Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Методическое пособие 700

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
30.04.2022
Размер:
4.89 Mб
Скачать

 

 

 

 

 

 

 

 

 

27

0,11

0,12

77

1,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29

0,12

0,14

79

1,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

31

0,14

0,17

81

1,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

33

0,15

0,20

83

1,4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35

0,17

0,24

85

1,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

37

0,19

0,29

87

1,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

39

0,21

0,34

89

1,7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

41

0,23

0,40

91

1,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43

0,25

0,47

93

2,0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45

0,28

0,56

95

2,1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

47

0,30

0,65

97

2,3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица П.5.5.

 

 

 

49

0,33

0,76

99

2,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

51

0,36

0,89

101

2,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Коэффициенты ускорения в зависимости

 

 

 

53

0,40

1,0

103

2,8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

55

0,44

1,2

105

3,0

 

от температуры

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

57

0,48

1,4

110

3,6

 

 

 

перехода ПЕ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

59

0,52

1,6

115

4,2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Tj ( C)

Пт1

Пт2

Tj ( C)

 

Пт1

П

т2

61

0,57

1,9

120

4,9

 

 

25

0,10

0,10

75

 

1,0

5,0

63

0,62

2,2

125

5,7

 

 

65

0,67

2,5

135

 

7,6

 

 

Т

=

Т

окр.ср.

+ 5

 

С,

если количество

 

 

 

 

155j

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

67

0,73

2,9

145

 

10,0

 

вентилей

значительно меньше 30 или если

 

 

 

250

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

69

0,79

3,3

155

 

13,0

 

число

транзисторов для линейных ИС

 

 

 

393

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

меньше 120;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

71

0,86

3,8

165

 

17,0

 

607

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тj

=

Токр.ср.

+ 13

С, если количество

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

73

0,93

4,4

175

 

22,0

 

вентилей918 больше 30 или если число тран-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Примечания:

 

 

 

 

зисторов в линейных ИС больше 120, а

 

1. Если величина температуры пере-

 

также для всех ЗУ.

 

 

 

 

 

 

 

 

хода Тj неизвестна, то следует пользовать-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица П.5.6

ся следующим приближением для всех ти-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

пов ИС, кроме маломощных ТТЛ ИС и

 

Коэффициент жесткости условий эксплуа-

МОП ИС:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тации ПЕ

 

 

 

 

 

Тj = Токр.ср. + 10 С, если количество

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Условия экс-

 

GB

 

SF

GF

GM

NS

NU

AJT

AJF

AUT

вентилей значительно меньше 30 или если

 

 

 

 

 

число транзисторов в линейных ИС значи-

 

 

 

плуатации

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тельно меньше 120;

 

 

 

 

 

 

 

ПЕ

 

 

0,2

 

0,2

1,0

4,0

4,0

5,0

2,8

5,6

4,2

 

Тj = Токр.ср. + 25 С, если количество

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

вентилей больше 30 или если число тран-

 

5.2.3. Монолитные биполярные и МОП-

зисторов в линейных ИС больше 120, а

 

 

 

 

 

 

аналоговые ИС

 

 

 

 

также для всех ЗУ.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2. Для маломощных ТТЛ ИС и И2Л

 

 

 

Интенсивность отказов для указан-

 

 

 

ИС, если Тj неизвестна, следует использо-

 

ных ИС вычисляется по формуле:

 

 

 

 

вать следующие приближения:

 

 

 

 

 

 

 

= ПL ПQ(C1ПТ2 + C2ПЕ),

 

 

 

 

где ПТ2 – коэффициент температурного ускорения (табл. П.5.5); C1, С2 – коэффициенты сложности схемы, зависящие от числа транзисторов в ИС (величины С1, С2 определяются по табл. П.5.8).

