Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Методическое пособие 700

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
30.04.2022
Размер:
4.89 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вительность к ЭСРПовышенной

устойчивостью к

воз-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Стандартные ТТЛ ИС

 

 

действию ЭСР обладают МДП ИС с ди-

 

 

 

1,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Линейные ИС

 

 

электриком затвора

из SiO

2

+ Si N

4

по

 

 

 

1,3

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

Цифровые ИС с объединенными

 

сравнению с диэлектриком из SiO2 + ФСС

 

эмиттерами

 

 

1,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(фосфоросиликатнос стекло).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

исследовании биполярных ТТЛ

 

Шоттки ТТЛ ИС

 

 

3,0

При

 

 

 

 

 

 

 

 

р-n-переходом (серия

 

МОП ИС

 

 

 

ИС с изоляцией

 

 

 

 

 

3,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КМОП ИС

 

 

 

133) и оксидом (серия 106) по результатам

 

 

 

 

4,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Большие разбросы по порогу чувст-

сравнительных

испытаний на надежность

 

выявлено,

что ИС с оксидной изоляцией

вительности

объясняются его

зависимо-

обладают

большей

стойкостью к

ЭСР

стью от размеров используемых элементов

(табл 7.5).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ППИ, технологии изготовления, выбора

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 7.5

параметров,

характеризующих

годность

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ППИ, и от их величин. Например, МОП-

Результаты сравнительных испытаний ИС

приборы с металлическим затвором почти

 

 

 

на надежность

 

 

 

 

 

в 9 раз более восприимчивы к ЭСР, чем

в течение 1500 ч при условии С = 200 пФ,

эти же приборы с кремниевым затвором.

 

 

 

R = 1 кОм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Это происходит вследствие особенностей

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Потенциал

 

 

 

 

Тип ИС

технологического процесса изготовления

 

 

 

 

 

 

воздейст-

 

 

1ЛБ061

 

1ЛБ33

кремниевого затвора, обеспечивающих оп-

 

 

 

 

тимальные площади перекрытия затвора и

 

вующего

 

Кол-во ИС

 

Кол-во

 

Кол-во ИС

 

 

заряда, В

 

в партии,

 

отказов,

в партии,

 

уменьшающих емкость затвора.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

шт.

 

шт.

 

шт.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Без воздейст-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диоды

 

 

 

 

10-5

 

10

 

вия (контроль-

 

20

 

 

0

 

20

 

 

 

0

 

 

 

 

10

-4

 

10

 

ная партия)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Выпрямители

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Диоды Зенера

 

 

10

-3

 

10

 

1000

 

16

 

 

1

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторы

средней

 

10-2

 

10

 

1500

 

16

 

 

1

 

20

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1800

 

11

 

 

1

 

20

 

 

мощности

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

2000

 

8

 

 

1

 

20

 

 

Мощные

транзисторы

 

10

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Мощные

диоды и

 

 

 

 

 

 

 

 

Значения энергии ЭСР, необходимой

 

 

кремниевые управ-

 

 

10

1

 

10

для повреждения и разрушения ППИ, раз-

 

 

 

 

 

 

 

 

ляемые диоды

 

 

 

 

 

 

 

личны и зависят от их конструктивно-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

технологических особенностей (табл. 7.6).

 

 

 

 

Наиболее часто наблюдаемым видом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица 7.6

 

повреждения КМОП ИС являются пробои

 

 

 

 

 

 

 

оксидной изоляции вентилей и короткие

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Энергия ЭСР, необходимая для поврежде-

 

замыкания

их, возникающие

либо

из-за

 

приложения

 

избыточного электрического

 

 

ния ППИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

напряжения непосредственно к выводам,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

либо из-за

приложения наведенного избы-

 

 

 

 

 

Энергия, Дж, необходимая для

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ППИ

 

 

 

 

 

 

 

 

точного напряжения.

