Методическое пособие 700
.pdf
|
|
|
|
|
|
|
|
|
27 |
0,11 |
0,12 |
77 |
1,1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
29 |
0,12 |
0,14 |
79 |
1,2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
31 |
0,14 |
0,17 |
81 |
1,3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
33 |
0,15 |
0,20 |
83 |
1,4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
35 |
0,17 |
0,24 |
85 |
1,5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
37 |
0,19 |
0,29 |
87 |
1,6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
39 |
0,21 |
0,34 |
89 |
1,7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
41 |
0,23 |
0,40 |
91 |
1,8 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
43 |
0,25 |
0,47 |
93 |
2,0 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
45 |
0,28 |
0,56 |
95 |
2,1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
47 |
0,30 |
0,65 |
97 |
2,3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица П.5.5. |
|
|
|
49 |
0,33 |
0,76 |
99 |
2,5 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
51 |
0,36 |
0,89 |
101 |
2,6 |
|
||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Коэффициенты ускорения в зависимости |
|
|
|
53 |
0,40 |
1,0 |
103 |
2,8 |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
55 |
0,44 |
1,2 |
105 |
3,0 |
|
|||||||
от температуры |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
57 |
0,48 |
1,4 |
110 |
3,6 |
|
||||
|
|
перехода ПЕ |
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
59 |
0,52 |
1,6 |
115 |
4,2 |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
Tj ( C) |
Пт1 |
Пт2 |
Tj ( C) |
|
Пт1 |
П |
т2 |
61 |
0,57 |
1,9 |
120 |
4,9 |
|
|
|
25 |
0,10 |
0,10 |
75 |
|
1,0 |
5,0 |
63 |
0,62 |
2,2 |
125 |
5,7 |
|
|
65 |
0,67 |
2,5 |
135 |
|
7,6 |
|
|
Т |
= |
Т |
окр.ср. |
+ 5 |
|
С, |
если количество |
|||||||
|
|
|
|
155j |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
67 |
0,73 |
2,9 |
145 |
|
10,0 |
|
вентилей |
значительно меньше 30 или если |
||||||||||||||
|
|
|
250 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
69 |
0,79 |
3,3 |
155 |
|
13,0 |
|
число |
транзисторов для линейных ИС |
||||||||||||||
|
|
|
393 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
меньше 120; |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
|
71 |
0,86 |
3,8 |
165 |
|
17,0 |
|
607 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Тj |
= |
Токр.ср. |
+ 13 |
С, если количество |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
|
73 |
0,93 |
4,4 |
175 |
|
22,0 |
|
вентилей918 больше 30 или если число тран- |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
Примечания: |
|
|
|
|
зисторов в линейных ИС больше 120, а |
|||||||||||||||||
|
1. Если величина температуры пере- |
|
также для всех ЗУ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
хода Тj неизвестна, то следует пользовать- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица П.5.6 |
|||||||||||
ся следующим приближением для всех ти- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||
пов ИС, кроме маломощных ТТЛ ИС и |
|
Коэффициент жесткости условий эксплуа- |
|||||||||||||||||||||
МОП ИС: |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
тации ПЕ |
|
|
|
|
||||||
|
Тj = Токр.ср. + 10 С, если количество |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
|
Условия экс- |
|
GB |
|
SF |
GF |
GM |
NS |
NU |
AJT |
AJF |
AUT |
||||||||
вентилей значительно меньше 30 или если |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||
число транзисторов в линейных ИС значи- |
|
|
|
плуатации |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
тельно меньше 120; |
|
|
|
|
|
|
|
ПЕ |
|
|
0,2 |
|
0,2 |
1,0 |
4,0 |
4,0 |
5,0 |
2,8 |
5,6 |
4,2 |
|||
|
Тj = Токр.ср. + 25 С, если количество |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
вентилей больше 30 или если число тран- |
|
5.2.3. Монолитные биполярные и МОП- |
|||||||||||||||||||||
зисторов в линейных ИС больше 120, а |
|
|
|
|
|
|
аналоговые ИС |
|
|
|
|
||||||||||||
также для всех ЗУ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
2. Для маломощных ТТЛ ИС и И2Л |
|
|
|
Интенсивность отказов для указан- |
|
|
|
|||||||||||||||
ИС, если Тj неизвестна, следует использо- |
|
ных ИС вычисляется по формуле: |
|
|
|
|
|||||||||||||||||
вать следующие приближения: |
|
|
|
|
|
|
|
= ПL ПQ(C1ПТ2 + C2ПЕ), |
|
|
|
|
где ПТ2 – коэффициент температурного ускорения (табл. П.5.5); C1, С2 – коэффициенты сложности схемы, зависящие от числа транзисторов в ИС (величины С1, С2 определяются по табл. П.5.8).
