книги из ГПНТБ / Современная фотоэлектрохимия. Фотоэмиссионные явления
.pdfСоотношение (3.14) часто используется для того, чтобы по экспериментальной зависимости фототока от концентрации ак цепторов определить длину сольватации х0. С помощью формулы (3.13) в дальнейшем будет найдена константа скорости захвата электрона поверхностью металла ks (см. 5.4).
3. Электрон вообще не захватывается поверхностью электро да (ks ж 0); тогда
/ = vl.
Последнее соотношение достаточно очевидно, поскольку, если электроны не захватываются поверхностью, то все они будут за хвачены акцепторами, как и в пределе сд -»-оо. Таким образом, фо тоток может достигать предельного значения (vl) в двух случаях: при высокой концентрации акцепторов электронов и при очень низкой скорости захвата сольватированного электрона поверхно стью электрода.
Учет влияния поля диффузного двойного слоя. В растворах с низкой концентрацией электролита поле диффузного слоя может оказывать существенное влияние на движение электронов в приэлект'родной области раствора. Рассматриваемый эффект тесно связан с динамическим "ф'-эффектом для ионов, изученным доста точно подробно в ряде теоретических работ [91—93].
Качественно влияние поля диффузного слоя на фотодиффузи онные токи впервые рассмотрено Баркером с сотр. [25]. Попытка количественного описания предпринята в работе [70], где задача о движении сольватированпых электронов в поле диффузного двой ного слоя решалась численными методами. (Одновременно учиты валось влияние поля на распределение концентрации заряженных акцепторов — ионов водорода.)
Аналитическое решение сходной задачи для случая, когда ак цепторы не заряжены, и потому диффузный слой оказывает влия ние лишь на миграцию электронов, было получено в работе [94].
В стационарных условиях при наличии электрического поля
уравнение для се |
принимает вид |
|
|
|
|||
d |
de.e |
|
ац>{х) |
-кАсАсе |
+ |
Ф(х) = 0. |
|
dx |
dx |
" e |
dx |
||||
|
|
|
|||||
Здесь q>(x) — потенциал |
в |
диффузном |
слое, |
выраженный в еди |
ницах кТ/е. Полагая, что этот потенциал затухает экспоненциаль
но, |
так |
что |
<р(х) = |
т|/ ехр(—х/L), |
где |
L — длина |
затухания |
||||||
ф(х) (г|/ также выражен в единицах |
кТ/е, |
причем, если l |
^ ' |
l ^ l |
|||||||||
то |
L — х - 1 ) , |
и |
|
производя |
замену |
переменных |
се |
= |
|||||
= |
и(х) |
exp |
[V2 i|)' exp (— x/L)], |
после преобразований |
получаем |
||||||||
|
и" — (j- |
|
-ф' exp ( - x/L) + - |
i - |
(я))')2 exp ( - |
2x/L) + |
m2 ) и |
= |
|
||||
|
|
|
|
= |
- |
L 2 |
exp (- |
- i - |
я|/е-^), |
|
|
(3.1 |
|
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
где |
m 2 |
= ~ |
r |
- L |
\ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
e |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
60
Уравнение (3.16) без правой части совпадает с уравнением (3.7), если Q2 (х) равно многочлену перед функцией и{х).
