5. Объясните причины возникновения максимума на температурной зависимости подвижности носителей заряда в примесном полупроводнике

6.Поясните, что такое вырожденный электронный газ?

7.Поясните, что такое таммовские уровни и какова природа их возникновения?

8.Какие эффекты относятся к эффектам сильного поля?

9.Существует ли зависимость частоты импульсов колебаний ге-

нератора Ганна от длины образца?

10. Существуют ли качественные различия между диэлектриками и полупроводниками с точки зрения их зонного строения?

11.Объясните порядок заполнения зон электронами на примере щелочного металла (натрий).

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1.Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела:Учебник.- 3-е изд.-М.: Высш.шк., 2000.-494 с.

2.Фистуль В.и. Физика и химия твердого тела: Учебник для вузов.- М.: Металлургия, 1995.- 480 с.

3.Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие.- Петрозаводск, ПетрГУ,2004.- 312 с.

4.Кордон М. Основы физики полупроводников.- 3-е изд.-

М.:Физматлит, 2002.- 560 с.

5.Ормонт Б.Ф.Введение в физическую химию полупровод-

ников.- М.: Высш.шк,1982.- 528 с.

СОДЕРЖАНИЕ

114

Введение …………………………………………………..……..3 1. Химическая связь и строение твердых тел..……………………… 4 1.1 Твердое состояние вещества…………………….…..………….…4

1.2.Ионные кристаллы………………………………….………….... 5

1.2.1.Образование ионных кристаллов……….…............…………… 5

1.2.2.Энергия ионного кристалла..........................…..…..…….………..7

1.2.3.Структура ионных кристаллов..................…….…….………….. 11

1.3.Кристаллы с ковалентной связью.………………..………..…… 15

1.3.1.Образование и энергия кристаллов с ковалентной связью…. 15

1.3.2.Строение ковалентных кристаллов...............…………………....17

1.4.Металлы...………………………………………….……………..21

1.5.Кристаллы с невалентными силами сцепления…...………..….24

1.5.1.Природа связи в молекулярных кристаллах.....………..……... 24

1.5.2.Структура молекулярных кристаллов................……..……..…. 27

1.5.3.Кристаллы с водородной связью….……………………….…… 28

1.6.Строение реальных кристаллов………………………..……… 31

1.6.1.Типы дефектов в кристаллах ......……………………………31

1.6.2.Термодинамика образования дефектов.............………………....32 Вопросы и задания к главе 1…………………………………… …… 40

2. Основы зонной теории ...................................…….……………..43

2.1.Обобществление электронов в кристалле. Образование энергетических зон………………………………………………………44

2.2.Уравнение Шредингера для электронов в кристалле.

Основные допущения зонной теории…………………………………..48 2.3.Приближенные методы расчета энергетического спектра электронов в кристалле ……………………………………………..…53

2.4. Зоны Бриллюэна… ……………………………………………… 61 2.5. Эффективная масса электрона………………………………… 64

115

2.6.Заполнение зон электронами. Металлы, диэлектрики,

полупроводники…………………………………………………. .. 67

Вопросы и задания к главе 2……………………………………………73 3. Электронные свойства полупроводников………………………… 74

3.1.Собственные и примесные полупроводники………………… … 74

3.2.Концентрация носителей заряда в собственном и слабо легированном полупроводниках……………………………………………… 83

3.3.Подвижность носителей заряда в полупроводнике. Температур-

3.4.Поверхностные электронные состояния в полупроводниках… 100

3.5.Некоторые свойства полупроводников в сильных

электрических полях………………………………………………… 106

Вопросы и задания к главе 3………………………………………… 112 Библиографический список……………………………………………113

116

ЕЖОВСКИЙ ЮРИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ ДЕНИСОВА ОЛЬГА ВИТАЛЬЕВНА ВОРОНЦОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ ХАНИН САМУИЛ ДАВИДОВИЧ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ

Учебное пособие

Редактор И.Н. Садчикова Сводный темплан 2005 г.

Лицензия ЛР № 020308 от 14.02.97

Санитарно-эпидемиологическое заключение № 78.01.07.953.П.005641.11.03 от 21.11.2003

_____________________________________________________________________________________

Северо-Западный государственный заочный технический университет

РИОСЗТУ,членИздательско-полиграфическойассоциациивузовРоссии

191186, Санкт-Петербург, ул.Миллионная , д.5

117