5.2.4. Монолитные биполярные и МОПцифровые ИС
высокого уровня интеграции
(содержащие 100 и более вентилей)
Интенсивность отказов для указанных ИС определяется по формуле
λ = ПLПQ(С1Пт1 + С2ПE) ΠР,
где C1, C2 – факторы, учитывающие степень интеграции. По табл. П.5.9 определяется число вентилей для микропроцессоров. Интенсивность отказов в зависимости от числа вентилей находят по табл. П.5.10; ПР – коэффициент количества выводов (примечание к таблице П.5.9 и примечание к табл. П.5.10).
Таблица П.5.9
Число вентилей для микропроцессоров
Тип ИС |
Тип ИС по |
Технология изго- |
Ч |
|
|
|
|
(коммерческий) |
MIL-M-38510 |
товления ИС |
вентилей |
|
|
|
|
1802 |
470001 |
KM0П |
1375 |
|
|
|
|
2901А |
440001 |
ТТЛ |
542 |
|
|
|
|
6800 |
400001 |
MНОП |
1300 |
|
|
|
|
8080А |
420001 |
МНОП |
1100 |
|
|
|
|
8085 |
------ |
МНОП |
2067 |
|
|
|
|
9900 |
460001 |
И2Л |
3100 |
10800 |
------ |
ЭСЛ |
350 |
|
|
|
|
Ζ-80 |
------ |
МНОΠ |
2200 |
|
|
|
|
Πримечание. ПР = 1,1 для всех микропроцессоров.
5.2.5. Монолитные с МОП-структурой и биполярные
запоминающие устройства
Интенсивность отказов для указанных ИС вычисляется по формуле
λ = ПLПQ(С1Пт1 + С2ПE) ΠР, |
|
|
|
2240 |
|
0,030 |
|
0,012 |
|
0,10 |
|
||||||||||
где C1, |
C2 |
– коэффициенты |
сложности |
|
2560 |
|
0,032 |
|
0,013 |
|
0,11 |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
4096 |
|
0,043 |
|
0,017 |
|
0,15 |
|
|||||||||||
схемы, |
зависящие от |
числа |
бит |
(табл. |
|
|
|
|
|
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
8192 |
|
0,065 |
|
0,027 |
|
0,23 |
|
|||||||||||
П.5.11.); ΠР – коэффициент количества вы- |
|
|
|
|
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
|
|
|
l9216 |
|
0,070 |
|
0,029 |
|
0,24 |
|
|||||||||||
водов (см. примечание к табл. П.5.11). |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||
|
|
|
10240 |
|
0,075 |
|
0,031 |
|
0,26 |
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||
|
|
|
|
|
Таблица П.5.11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
12288 |
|
0,083 |
|
0,035 |
|
0,29 |
|
||||||
Коэффициент сложности для запоминающих |
|
|
|
14848 |
|
0,093 |
|
0,040 |
|
0,33 |
|
||||||||||
|
|
|
16384 |
|
0,099 |
|
0,042 |
|
0,35 |
|
|||||||||||
|
|
устройств С1 и С2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
Примечание. При числе выводов |
|||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
|
|
ПЗУ |
|
|
|
|
|
|
корпуса меньше |
24 ПР равен 1,0; при числе |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
Число бит |
|
|
|
|
|
ЗУПВ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
выводов, равном или больше 24 – 1,1. |
|||||||||||
|
|
|
С1 |
|
|
С2 |
|
С1 |
|
|
|
С2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
16 |
|
|
0,0015 |
|
0,00048 |
|
0,0053 |
|
|
|
Если |
известными |
являются |
только |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
0,0017 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
32 |
|
|
0,0023 |
|
0,00075 |
|
0,0080 |
|
|
|
коэффициент площади кристалла и коли- |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
0,0026 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
64 |
|
|
0,0035 |
|
0,0012 |
|
0,012 |
|
|
|
чество0,0041соединений, следует разделить |
|
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
площадь кристалла на 2,5. Получится ве- |
|
|
|||||||
128 |
|
|
0,0053 |
|
0,0018 |
|
0,019 |
|
|
0,0064 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
личина, приблизительно равная площади |
|
|
|||||||
256 |
|
|
0,0081 |
|
0,0029 |
|
0,028 |
|
|
0,010 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
320 |
|
|
0,0092 |
|
0,0033 |
|
0,032 |
|
|
0,011 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
металлизации. Для получения величины, |
|
||||||||
512 |
|
|
0,0012 |
|
0,0045 |
|
0,043 |
|
|
0,016 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
приблизительно pавной площади активных |
|
||||||||
576 |
|
|
0,013 |
|
0,0049 |
|
0,046 |
|
|
0,017 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
элементов, площадь кристалла надо разде- |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
1024 |
|
0,019 |
|
0,0070 |
|
0,065 |
|
|
0,024 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
лить на 5,1. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1120 |
|
0,020 |
|
0,0075 |
|
0,069 |
|
|
0,026 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Знание типа МОП технологии помо- |
|
||||||||
1280 |
|
0,021 |
|
0,0081 |
|
0,074 |
|
|
|||||||||||||
|
|
|
|
|
0,028 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
жет определить количество ступеней диф- |
|
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
2048 |
|
0,028 |
|
0,011 |
|
0,099 |
|
|
0,038 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
фузии (для МОП-структур с дополняющими транзисторами оно равно 3, для р- канальных МОП-структур – 1).