Учитывая связь между се(х) и и{х) и то обстоятельство, что электроны достаточно быстро захватываются поверхностью, так что с'е(О) = 0, на основании (3.9) найдем
ехр ('ДО') |
^ Ui (x/L) |
Ф (х) ехр —-|-я]/ е х Р (— X I L ) 'dx, |
(3.17) |
|
«i(0) |
||||
|
|
|
где Ui{x/L), как и ранее, линейно-независимое решение однородной части уравнения (3.16), стремящееся при х —> со к нулю. Это ре шение выражается через вырожденную гипергеометрическую функцию xFt [95] по формуле
щ {x/L) = ехр (x/2L) |
ехр (— х/ЩЧ*т X |
|
X ехр •4-я|)'ехр(— x/L)\1F1[l |
+ n t , 2m + 1, "ф'ехр |
(—x/L)}. |
Подставляя выражение для ut в формулу (3.17), получаем оконча тельное выражение для фототока
|
|
/ = |
|
v\l- |
iFi(m, |
|
|
- |
j |
— |
_ |
J ф ( я |
) е х р . ( - |
Qx) |
X |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
2 т - f |
|
|
о |
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
X i ^ i [ m , |
|
2т |
+ 1, — г|/ехр(— x/L)]dx}. |
|
|
(3.18) |
|||||||||
|
Когда л|/ = |
0, |
то 1F1 |
|
(т, |
2т |
|
-f- 1, 0) |
= 1, и |
выражение (3.18) |
|||||||||
совпадает с |
(3.11) |
в пределе кв |
|
со. Влияние |
поля |
сильно |
сни |
||||||||||||
жается, |
если L ^> |
х0, |
т. е. толщина диффузного |
слоя превышает |
|||||||||||||||
толщину |
области, |
где |
Ф(х) отлична |
от нуля. В этом случае в об |
|||||||||||||||
ласти |
интегрирования, |
которая |
определяется |
областью, |
где |
||||||||||||||
Ф(х) |
не |
равно |
нулю, |
фупкция |
^ |
[т, 2т + |
1, — i|/exp(— |
x/L)} |
|||||||||||
становится фактически постоянной, |
и тогда можно полагать, что |
||||||||||||||||||
она равна ^ ( т , |
2т |
+ |
1, — |
|
ty')- |
Используя |
|
асимптотическое |
|||||||||||
выражение |
для- |
[т, |
2т |
+ |
1, — г|з' ехр |
(—x/L)] |
в |
пределе |
|||||||||||
|гр' |
| ^ > 1 [95], можно показать, что фототок / либо равен нулю |
(я];' ^> |
|||||||||||||||||
> |
0), либо достигает насыщения (я]/<^ 0). В отсутствие |
акцепторов |
|||||||||||||||||
. ( т = 0) фототок / |
равен |
нулю, |
т. е., несмотря на сильное |
электро |
|||||||||||||||
статическое |
отталкивание (а|/ < |
|
0), |
все |
электроны возвращаются |
||||||||||||||
обратно на поверхность электрода *. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Для вычисления фототока по формуле (3.18) необходимо за дать конкретный вид функции источника сольватированных элект ронов.
4 Такой |
вывод следует из |
решения |
стационарной |
задачи при условии |
|
се (оо) |
= 0, которое справедливо |
только, если с А |
ф 0. Когда акцепторов |
||
в растворе нет, условие се |
(оо) = |
0 |
в стационарном режиме не может быть |
||
реализовано. |
|
|
|
|
61
В работе [94] был вычислен фототок как функция |
концентрации |
|
электролита для нескольких простейших |
моделей. |
Результаты |
этого расчета подробно обсуждаются ниже |
(см. 5.3). |
|
Фотодиффузпонньге токи в условиях разряда на электроде ак цепторов. Если в рассматриваемой области потенциалов акцептор (например, ион водорода) восстанавливается на электроде, его приэлектродпая концентрация падает, достигая в условиях пре дельного тока нулевого значения. Уравнение для концентрации сольватированных электронов в рассматриваемом случае имеет следующий вид:
°° - кАСА №с° +ф № = °- |
<3 -1 9 ) |
При расчете фототока в работе [96] предполагалось, что в диф фузионном слое с толщиной 6^ концентрация акцепторов меняется линейно с расстоянием от электрода (модель диффузионного слоя Нернста):
|
|
|
-о— X |
При |
X <^ б,у |
|
|
|
|
oN |
|
|
|
|
|
|
СА |
При |
X > |
бдг |
(el — концентрация |
акцепторов в растворе |
вдали от электрода). |
||||
В действительности ход |
СА(Х) |
вблизи внешней границы диффу |
||||
зионного |
слоя (х ~ |
6JV) отличается от этой модели [97]. Но, по |
||||
скольку |
электроны образуются на расстояниях порядка xQ<^L 8^, |
|||||
линейный закон для |
СА{Х) |
можно считать |
справедливым во всей |
рассматриваемой области х. Затухающее на бесконечности част ное решение соответствующего однородного уравнения имеет вид [80] _
Здесь | = (сдАдДЭеблг) ,,2х, la (z) — модифицированная функция Бесселя порядка а [95]. В области х, где Ф (х) существенно отли
чается от нуля, |
и для сх (х) справедливо разложение |
|
|
. 3 2 / 3 Г (2/3) |
3 4 / 3 Г (4/3). |
где T(z) — гамма-функция [95].
Тогда |
фототок /', соответствующий граничному условию |
fie(0) = 0, |
будет равен |
Как видно из формулы (3.20), характер зависимости фототока от концентрации акцепторов в условиях их реакции на электроде
62
в режиме предельного тока отличается от того, который имеет ме сто для электрохимически неактивных акцепторов [формула (3.14)]. Фототоки оказываются пропорциональными, соответственно,
(с!)*.' и (ci)V..