5.2.4. Монолитные биполярные и МОПцифровые ИС

высокого уровня интеграции

(содержащие 100 и более вентилей)

Интенсивность отказов для указанных ИС определяется по формуле

λ = ПLПQ1Пт1 + С2ПE) ΠР,

где C1, C2 – факторы, учитывающие степень интеграции. По табл. П.5.9 определяется число вентилей для микропроцессоров. Интенсивность отказов в зависимости от числа вентилей находят по табл. П.5.10; ПР – коэффициент количества выводов (примечание к таблице П.5.9 и примечание к табл. П.5.10).

Таблица П.5.9

Число вентилей для микропроцессоров

Тип ИС

Тип ИС по

Технология изго-

Ч

 

 

 

 

(коммерческий)

MIL-M-38510

товления ИС

вентилей

 

 

 

 

1802

470001

KM0П

1375

 

 

 

 

2901А

440001

ТТЛ

542

 

 

 

 

6800

400001

MНОП

1300

 

 

 

 

8080А

420001

МНОП

1100

 

 

 

 

8085

------

МНОП

2067

 

 

 

 

9900

460001

И2Л

3100

10800

------

ЭСЛ

350

 

 

 

 

Ζ-80

------

МНОΠ

2200

 

 

 

 

Πримечание. ПР = 1,1 для всех микропроцессоров.

5.2.5. Монолитные с МОП-структурой и биполярные

запоминающие устройства

Интенсивность отказов для указанных ИС вычисляется по формуле

λ = ПLПQ1Пт1 + С2ПE) ΠР,

 

 

 

2240

 

0,030

 

0,012

 

0,10

 

где C1,

C2

– коэффициенты

сложности

 

2560

 

0,032

 

0,013

 

0,11

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4096

 

0,043

 

0,017

 

0,15

 

схемы,

зависящие от

числа

бит

(табл.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8192

 

0,065

 

0,027

 

0,23

 

П.5.11.); ΠР – коэффициент количества вы-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l9216

 

0,070

 

0,029

 

0,24

 

водов (см. примечание к табл. П.5.11).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10240

 

0,075

 

0,031

 

0,26

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Таблица П.5.11

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12288

 

0,083

 

0,035

 

0,29

 

Коэффициент сложности для запоминающих

 

 

 

14848

 

0,093

 

0,040

 

0,33

 

 

 

 

16384

 

0,099

 

0,042

 

0,35

 

 

 

устройств С1 и С2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Примечание. При числе выводов

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ПЗУ

 

 

 

 

 

 

корпуса меньше

24 ПР равен 1,0; при числе

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Число бит

 

 

 

 

 

ЗУПВ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

выводов, равном или больше 24 – 1,1.

 

 

 

С1

 

 

С2

 

С1

 

 

 

С2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

16

 

 

0,0015

 

0,00048

 

0,0053

 

 

 

Если

известными

являются

только

 

 

 

 

 

 

 

0,0017

 

 

 

 

 

 

 

 

 

32

 

 

0,0023

 

0,00075

 

0,0080

 

 

 

коэффициент площади кристалла и коли-

 

 

 

 

 

 

 

0,0026

 

 

 

 

 

 

 

 

 

64

 

 

0,0035

 

0,0012

 

0,012

 

 

 

чество0,0041соединений, следует разделить

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

площадь кристалла на 2,5. Получится ве-

 

 

128

 

 

0,0053

 

0,0018

 

0,019

 

 

0,0064

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

личина, приблизительно равная площади

 

 

256

 

 

0,0081

 

0,0029

 

0,028

 

 

0,010

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

320

 

 

0,0092

 

0,0033

 

0,032

 

 

0,011

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

металлизации. Для получения величины,

 

512

 

 

0,0012

 

0,0045

 

0,043

 

 

0,016

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

приблизительно pавной площади активных

 

576

 

 

0,013

 

0,0049

 

0,046

 

 

0,017

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

элементов, площадь кристалла надо разде-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1024

 

0,019

 

0,0070

 

0,065

 

 

0,024

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лить на 5,1.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1120

 

0,020

 

0,0075

 

0,069

 

 

0,026

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Знание типа МОП технологии помо-

 

1280

 

0,021

 

0,0081

 

0,074

 

 

 

 

 

 

 

0,028

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

жет определить количество ступеней диф-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2048

 

0,028

 

0,011

 

0,099

 

 

0,038

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

фузии (для МОП-структур с дополняющими транзисторами оно равно 3, для р- канальных МОП-структур – 1).