Этот вид поврежде-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

повреждения

разрушенияхарактерен и для повреждений

при

 

 

 

 

 

 

Дополняющие МОП-

 

 

 

-7

 

 

 

 

 

-6

 

ЭСР.

Экспериментальная

 

 

 

 

 

10

 

 

 

воздействии

 

 

структуры

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

проверка электрической мощности КМОП-

 

Транзисторы

 

 

 

10-6

 

 

10-5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

схем серии 4011, изготовленных четырьмя

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

различными предприятиями при приложе-

КР1005ВИ1 может быть выведен из строя.

нии импульсного напряжения между раз-

На рис. 7.1 – 7.2 показаны типичные

личными выводами схем показала сущест-

ВАХ ИС до и после воздействия на них

венное различие в электрической

проч-

ЭСР. Из графиков видно, что характери-

ности ИС разных изготовителей, а также

стики элементов после воздействия на них

зависимость прочности от того, к каким

ЭСР отличаются от первоначальных зна-

выводам ИС прикладывалось напряжение.

чений.

Потенциалы, при которых начина-

 

лись заметные изменения вольт-амперных

 

характеристик (ВАХ), имеют значительно

 

меньшие величины, чем потенциалы, при-

 

водящие к

катастрофическим

отказам

 

ППИ. Наиболее чувствительным к ЭСР

 

является БИС КР1005ВИ1, значение до-

 

пустимого потенциала по техническим ус-

 

ловиям равно 30 В. Потенциалы статисти-

 

ческого заряда +500 В и –700 В относи-

 

тельно «земляного» вывода ИС могут при-

 

водить к изменению ВАХ испытуемых пе-

 

реходов. Под действием ЭСР порядка 1000

 

В независимо от знака практически любой

Рис 7.1. Вольт-амперные характеристики

переход

интегральной

микросхемы

гибридной

 

 

 

 

микросхемы ГК19-П (по выводам 2 – 4, 2 –

(по выводам 10 – 39): 1 – до воздействия

5, 4 – 5):

ЭСР;

1 – до воздействия ЭСР; 2, 3 – после воз-

2, 3 – после воздействия ЭСР

действия ЭСР

 

 

В процессе эксперимента была по-

 

ставлена задача – выявить особенность по-

 

ведения наименее стойкого к ЭСР изделия

 

– ИС КР1005ВИ1 при многократных воз-

 

действиях разрядов. На рис. 7.3 по оси

 

абсцисс приведено напряжение, по оси ор-

 

динат количество ЭСР при данном напря-

 

жении, после которого наступает катаст-

 

рофический отказ ИС. Высота столбиков –

 

это количество случаев катастрофических

 

отказов при данных условиях. Видно, что

 

распределение количества отказов в зави-

 

симости от напряжения разряда в первом

 

приближении подчиняется экспоненци-

 

альной зависимости.

 

 

 

Таким образом,

для ИС

типа

Рис 7.2. Вольт-амперные характеристики

КР1005ВИ1 опасность

представляет не

БИС КР1005ВИ1

только однократное

воздействие

ЭСР

больших потенциалов, но и многократное воздействие низких потенциалов.

Рис. 7.3. Зависимость количества разрядных импульсов ЭСР, приводящих к катастрофическим отказам БИС КР10005ВИ1, от напряжения ЭСР

7.3. Коллективные и индивидуальные меры защиты

от воздействия статических зарядов

Защита ППИ от ЭСЗ обычно проводится в двух направлениях: исключение факторов, приводящих к генерации ЭСЗ, и стекание накопленного заряда. Методы защиты от ЭСЗ, применяемые в полупроводниковой промышленности, подразделяются на химические, физикомеханические и конструктивнотехнологические. Первый и второй методы способствуют предотвращению возникновения статического электричества и ускорению стекания зарядов, третий – только защищает ППИ от опасных воздействий ЭСЗ, но не оказывает влияния на стекание зарядов.