3.3. Случай периодической зависимости интенсивности освещения от вре.мени
Рассмотрим теперь закономерности фотодиффузионных процес сов в условиях освещения электрода светом переменной интенсив ности. В силу конечной скорости диффузии, а также химических превращений в объеме и на электроде, временные характеристики I s ж I должны в общем случае быть разными. С помощью иссле дования этого отличия можно, как будет показано ниже, получить дополнительную информацию о кинетике протекания химических и электрохимических реакций, в том числе с участием нестабиль ных продуктов, образующихся вблизи электрода. Время жизни
сольватированного |
электрона в растворе |
определяется |
меньшей |
|||||
из двух величин: времени диффузионного |
возвращения |
на элект |
||||||
род |
t-y — |
xl/De и |
эффективного времени |
захвата акцепторами в |
||||
растворе t2 |
= |
ilkAcA. |
|
|
|
|
||
Пусть интенсивность освещения периодически меняется во |
||||||||
времени с частотой Q; соответствующая |
переменная |
составляю |
||||||
щая фотоэмиссионного тока, имеет тогда вид / = / 0 |
exp (iQt), |
где |
||||||
10 — амплитуда |
колебаний фототока. Если частота Q меньше об |
|||||||
ратного времени |
замедления и сольватации электронов |
(т. е., |
по |
|||||
грубым оценкам, |
|
меньше 101 1 —101 2 сев - 1 ), то функция источника |
||||||
имеет |
вид |
Ф (х) |
= Ф 0 ( ж ) exp(iQi), причем, как следует |
из (3.4), |
||||
|
|
|
|
со |
|
|
|
|
о
Для достаточно больших времен, прошедших от начала опыта, т. е. когда закончились переходные процессы, решение уравнений
(3.3) и |
(3.3а) следует искать |
в виде |
ffe = се (х) |
exp (iQt) |
и с' = |
|||||
= с'(х) |
exp |
(iQt). |
|
|
|
|
|
|
|
|
В простейшем случае, когда продукты [еА] не реагируют на |
||||||||||
электроде, из (3.3) получаем [87] для |
результирующего фототока |
|||||||||
выражение, |
аналогичное |
(3.11): |
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
ехр( — Qnx) |
dx. |
(3.11а) |
|
|
|
О |
|
|
|
|
|
|
|
|
Здесь |
Qa — |
V (iQ |
+ kAcA)/De |
— Qx |
+ |
i<?2, причем |
|
|
|
|
|
|
Й |
(V(^A)2 |
+ |
Qa" - |
& A C A ) - 1 / 2 , |
<?» = |
Q |
|
|
|
|
V2Do |
|
|
|
|
|
|
|
|
63
Величина /, с учетом комплексности QQ, может быть записана в виде / — /„ exp It (Ш + 0)], где /„ — амплитуда результирую щего фототока, а 0 — сдвиг фаз между / и / , возникающий за счет диффузионных процессов. При больших Qlt как следует из (3.11а), 0 = 0. Это соответствует тому, что все эмиттироваиные электроны поглощаются акцепторами, и обратный диффузионный ток отсут ствует.
При малых Q1 (Qi^o < ^ 1), когда фазовый сдвиг наиболее суще
ствен, из (3.11а) получим |
|
|
|
|
|
t g 0 |
= |
/ ' Q * |
|
|
(3.21) |
Обратим внимание |
на то, |
что сдвиг фаз |
0 |
не |
зависит от х0, |
а определяется лишь соотношениями между |
De, |
Q |
и скоростями |
процессов, протекающих с участием сольватированных электро нов. По характеру частотной зависимости величины tg© можно судить о скорости захвата сольватированных электронов поверх ностью металла, а также о скорости захвата электронов акцепто рами. В пределе ks оо получаем tg 0 = QJQi^ ч т о аналогично соответствующему выражению для сдвига фаз между током и по тенциалом при пропускании переменного тока через систему с объемной химической реакцией [98, 99].
