Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
патенты / Широкополосный переход от микрополосковой линии к волноводу.docx
Скачиваний:
71
Добавлен:
25.08.2023
Размер:
68.23 Кб
Скачать

Широкополосная рупорная антенна с диэлектрическим наведением и микрополосковой линией с h-образным каналом подачи

Представлены проектирование, моделирование и измерения полной микрополосковой рупорной антенны с диэлектрическим направлением питания. Предложенная антенна обеспечивает такой же высокий коэффициент усиления по сравнению с традиционными рупорными антеннами, заполненными воздухом, проще, чем типичная конструкция решетки, и может быть легко изготовлена ​​с использованием типичных процессов двумерной обработки подложки. H-проводник, работающий в основном режиме TEoo, медленно сужается до H-проводника с «зазором» или рупора с диэлектрическим направлением, где большой воздушный зазор разделяет центральные диэлектрические и металлические пластины. Широкополосная переходная структура от микрополосковой линии Безье к H-образной направляющей изготовлена ​​с использованием подложки Rogers 5880 с низкими потерями и интегрирована с предлагаемой антенной. Изготовленный прототип работает в диапазоне от 8 до 16 ГГц с пиковым усилением примерно 16 дБи.

Анализ и экспериментальная проверка полноволновой системы массива патч-усилителей с апертурной связью на основе волновода

В этой статье представлены полноволновой анализ и экспериментальная проверка массива патч-усилителей с апертурной связью на основе волновода. Массив усилителей, объединяющих пространственную мощность, моделируется путем разложения всей системы на несколько модулей с электромагнитной связью. Это включает в себя метод формулировки интегрального уравнения моментов обобщенной матрицы рассеяния (GSM) для перехода от патча к слоту на основе волновода с N-портами; анализ согласования мод GSM для приемных и передающих конусов прямоугольных волноводов; и конечно-элементный анализ переходов волновода и микрополосковой линии. Общий отклик системы получается путем каскадирования GSM электромагнитных структур и S-параметров сетей усилителей. Численные и экспериментальные результаты представлены для одной элементарной ячейки и массива усилителей 2/spl x 3, работающих в X-диапазоне. Результаты показаны для прямоугольной матрицы патчей, связанных с апертурой, хотя анализ применим к структурам с плоскими электрическими и магнитными поверхностями произвольной формы.

Разработка рупорной антенны siw в h-плоскости e-диапазона

Цель. Целью данной статьи является проектирование и измерение микросхемы рупорной антенны с обратным излучением на подложке H-плоскости, интегрированной в волновод (SIW) 72 ГГц. Рупор SIW был изготовлен по стандартной технологии GaAs 0,5 мкм с толщиной подложки 100 мкм. Проектирование/методология/подход - был принят метод проектирования плоского рупора SIW со стандартными правилами проектирования схем GaAs. Коэффициент входного отражения и усиление выходной антенны были смоделированы с помощью трехмерного полноволнового электромагнитного решателя Ansoft HFSS на базе FEM и измерены с помощью сетевого анализатора Agilent E8361C и пробной станции Cascade 110 ГГц. Выводы. Измеренная входная полоса пропускания по уровню 6 дБ составляет около 0,9 ГГц при центральной частоте 72,39 ГГц. Максимальное усиление мощности антенны, полученное из потерь на трассе на частоте 72,39 ГГц, составляет около 3,64 дБи. Ограничения/последствия исследования. Тонкая подложка демонстрирует большую емкость и запасает энергию, а не излучает. Плоский разрез ограничивает конструкцию дуговой линзы и приводит к несовпадению плоскости излучения с воздухом. Простая конструкция сужающегося перехода значительно сужает входную полосу пропускания. Эту проблему можно дополнительно решить, выбрав более толстую подложку и многосекционные входные площадки CPW GSG для микрополоскового перехода.

Соседние файлы в папке патенты