- •1. Элементарная ячейка
- •2. Основные типы кристаллических решеток
- •3. Кристаллографические плоскости и направления
- •4. Индексы Миллера
- •5. Решетка Бравэ
- •6. Кристаллические системы (сингонии)
- •7. Точечные дефекты. Равновесная концентрация вакансий
- •8. Краевые и винтовые дислокации
- •9. Зависимость плотности дислокаций от степени деформации
- •10. Вектор Бюргерса
- •11. Источники Франка-Рида
- •12. Границы зерен (наклона, кручения, специальные)
- •13. Методы определения разориентировок
- •14. Особенности спектра разориентирок в умз материалах
- •15. Объемные дефекты
- •16. Природа рентгеновских лучей (открытие рентгеновских лучей, возможности рса)
- •17. Формула Вульфа-Брэгга
- •18. Свойства рентгеновского излучения (длина волны и энергия рентгеновского излучения)
- •19. Спектр рентгеновского излучения
- •20. Закон Мозли
- •21. Получение рентгеновского излучения (рентгеновские трубки)
- •22. Метод Лауэ
- •23. Метод вращающегося кристалла
- •24. Метод Дебая-Шерера
- •25. Различия в рентгенограммах нанокристаллического и крупнозернистого образцов
- •26. Анализ уширения рентгеновских пиков
- •27. Различие в размере кристаллитов определяемом методами рса и пэм
- •28. Типичные значения окр, микроискажений кристаллической решетки и плотности дислокаций в никеле подвергнутом ипдк и ркуп
- •29. Взаимодействие электронов с веществом
- •30. Длина волны электронов для ускоряющих напряжений 100кВ, 200кВ
- •31. Устройство электромагнитной линзы, количество линз в современных пэм.
- •32. Функции линз в просвечивающем электронном микроскопе.
- •33. Закон Ричардсона
- •34. Устройство электронной пушки (из 33 взять начало)
- •35. Типы катодов применяемых в электронных микроскопах
- •36. Сферическая аберрация
- •37. Хроматическая аберрация
- •38. Астигматизм
- •39. Критерий Рэлея
- •40. Разрешающая способность электронного микроскопа
- •41. Виды изображений в электронном микроскопе
- •42. Толщинные контура экстинкции. Определение толщины фольги.
- •43. Изгибные контура экстинкции
- •44. Муаровы узоры
- •45. Кикучи-линии
- •46. Контраст на изображении дислокаций
- •47. Определение межплоскостных расстояний по электронограмме
- •48. Какую информацию можно извлечь из анализа дифракционных картин
39. Критерий Рэлея
В соответствии с критерием Рэлея две точки можно разрешить, если максимум интенсивности изображения одной из точек перекрывается с минимумом интенсивности от изображения другой точки. В этом случае можно различить два раздельных изображения со следующим разрешением:
rmin = 0,61l /nsinb
где l - длина волны, n – показатель преломления, b - апертурный угол.
Учитывая, что показатель преломления для электронов в вакууме практически равен единице, а величина b имеет очень малые значения порядка нескольких градусов, то для электронных лучей эта формула может быть представлена в следующем виде:
rmin = 0,61l /b
Профили интенсивности изображения от двух источников Р1 и Р2: (а) разрешение линзы позволяет различить два изображения; (б) два изображения перекрываются друг с другом таким образом, что они неразличимы; (в) максимум одного изображения перекрывается с минимумом другого - критерий Рэлея
40. Разрешающая способность электронного микроскопа
Разрешение изображения полученного в электронном микроскопе определяется ограничением, которое накладывается критерием Рэлея и сферической аберрацией. То есть разрешение r можно представить как среднеквадратичное значение двух составляющих:
r = (r12 +r22)1/2
где: r1 – разрешение обусловленное критерием Рэлея; r2 – разрешение ограниченное сферической аберрацией. Подставляя выражения r1 = 0,61l /b и r2 = С1b3 получим зависимость разрешения r от апертурного угла b :
r(b) =[(0,61l /b)2 +(С1b3)2] 1/2
Значение угла b при, котором значение параметра r имеет минимальное значение находится из условия равенства производной нулю, то есть dr(b)/db=0. Из этого условия вытекает, что оптимальное значение b, при котором величина r минимальна составляет:
b = 0,77(l/С1)1/4
Если эту величину b подставить в уравнении для r1 = 0,61l /b то мы получим следующее выражение для минимального значения r(b), то есть для разрешающей способности электронного микроскопа:
rmin = 0,91(С1l3)1/4
Типичные значения для rmin в современных просвечивающих микроскопах лежат в пределах 0,25 – 0,3 нм. Вместе с тем в микроскопах высокого разрешения rmin составляет примерно 0,15 нм.
41. Виды изображений в электронном микроскопе
В последнее время в конструкции современных микроскопах используются три конденсорные линзы. В частности, третью конденсорную линзу применяют для фокусировки электронного пучка на малом участке фольги диаметром до 10 нм, с тем, чтобы на нем можно было проводить энергодисперсионный анализ.
После прохождения конденсорных линз и образца в виде тонкой фольги электронные лучи попадают в объективную линзу, которая является самой важной с точки зрения формирования изображения и реализации высокой разрешающей способности.
За объективной линзой следуют две промежуточные и проекционная линзы, которые обеспечивают увеличение изображения структуры.
Меняя режим работы системы линз можно получать светлопольное изображение, темнопольное изображение и картину микродифракции с одного и того же участка структуры.
При работе в режиме светлопольного изображения вставляют апертурную диафрагму объективной линзы, которая ограничивает апертурный угол электронного пучка для реализации наибольшей разрешающей способности микроскопа.
Переключение в режим микродифракции приводит к изменению тока промежуточных линз. При этом использование селекторной диафрагмы позволяет получать картину микродифракции с избранного участка фольги. Путем перемещения выбранного точечного рефлекса на место центрального рефлекса на электронограмме и выделения его апертурной диафрагмой объективной линзы можно получить темнопольное изображение структуры.