Если продукты [еА] принимают участие в электродной реакции, картина оказывается более сложной. Пусть, например, акцепто рами являются ионы водорода. Продуктом [еА], образующимся в объеме, в этом случае является атомарный водород, который, ад-
сорбируясь на электроде5 |
(Н" —> Н а д 0 ) , может вступать в следую |
||||||||||
щие электродные |
реакции: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Н а д с |
+ |
Надс^-_>Н2 , |
|
|
|
(3.1) |
||
|
|
Наде + Н 3 0 + |
+ е- |
Н а |
+ |
Н 2 0 , |
|
|
(З.И) |
||
|
|
|
Н а д с |
+ |
H e O |
Н 3 |
0 + |
+ е-. |
|
(3. I I I ) |
|
В принципе возможна также рекомбинация в объеме |
раствора, |
||||||||||
Н -f- Н |
Н 2 , однако в силу низкой объемной концентрации |
ато |
|||||||||
мов водорода она протекает очень медленно, и ее можно |
не учиты |
||||||||||
вать. |
Как |
видно |
из приведенных |
схем, |
реакции |
(З.П) и |
( 3 . I I I ) |
||||
сопровождаются |
дополнительным |
электронным |
переходом. |
|
|||||||
Заметим, что диффузиониый поток продуктов [еА] на поверх |
|||||||||||
ность |
электрода |
eD'(dc'/dx)x=0 |
совпадает с |
электрическим |
током |
/ ' в уравнении (3.1) лишь в отсутствие поверхностной рекомбина ции (3.1). В противном случае имеем D'(dc'/dx) = k2Q + МЭ21 где к2 — константа скорости электрохимической десорбции [урав нение (З.П)], кг — константа скорости рекомбинации, 8 — сте-
5 Реакции типа (З.П) и (З.Ш) могут протекать и минуя стадию адсорбции (подробнее см. 7.1), что, однако, не меняет существа проводимых расчетов.
64
пень заполнения поверхности адсорбированными продуктами [еА]. Вклад в фототок дает при этом лишь первое слагаемое, так
что |
/ ' = ekzQ. |
|
|
|
модулирован |
|
Для определения концентрации [еА] в условиях |
||||
ного освещения получаем из (3.3а) уравнение |
|
||||
|
d 2 e ' |
' |
|
1 |
(3.22) |
|
- ^ Г |
— QaC |
(х) + |
- д г ^ А С е = О, |
|
где |
Q'a — ViQ/D' = |
У QJ2D' |
(1 + |
i). |
|
В условиях, когда рекомбинацией [еА] на поверхности можно пренебречь, после некоторых преобразований [88] получаем для комплексной амплитуды
|
|
|
|
КАСА |
|
|
|
|
|
|
(l |
+ |
QnD'/keA)(Ql-Q3De X |
|
|
|
е' |
ехр(- |
|
1 + |
QnDJk |
Ф(х)йх. |
(3.23) |
X |
|
|
|
||||
|
О |
g n * > - l + Q ^ X < t t P ( ~ g o g ) |
|
||||
|
|
|
|
|
|
||
В |
стационарных |
условиях, |
когда Q = |
0, Q'n= 0, |
из (3.23) |
||
получаем Г = I |
— 1е. |
|
|
когда на |
|||
При |
высокой |
концентрации акцепторов |
(QiXo^^l), |
электроде протекает какая-либо одна реакция типа (З.П) или (ЗЛИ), из (3.1) и (3.23) следует
1 — QflSQ |
(3.24) |
|
1 = 1 1 ± 1 + |
D'Q'n/keA |
Знак «плюс» относится к случаю восстановления, а знак «минус» —
к случаю окисления |
продуктов [еА] на' электроде. В |
частности, |
||||
при быстром окислении [еА], так что D'Qn/kSA |
< ^ 1, |
из (3.24) |
||||
получаем /' = |
Qax0I |
и tg& ~ 1. В обратном |
пределе (медленное |
|||
окисление) из (3.24) следует t g 0 == keA/Y2D'Q,. |
При быстром и мед |
|||||
ленном восстановлении [еА] для tg в имеют |
место, |
соответственно, |
||||
соотношения |
t g 9 = |
— хй / й / 8 £ > ' и tg 9 = |
— |
|
keAfY2D'Q. |
Рис. 3.1. Эквивалентная схема электрода, на котором протекает фотодиффу зионный процесс [25]
3 Современная фотоэлектрохимия |
65 |
Величина и знак фазового сдвига оказываются зависящими от скорости и характера электродных реакций продуктов [еА]. Ана логичным образом могут быть проанализированы различные част ные случаи, следующие из (3.23) в пределе Q^o < ^ 1 [88].