Известно, что ЭСР происходит, ко-

гда запасенная

энергия превысит поро-

говый уровень, соответствующий

10-6

10-5 Кл/м. Для предотвращения опасности целесообразно обеспечить уменьшение запасенной энергии ЭСЗ. Пути утечки ЭСЗ возможны через коронный разряд, объемную проводимость материала, на котором скапливается заряд, и поверхностную проводимость материала.

Следовательно, наиболее общими решениями проблемы борьбы со статическим электричеством являются ионизация воздуха, а также увеличение поверхностной и объемной проводимости материалов. Практические методы обычно состоят в создании организованных путей утечки ЭСЗ так, чтобы не допустить попадания опасных потенциалов на ППИ.

Первым из таких методов является метод заземления. Цепь утечек на землю

работает удовлетворительно, если ее сопротивление не превышает 106 Ом. Заземление является эффективным только для материалов, имеющих удельное сопротивление не более 1010 Ом м. Изолятор с удельным сопротивлением свыше 1014 Ом м может хранить высокую энергию ЭСЗ, что приводит к разряду при его связи с землей. Такой изолятор следует защищать другими способами. Заземленные электростатические проводники должны быть защищены от других проводников.

Второй метод заключается в подавлении ЭСЗ, так как заземление не позволяет эффективно снимать заряды с поверхности диэлектриков, которые широко применяются в чистых комнатах. ЭСЗ у таких материалов резко снижается при увеличении влажности воздуха (табл. 7.7) , однако при этом ухудшаются условия работы в

чистых комнатах. Поэтому влажность ус-

 

ха, способные генерировать ионы обеих

танавливается равной 40 %.

 

 

полярностей. Такие ионизаторы использу-

 

 

 

 

ются для локальной нейтрализации заря-

 

Таблица 7.7

 

дов непосредственно на рабочих местах

 

 

или ими дополняют вентиляционные сис-

 

 

 

 

Влияние относительной влажности возду-

 

темы чистых комнат для ионизации заря-

 

дов в потоке отфильтрованного воздуха с

 

ха

 

 

 

 

 

целью общей нейтрализации стен, потол-

 

на электризацию некоторых объектов

 

 

 

ков, поверхностей оборудования и др.

 

 

 

 

 

 

 

 

Предложено

облицовывать стены, потолок

 

 

 

 

 

Объект

ЭЗС (В) при

 

ьной

комнат электропроводящими

 

 

 

относителпол чистых

 

 

влажности воздуха, %

имеющими по отношению к

 

 

 

 

покрытиями,

 

 

10 – 20

 

65 – 90

 

10

7

 

 

 

 

земле электросопротивление порядка

 

 

 

 

 

 

 

 

Рабочий:

 

 

Ом, при котором заряды на них уменьша-

 

при ходьбе по ковру

35000

 

ются1500до безопасных значений в течение

 

при хождении по винипла-

12000

 

0,02 с.

 

 

 

 

 

250

 

 

 

 

стовому полу

 

 

Третий метод уменьшения электро-

 

при сидении на рабочем месте

6000

 

статической

опасности заключается в при-

 

 

100

токопроводящих материалов пу-

 

Полиэтиленовый конверт для

 

 

менении

 

7000

 

600

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

хранения документов

 

 

тем смешивания материалов с металличе-

 

 

 

скими или

углеродными частицами.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Для разрядки диэлектрических по-

 

В помещениях, где расположена ап-

 

 

паратура с чувствительными к ЭСЗ компо-

верхностей применяют ионизаторы возду-

 

 

нентами, полы должны быть покрыты про-

 

 

 

 

водящими коврами. Ковры предназначены, прежде всего, для рассеивания ЭСЗ с лиц, входящих в помещение перед тем, как они подсоединяются к заземлению. Они также создают "заземленный" фон во всем помещении. Проводящие ковры обычно изготавливаются из пластмасс, насыщенных углем, или проводящего винилового материала. Ковер подсоединяется к заземлению.