Воздействие тсрмоциклирования сказывается на увеличении интенсивности отказов в 4 – 8 раз.

5.2.6. Примеры расчета интенсивности отказов ИС

Пример 1. ИС типа КР1043ВГ1 (цифровая МОП-технология) эксплуатируется в видеомагнитофонах, т.е. в наземных жилых помещениях при температуре окружающей среды до 35 °С. ИС класса D-1 изготавливается в условиях непрерывного производства.

Этап 1. Тип ИС показывает, что прибор поставляется по ЧТУ в пластмассовом корпусе, представляет собой цифровую ИС, изготавливаются по МОП – технологии.

Этап 2. Так как данная ИС состоит из 3200 транзисторов и число вентилей будет равно 3200 : 4 = 800 (а это более 100 вентилей), то, согласно разделу 5.2.4, применяется следующая модель расчета :

λ = ПLПQ1Пт1 + С2ПE) ΠР.

Этап 3. Из табл. П.5.4 определяем ПQ = 300 для класса качества D-1.

Этап 4. Значение ПL, равное 1,0, находим по табл. П.5.3, поскольку ИС изготавливается непрерывно.

Этап 5. По табл. П.5.6 определяем значение ПЕ = 0,2 для условий эксплуата-

ции GВ.

Этап 6. По табл. П.5.5 находим значение ПТ1 в соответствии с примечанием 2. Для этого вначале определяем значение Tj, равное температуре окружающей среды

плюс 25 °С, т.е. Тj = 35 +25 = 60 °С, как указано в примечании 2, поскольку в схеме

используется более 30 вентилей. ПТ1 = 0,54.

Этап 7. По табл. П.5.10 находим значения С1 и С2, равные соответственно для 800 вентилей: С1 = 0,12 10-6 и С2 = 0,043 10-6; ПР = 1,1, так как число выводов равно 28.

Этап 8. Рассчитаем :

=1 300 (0,12 0,54 + 0,043 0,2) 1,1 10-6 =

=300 (0,06 + 0,0086) 1,1 l0-6 =

300 1,1 0,0686 10-6 = = 22,6 10-6 (1/ч) = 2,3 10-5 (1/ч).

Пример 2. Серийно выпускаемые ИС типа K561JIH2 (6 логических элементов "НЕ") эксплуатируются в видеомагнитофонах, т.е. в наземных жилых помещениях при температуре среды до 35 С. Схема выполнена в пластмассовом корпусе 201.14-1 по МОП-технологии по уровню качества D-1, состоит из 6 вентилей. Так

как эта схема цифровая с количеством вентилей менее 100, то воспользуемся формулой раздела 5.2.2:

λ = ПLПQ1ПТ1 + С2ПE) ΠР.

Из таблиц получим следующие исходные данные:

ПL = 1; ПТ = 0,22 (для Tj =35 + 5 = 40

°С); ПQ = 300; С1 = 0,0043 10-6; C2 = 0,0074 10-6; ΠР = 1,0; ПE = 0,2.

=1 300 (0,0043 0,22 + 0,0074 0,2) 10-6·=

=300 (0,001 + 0,0015) 10-6 = 300 0,0025 10-6

=

= 0,75 10-6 (1/ч) = 7,5 10-7 (1/ч).

Пример 3. ИС типа КР1005УД1 (сдвоенный операционный усилитель) серийно выпускаются по биполярной технологии в пластмассовом корпусе типа 1102.9 с числом транзисторов, равным 48, по уровню качества D-1. Применяются в видеомагнитафонах при температуре ок-