Переменные фототоки, возникающие в условиях постоянного освещения при поляризации электрода переменным потенциалом, рассмотрены в работе [100]. Фотоимпеданс электрохимических си
стем 2ф, определяемый соотношением ср0 = Z$I0 |
(где ф0 и 10 — |
|
амплитуды, соответственно, переменных потенциала |
и фототока), |
|
может иметь как емкостную, так и индуктивную |
компоненты. |
|
Наконец, для прямоугольного импульса света расчет переход |
||
ного фототока выполнен Голубом [101]. |
|
|
Как известно, при количественном рассмотрении |
периодиче |
ских процессов в электрохимии используется, помимо аналитиче ского, и другой подход, основанный на расчете эквивалентных электрических схем. Фотодиффузионные токи этим методом рас сматриваются в работе [25]. Для иллюстрации метода на рис. 3.1 приведена простейшая схема, отвечающая модели образования
гидратироваиных |
электронов |
в одной плоскости |
на |
расстоянии |
||
х0 от электрода, |
причем захват электронов |
акцепторами происхо |
||||
дит только в области х |
х0. |
Образование |
облака |
сольватирован- |
||
ных электронов можно представить в виде генератора тока I , |
||||||
расположенного в точке х0. |
Диффузия электронов |
эквивалентна |
||||
движению заряда вдоль омической полубесконечной |
линии с |
|||||
удельным сопротивлением Re |
(на единицу длины). Каждое после |
довательное сопротивление шунтировано емкостью (па схеме не показана). Гомогенный захват сольватированиых электронов ак цепторами моделируется равномерно распределенными вдоль
линии для |
х ^> х0 |
шунтирующими |
сопротивлениями |
Rx- |
Изме |
||
ряемый фототок будет равен разности между током I и током в |
|||||||
плоскости |
х = |
0. |
Сопротивление |
Rs |
в плоскости |
х = |
0 от |
лично от нуля, |
если захват электрона |
поверхностью |
происходит |
с конечной скоростью. Пользуясь подобными схемами, можно по лучить ряд формул для измеряемого фототока, аналогичных приведенным выше.
Г л а в а 4
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ПРОЦЕССА ФОТОЭМИССИИ
4.1. Зависимость фототока от потенциала электрода
После того как к 1963 г. были сформулированы три гипотезы о происхождении фототока на границе металл — не поглощающий света раствор и развита (1967 г.) количественная теория фотоэмис сии в растворы электролитов, дальнейшие экспериментальные ис следования были направлены на то, чтобы разграничить эф фекты различной природы.
Можно указать основные критерии для того, чтобы отличить фотоэмиссию электронов от других фотогальванических эф фектов:
а) зависимость фототока от присутствия и концентрации ак цепторов сольватированных электронов;
б) характерная зависимость фототока от потенциала электрода. Дополнительным критерием является:
в) чувствительность к поляризации света.
Совокупность проведенных экспериментальных исследований (25, 41, 42, 45, 56] показала, что в широкой области потенциалов и частот возбуждающего света определяющим элементом электрод ного фотоэффекта в растворах различного состава является фото эмиссия электронов. Другие обсуждавшиеся выше причины фотоактивности электрода носят ограниченный характер: фотораспад комплексов с переносом заряда на ртутном электроде наблюдает ся, видимо, лишь при положительных зарядах поверхности; ра зогрев электрода становится существенным для длинноволнового света (в обоих случаях фотоэмиссия практически не дает вклада в измеряемый фототок). Фотопроцессы неэмиссионного характера, сопутствующие фотоэмиссии, подробнее обсуждаются в 8.3.
Ниже излагаются, в основном, результаты измерений фотоэмис сионного тока в простейших системах (ртутный электрод в доста точно концентрированных растворах фторидов, хлоридов или суль фатов щелочных металлов с добавкой закиси азота или ионов во дорода в качестве акцепторов), которые позволили количественно проверить изложенную выше теорию фотоэлектронной эмиссии и измерить параметры, характеризующие процесс эмиссии в вод ные и неводные растворы.
Изложенная в главе 2 теория фотоэмиссии предсказывает, что в широкой области параметров зависимость фотоэмиссионного
67 |
3* |
тока / от потенциала электрода ср и энергии кванта На имеет сле дующий вид [см. формулу (2.43)]:
I = А (йю — Ггсо0 (0) — вф)'/«
(закон пяти вторых). Коэффициент пропорциональности А не зависит от потенциала, но может зависеть от частоты света (см. 2.6). Потенциал ср отсчитывается от произвольного электрода срав нения; работа выхода 7ш0 (0) относится к значению ср = 0 и, со ответственно, зависит от выбора электрода сравнения.