Столы, рабочие места также должны иметь проводящее покрытие из пропитанного углем пластика, проводящего дивинила или антистатического материала. Эти покрытия обычно заземляются с помощью шин, прокладываемых на столах под покрытием. Аналогичные покрытия должны иметь и стулья.

Перчатки или напальчники из обыкновенной, непроводящей резины могут быть источником ЭСЗ. Их нужно изготовлять из специального электропроводящего материала.

При выборе материалов особое вни-

мание уделяется их свойствам рассеивать ЭСЗ. Вместе с тем важной характеристикой материала является время рассеяния заряда при заземлении. В проведенных исследованиях на различные материалы подавался потенциал до 5000 В, после чего материал заземлялся и замерялось время достижения напряжения 500 В (табл. 7.8).

Таблица 7.8

Время рассеяния ЭСЗ различных материалов

Наименование

Состояние

Вр

материала

материала

рассеив

Антистатическая

новая

0

полиэтиленовая пленка

бывшая в

 

 

употреблении

21

Статическая защитная

новая

< 0,0

пленка

бывшая в

 

 

употреблении

< 0,0

Черная проводящая

новая

< 0,0

пленка из ткани

бывшая в

 

 

употреблении

< 0,0

Четвертая группа методов обеспечи-

вает уменьшение ЭСЗ тела человека. Для этого используются заземление и антистатическая одежда.

Проводящие браслеты являются одним из наиболее эффективных средств рассеяния ЭСЗ, накапливающегося на человеческом теле. Они создают электропроводный путь, по которому ЭСЗ может стекать на землю. Браслет состоит из проводящей полосы, укрепляемой на запястье, и пряжки, которой браслет соединяется с заземленным проводом (рис 7.4). Провод должен иметь последовательно соединенное сопротивление от 1 до 100 МОм для создания безопасных условии работы, чтобы протекающий через человеческий организм ток не превышал 1 мА. Конструкция браслетов может быть разнообразной. Для ежедневной оценки качества браслетов используются тестерные боксы, расположенные при всех входах на производственный участок. Они оборудованы лампочками, указывающими состояние брас-

летов: РАЗМКНУТО, ЗАМКНУТО, ХОРОШЕЕ.

Рис 7.4. Пример конструктивного оформления

антистатического браслета Для обеспечения заземления тела че-

ловека используются коврики из токопро-

водящих пластмасс и токопроводящая подошва обуви. Одежда человека может генерировать и сохранять ЭСЗ до 20 кВ, поэтому необходимо обращать внимание, чтобы персонал, работающий с чувствительными к ЭСЗ ППИ и электронными блоками, был одет в антистатическую одежду.

7.4. Конструктивно-технологические методы повышения стойкости ИС к воздействию ЭСР

Кроме применения внешних мер защиты, за последние годы разработаны методы защиты ИС конструктивнотехнологического типа и внутренней, т. е. встроенной защиты.

Например, предложен следующий способ защиты ИС от воздействия ЭСЗ человеческого тела во время монтажа на печатную плату. На внешней стороне осно-

вания корпуса прибора сформирован ряд углублений, внутри которых находится припой. Каждое углубление соединено сквозным отверстием с контактной площадкой на внутренней стороне основания корпуса. Таким образом, внешние выводы схемы оказываются утопленными внутрь основания корпуса, что практически исключает касание их руками оператора при монтаже.

Применение ряда конструктивных особенностей при разработке топологии кристалла ИС может повысить устойчивость ИС к ЭСЗ. В частности, хороший эффект получается при увеличении расстояния между областью эмиттерной диффузии и базовым контактом, например при увеличении его с 10 до 40 мкм, или путем снижения плотности тока в эмиттере за счет увеличения его периметра со стороны базового контакта. С целью уменьшения концентрации электрического поля и на-