Воздействие тсрмоциклирования сказывается на увеличении интенсивности отказов в 4 – 8 раз.
5.2.6. Примеры расчета интенсивности отказов ИС
Пример 1. ИС типа КР1043ВГ1 (цифровая МОП-технология) эксплуатируется в видеомагнитофонах, т.е. в наземных жилых помещениях при температуре окружающей среды до 35 °С. ИС класса D-1 изготавливается в условиях непрерывного производства.
Этап 1. Тип ИС показывает, что прибор поставляется по ЧТУ в пластмассовом корпусе, представляет собой цифровую ИС, изготавливаются по МОП – технологии.
Этап 2. Так как данная ИС состоит из 3200 транзисторов и число вентилей будет равно 3200 : 4 = 800 (а это более 100 вентилей), то, согласно разделу 5.2.4, применяется следующая модель расчета :
λ = ПLПQ(С1Пт1 + С2ПE) ΠР.
Этап 3. Из табл. П.5.4 определяем ПQ = 300 для класса качества D-1.
Этап 4. Значение ПL, равное 1,0, находим по табл. П.5.3, поскольку ИС изготавливается непрерывно.
Этап 5. По табл. П.5.6 определяем значение ПЕ = 0,2 для условий эксплуата-
ции GВ.
Этап 6. По табл. П.5.5 находим значение ПТ1 в соответствии с примечанием 2. Для этого вначале определяем значение Tj, равное температуре окружающей среды
плюс 25 °С, т.е. Тj = 35 +25 = 60 °С, как указано в примечании 2, поскольку в схеме
используется более 30 вентилей. ПТ1 = 0,54.
Этап 7. По табл. П.5.10 находим значения С1 и С2, равные соответственно для 800 вентилей: С1 = 0,12 10-6 и С2 = 0,043 10-6; ПР = 1,1, так как число выводов равно 28.
Этап 8. Рассчитаем :
=1 300 (0,12 0,54 + 0,043 0,2) 1,1 10-6 =
=300 (0,06 + 0,0086) 1,1 l0-6 =
300 1,1 0,0686 10-6 = = 22,6 10-6 (1/ч) = 2,3 10-5 (1/ч).
Пример 2. Серийно выпускаемые ИС типа K561JIH2 (6 логических элементов "НЕ") эксплуатируются в видеомагнитофонах, т.е. в наземных жилых помещениях при температуре среды до 35 С. Схема выполнена в пластмассовом корпусе 201.14-1 по МОП-технологии по уровню качества D-1, состоит из 6 вентилей. Так
как эта схема цифровая с количеством вентилей менее 100, то воспользуемся формулой раздела 5.2.2:
λ = ПLПQ(С1ПТ1 + С2ПE) ΠР.
Из таблиц получим следующие исходные данные:
ПL = 1; ПТ = 0,22 (для Tj =35 + 5 = 40
°С); ПQ = 300; С1 = 0,0043 10-6; C2 = 0,0074 10-6; ΠР = 1,0; ПE = 0,2.
=1 300 (0,0043 0,22 + 0,0074 0,2) 10-6·=
=300 (0,001 + 0,0015) 10-6 = 300 0,0025 10-6
=
= 0,75 10-6 (1/ч) = 7,5 10-7 (1/ч).
Пример 3. ИС типа КР1005УД1 (сдвоенный операционный усилитель) серийно выпускаются по биполярной технологии в пластмассовом корпусе типа 1102.9 с числом транзисторов, равным 48, по уровню качества D-1. Применяются в видеомагнитафонах при температуре ок-