В первых экспериментальных исследованиях фотоэмиссии для количественного описания экспериментальных данных привле кался квадратичный закон Фаулера, модифицированный в при менении к электрохимическим системам:
I ~ (Тип — Тгщ (0) — еср)а.
Гейровский [102], рассматривая процесс фоторазложения по верхностного комплекса с переносом заряда (при фиксированной
(а и Ъ — постоянные).
Наконец, согласно представлениям Берга, зависимость фото тока от потенциала и энергии кванта имеет вид [18]:
/ = const-exp |
— (1 — a) Fcp |
|
RT |
где а — коэффициент переноса; а — константа.
Попытки применить к электрохимическим системам квадратич
ный закон |
Фаулера |
[25, 56, 57, 70, 103] оказались неудачными: |
в системе |
координат |
;°>5 — ср (где / — измеряемый фототок) по |
лучались прямые с изломом, происхождение которого не удава лось объяснить (рис. 4.1).
Непригодность квадратичного закона для описания |
фото |
|
эмиссии в растворы была продемонстрирована еще в |
[28], где |
|
экспериментальные данные работы [25] были перестроены |
в |
систе |
ме координат / ° ' 4 — ср, соответствующей закону пяти |
вторых. |
В результате были получены прямые (рис. 4.2, ср. рис. 4.1). Значение порогового потенциала ср0 (при токе / 0) было ис пользовано для оценки работы выхода электрона из ртути в воду.
Первая попытка экспериментальной проверки закона пяти вторых была предпринята Коршуновым, Золотовицким и Беидерским [104]. Однако, используя импульсную методику, они не учли изменения емкости электрода с потенциалом х .
1 Согласно [105], в условиях эксперимента [104] (перхлоратные растворы) емкость ртутного электрода в исследованной области потенциалов (от—0,4 до —1,3 в против насыщенного каломельного электрода) изменя ется в 1,5—2 раза.
68
О |
-0,8 |
-1,6 |
а |
0,8 |
0 |
-0,8 |
4,8 |
?,8 |
Рис. 4.1. |
Обработка |
кривых фототока по закону Фаулера [25] |
|
|
||||
Д л и на волны света 254 |
мл . Растворы: |
1 — 0,2 М |
К О , |
насыщенный |
N 2 0; |
2—0,2 |
М |
|
NaP, насыщенный N„0; |
3 — 0,2 М К С ] |
+ 3,3-10- 3 |
М N2 0. |
|
|
|
Потенциал — против нормального каломельного электрода. Фототок |
на рисунках, |
|||
за исключением |
специально оговоренных |
случаев, |
откладывается в |
произвольных |
единицах |
|
|
|
|
Рис. 4.2. Обработка кривых фототока |
(рис. 4.1) |
по закону пяти вторых [28] |
||
Обозначения см. |
рис. 4.1 |
|
|
|
Для того чтобы сделать обоснованный выбор между законом |
||||
пяти вторых |
и законом Фаулера, было проведено [106, 107] изме |
рение фототока в зависимости от потенциала при стационарном освещении (т. е. в условиях, когда может быть достигнута необ ходимая для этой цели точность, в частности, не сказывается влия ние емкости двойного слоя) при постоянной энергии кванта света (3,4 эе). Экспериментальные зависимости фототока от потенциала были представлены в координатах /°>4 — ср и /°>5 — ср. С помощью ЭВМ через полученные точки по методу наименьших квадратов были проведены прямые. Для каждой прямой определялась точ ка пересечения с осью абсцисс — пороговый потенциал ср0, кото рый служил для вычисления работы выхода электрона в воду,— а также дисперсия (среднее квадратичное отклонение опытных точек от проведенной прямой). Такой обработке подверглись ре зультаты свыше 20 опытов, в каждом из которых было снято от 1 до 8 однотипных кривых.
Оказалось, что при обработке в координатах /°>4 — ср диспер сия значительно меньше, чем при обработке в координатах 7°>6 — ср. Это позволило сделать надежный выбор между сопостав ляемыми законами в пользу закона пяти вторых.
Впоследствии этот вывод был подтвержден результатами дру гих работ. Для иллюстрации на рис. 4.3 приведены данные, полученные при измерении фототока на ртутном капающей! элек троде при модулированном освещении [45], представленные в ко ординатах' /°>4 — ср и /°>5 — ср, а также lg / — ср. Как видно из ри сунка, лишь в первом случае получается хорошая прямая линия.
69