.
Для понимания происхождения параметра s вспомним понятие обратной решетки кристалла. Если в кристаллической решетке любой вектор r соединяющий два атома можно представить в виде:
r = n1a1 + n2a2 + n3a3 ,
где ni – целые числа, ai – единичные вектора трансляции в кристалле, то в обратной решетке ему соответствует вектор g, который определяется
g = hb1 + kb2 + lb3 ,
где bi – единичные вектора, удовлетворяющие соотношению:
1, если i = j,
bi х aj = í
0, если i ¹ j.
Важнейшим свойством обратной решетки является то, что вектор g приведенный из ее начала координат в узел с координатами h, k, l, нормален к плоскости решетки кристалла с индексами Миллера hkl. Кроме этого выполняется соотношение:
ïgï = 1/dhkl
где: dhkl – межплоскостное расстояние для плоскостей hkl.
Если из начала координат обратной решетки (узел О1 ) провести вектор падающей волны к , а из его конца описать сферу отражения ( сферу Эвальда) радиусом 1/l, то брэгговские условия отражения будут удовлетворяться если сфера Эвальда будет проходить точно через узел обратной решетки.
Схема иллюстрирующая построение сферы Эвальда с радиусом 1/l. Вектор ОО1 представляет собой к – волновой вектор первичной волны, вектор к1 является волновым вектором дифрагированной волны, вектор g соединяет центральный рефлекс О1 на электронограмме с рефлексом hkl, вектор s показывает отклонение между рефлексом hkl и сферой Эвальда.
При дифракции электронов с энергией 100 кэВ длина волны равна 0,0037 нм и величина 1/l составляет 270 нм-1, тогда как величина периода обратной решетки ïgï = 1/d составляет примерно 3 нм-1. Поэтому сферу отражения проходящую через начало координат обратной решетки (точка О1) можно приближенно аппроксимировать плоскостью, которая может пересекаться с несколькими узлами обратной решетки (точечными рефлексами на электронограмме).
В случае если сфера Эвальда не пересекает узел обратной решетки, то отклонение между ними характеризуется параметром s.