Исследования перехода от микрополосковых к siw в Ka-диапазоне

В этой работе объясняются конструкция и анализ интегрированного волновода из микрополосковой подложки, а также переход SIW в микрополосковую в Ka-диапазоне для приложений мм-волн. Эти переходы также полезны при проектировании и соединении СВЧ-компонентов, таких как фильтры, делители мощности, резонаторы и антенны. Простой конус микрополосковой пластинки используется в качестве перехода между микрополосковой полоской и SIW. Здесь в основном объясняются процедура расчета и формулы для воздухонаполненного прямоугольного волновода (RWG) в SIW и перехода между микрополосковой линией и SIW. Предлагаемая конфигурация микрополосковой модели SIW моделируется в программном обеспечении Ansoft HFSS 3D EM. Переход от изготовленной микрополосковой схемы к SIW тестируется с помощью векторного анализатора цепей и сравнивается с результатами моделирования.

Фильтр высоких пропуска на основе полумодовой подложки интегрированной волноводной технологии для см-волн

В этой статье мы представляем фильтр верхних частот на основе полумодовой интегрированной в подложку волноводной технологии HMSIW, предназначенный для передачи микроволновых сигналов в диапазоне от 6 ГГц до 18 ГГц. Конус используется для перехода от микрополосок к SIW. Мы разработали линию передачи SIW с использованием симуляторов CST и HFSS на подложке Rogers RT5880 с диэлектрической проницаемостью 2,2 и толщиной 0,508 мм, а также использовали полумодовую технику для миниатюризации размера фильтра и достижения уменьшения размера примерно на 50%. Размер изготовленного фильтра составляет 60 х 12 мм2. Нижние измеренные обратные потери составляют около -51 дБ. Мы сравнили результаты моделирования с результатами измерений для подтверждения нашего предложения. Наблюдается хорошее согласие между CST, HFSS и результатами измерений.

Переход от прямоугольного волновода к копланарному волноводу на мембране

Исследовано несколько переходов от копланарного волновода на тонкой диэлектрической мембране к прямоугольному волноводу. Оптимальная структура перехода оказалась состоящей из копланарно-микрополоскового перехода на мембране с последующим использованием микрополоскового зонда треугольной формы, выполняющего переход от микрополосковой линии к прямоугольному волноводу. Конус между копланарной и микрополосковой линией передачи, а также форма микрополоскового зонда оптимизированы для работы в D-диапазоне.

Работа стандартной схемы джозефсоновского напряжения с охладителем импульсной трубки

Для более широкого использования джозефсоновских эталонов напряжения весьма желательна работа без криогена с использованием соответствующего холодильника замкнутого цикла. В данной работе мы представляем малошумящий охладитель на импульсной трубке (ПТК), способный охлаждать схемы эталонов напряжения до температур ниже 4 К. В качестве диэлектрического волновода с малыми потерями и очень малой теплопроводностью была использована тефлоновая полоска для СВЧ. передача инфекции. Согласованный переход от прямоугольного волновода WR12 к тефлоновой полоске и наоборот осуществлялся с помощью специальных экспоненциальных конусов. Программируемые 1-вольтовые 14-битные матрицы SINIS и 10-вольтовые SIS, собранные в ПТК, работали хорошо, т. е. демонстрировали характеристики, аналогичные измеренным в жидком гелии. Массивы джозефсоновских переходов были интегрированы в копланарные полоски вместо обычно используемых микрополосковых линий для линий микроволновой передачи. Массив SINIS с напряжением 1 В содержал 8192 джозефсоновских перехода (JJ). Он генерировал стабильный по своей природе скачок джозефсоновского напряжения 1,19 В при рабочей СВЧ-частоте 70 ГГц. Ширина ступеньки составляла 150 мкА, критический ток переходов — 550 мкА. Аналогичные результаты были получены в условиях охлаждения жидким гелием. В другом эксперименте был установлен стандартный чип с напряжением 10 В и 19 700 SIS JJ. Удалось генерировать стабильные ступеньки Шапиро на уровне 10 В. Ширина ступеньки составляла 150 мкА, критический ток переходов — 550 мкА. Аналогичные результаты были получены в условиях охлаждения жидким гелием. В другом эксперименте был установлен стандартный чип с напряжением 10 В и 19 700 SIS JJ. Удалось генерировать стабильные ступеньки Шапиро на уровне 10 В. Ширина ступеньки составляла 150 мкА, критический ток переходов — 550 мкА. Аналогичные результаты были получены в условиях охлаждения жидким гелием. В другом эксперименте был установлен стандартный чип с напряжением 10 В и 19 700 SIS JJ. Удалось генерировать стабильные ступеньки Шапиро на уровне 10 В.