- •Глава I. Нанокристаллические пленки а2в6: синтез, структура, свойства
- •Глава II. Приборы и методы эксперимента
- •Глава III. Структурные и оптические свойства нанокристаллических
- •Глава IV. Механизм роста пленок. Возможности их использования.
- •Глава I
- •1.1. Свойства и особенности полупроводников а2в6
- •1.2. Структура и свойства сульфида и селенида цинка
- •1.3. Влияние структуры на оптические свойства
- •1.4. Свойства пленок а2в6, полученных при отрицательных
- •1.6. Основные стадии формирования пленок вакуумным методом
- •Глава II
- •2.1. Сверхвысоковакуумная установка
- •2.2. Получение нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка
- •2.3. Методы исследования пленок
- •2.3.1. Определение интегральной скорости роста пленки
- •2.3.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфэс)
- •2.3.3. Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс) пленок
- •2.3.4. Рентгеноструктурные исследования пленок
- •2.3.5. Электронно-микроскопические исследования
- •2.3.6. Асм - исследования тонких полупроводниковых пленок
- •Глава III
- •3.1. Влияние температуры конденсации на скорость роста пленки
- •3.2. Рентгеноэлектронная спектроскопия пленок селенида и сульфида
- •3.3. Исследование структурных характеристик пленок
- •3.3.1. Рентгеноструктурный анализ
- •3.3.2. Просвечивающая электронная микроскопия
- •3.4. Атомно-силовая микроскопия
- •3.5. Оптические свойства
- •Глава IV
- •4.1. Расчет упругих механических напряжений в структурах
- •4.2. Механизмы роста пленок селенида и сульфида цинка
- •4.3. Влияние температуры отжига на структуру пленок сульфида цинка,
- •4.5. Электролюминесцентные источники на базе нанокомпозитных
2.2. Получение нанокристаллических пленок сульфида и селенида цинка
Необходимым условием хорошей адгезии и воспроизводимости их
электрических и оптических свойств, является идеально гладкая поверхность подложки, очищенная от органических и неорганических загрязнений.
Существует много различных методов получения поверхностей с низкой шероховатостью, в частности, используются следующие: механическое шлифование, полирование, химически активированное полирование. Но они не обеспечивают нужного результата при нанесении нанопленок. Одним из успешных методов уменьшения шероховатостей является метод ионно- плазменного травления (ИПТ) [97], т.к. позволяет избежать различных микроцарапин и серьезных нарушений в поверхностном слое.
Для проведения процессов ионно-плазменного полирования были взяты подложки кварца.
52
Плавленый кварц - минерал, одна из кристаллических модификаций
кремнезема (SiO2). Подложки из кварца изготавливаются по специальным
заказам, поэтому у него нет определенного ОСТ и ТУ, а также срока годности,
и параметр шероховатости Rz для него определяется конкретным заказом.
Ионно-плазменное полирование кварца осуществлялось на
модернизированной установке ионного травления УРМ 3.279.079. [98]. Подложки кварца размером 10×48×1 мм промывались в дистиллированной воде, затем обрабатывались в ультразвуковой ванне с 95% этиловым спиртом в течение 5 минут. После предварительной очистки проводили ионно- плазменную полировку в среде кислорода при давлении 1 Па в течение 300 с и в диапазоне выходной мощности от 100 Вт до 400 Вт. Для выяснения влияния
режимов ионно-плазменной обработки половину подложки закрывали
алюминиевой фольгой, а вторую оставляли открытой.
С помощью атомно-силового микроскопа SOLVER Р47-PRO компании «НТ-МДТ» определялось изменение средней арифметической шероховатости
подложек кварца до Rao и после Ra ионно-плазменного травления в
зависимости от рабочей мощности высокочастотного (ВЧ) генератора (рис.
2.8).
Из рис. 2.8 видно, что для кварца 300 Вт - оптимальная мощность ВЧ разряда, при которой достигается максимальное уменьшение средней арифметической шероховатости в 2,3 раза, т.к. дальнейшее увеличение мощности ВЧ разряда приводит к увеличению шероховатости [99].
Кварцевые подложки подвергались ионно-плазменной полировке в среде
кислорода при давлении 1 Па в течение 300 с и мощности разряда 300 Вт.
Кремниевые подложки размером 10×48×0,5 мм очищали в 95% спирте в ультразвуковой ванне в течение 2 минут, затем сушили на центрифуге с частотой 300 об/мин в течение 10 с.
53
Влияние мощности ВЧ разряда при ионно-плазменной обработке в среде
Rao/Ra
кислорода на шероховатость поверхности кварца
2,5
2
1,5
1
0,5
0
050 100 150 200 250 300 350 400 450
Мощность разряда, Вт
Рис. 2.8.
54
Подложка NaCl готовилась непосредственно перед помещением в
вакуумную камеру посредством раскалывания кристалла соли. После предварительной очистки подложки крепились на медном охлаждаемом подложкодержателе и проводилась дополнительная термическая очистка в вакууме 10-5 Па при температуре 623 К до восстановления остаточного давления.
Размолотый в агатовой ступке материал до микрокристаллического состояния стехиометрического состава засыпали в вибробункер. Испаритель предварительно обезгаживали в вакууме 10-5 Па в течение 1,5 минуты при рабочей температуре 1873 К. Во время обезгаживания испарителя подложки закрывались экраном с целью предотвращения попадания адсорбированного газа испарителя на рабочие поверхности очищенных подложек. После обезгаживания открывали заслонку, включали вибробункер и проводили напыление материала на подложки с заранее выставленной температурой конденсации.
Напыление образцов селенида и сульфида цинка осуществляли в 4 цикла по 1 минуте с интервалом один час между циклами. Температуру подложки поддерживали постоянной (123 К, 173 К, 223 К, 273 К). После напыления образцы нагревали путем теплообмена с окружающей средой до комнатной температуры без разгерметизации вакуумной системы.